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公开(公告)号:KR101032890B1
公开(公告)日:2011-05-06
申请号:KR1020090008933
申请日:2009-02-04
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 태양전지의 CIS계 화합물 박막 제조에서의 버퍼층인 CdS 및 Cd-free 버퍼를 용액성장법에 의해 제조하되 버퍼층의 두께를 측정하기 위한 수단으로 진동자를 사용해 진동수를 감지하거나, 레이져의 광투과 정도를 감지하여 박막의 두께를 모니터링해 버퍼층이 일정한 두께로 형성되도록 하는 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것이다.
상기 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법은, 박막조성원소가 함유된 수용액이 저장되고 상기 수용액을 가열하는 가열수단과 수용액을 교반시키는 교반수단을 구비한 수조에 기판을 담그는 과정과, 상기 기판의 표면에서 박막을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 과정을 포함하는 용액성장법(CBD)을 이용한 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 있어서, 상기 버퍼층형성과정에는 박막의 두께를 측정하는 과정이 포함된다.
또한, 상기 박막의 두께를 측정하는 과정은, 기판을 수용액에 담글 때 진동자를 함께 담그는 단계와; 상기 수용액에 담긴 진동자가 박막성장에 따라 감소되는 진동수를 측정하는 단계와; 상기 측정한 측정데이터와 표준데이터를 비교하여 박막의 두께를 추산하는 단계와; 상기 측정데이터와 표준데이터에서의 선택된 값이 일치할 때 기판을 수조에서 꺼내는 기판회수단계;를 포함하여 이루어진다.
태양전지, 기판, 박막, 버퍼층, 두께측정, 진동자-
公开(公告)号:KR1020100089603A
公开(公告)日:2010-08-12
申请号:KR1020090008933
申请日:2009-02-04
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a buffer-layer for a CIS-based thin film solar cell is provided to form a thin film having a desired thickness while minimizing an error range by checking the degree of thin film growth. CONSTITUTION: A liquid solution containing a thin film composition element through a chemical bath deposition. A substrate is dipped into a bath equipped with a heating unit and an agitator. A buffer layer is formed by growing up a thin film on the surface of the substrate(P2). The thickness of the thin film is measured at(P3).
Abstract translation: 目的:提供用于基于CIS的薄膜太阳能电池的缓冲层的制造方法,以通过检查薄膜生长程度来最小化误差范围来形成具有所需厚度的薄膜。 构成:通过化学浴沉积含有薄膜组成元素的液体溶液。 将基材浸入装有加热单元和搅拌器的浴中。 通过在衬底(P2)的表面上生长薄膜来形成缓冲层。 在(P3)测量薄膜的厚度。
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公开(公告)号:KR100347106B1
公开(公告)日:2002-07-31
申请号:KR1020000041222
申请日:2000-07-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L21/203 , C25D15/02
Abstract: 본 발명은 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 금속 원소인 Cu, In, Se 보다 낮은 온도에서 진공증발이 가능한 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 진공에서 동시에 증발증착하여 저가 고효율의 CuInSe
2 박막을 제조하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성은 CuInSe
2 (CIS) 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 태양전지의 CIS 화합물반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서,
금속원소가 아닌 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 동시증발물질로 사용하여 진공증발증착실에서 기판의 온도에 변화를 주면서 순차적으로 증발증착하여 CuInSe
2 계 박막을 제조하는 것을 요지로 한다.-
公开(公告)号:KR1019980012650A
公开(公告)日:1998-04-30
申请号:KR1019960028492
申请日:1996-07-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
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公开(公告)号:KR1019940001291B1
公开(公告)日:1994-02-18
申请号:KR1019900013868
申请日:1990-09-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: The transparent conductive film for an amorphous silicon solar cell is produced by (a) particulating the mixture solution of methanol, pure water, fluorine cpd. and tin compound by the use of an ultrasonic vibrator, and (b) contacting the particulate and a carrier gas to the glass substrate. The glass substrate is pref. silicon oxide (SiO2)-coated soda lime glass, barium borax glass or soda lime glass, the tin cpd. is pref. SnCl2, SnCl2 2H2O, SnCl4, SnCl4 5H2O or (CH3)2SnCl2, the fluorine cpd. is pref. NH4F or HF, and the carrier gas is pref. air, nitrogen or oxygen.
Abstract translation: 通过(a)将甲醇,纯水,氟cpd的混合溶液微粒化,制造非晶硅太阳能电池用透明导电膜。 和锡化合物,并且(b)使颗粒和载气与玻璃基板接触。 玻璃基板是首选。 氧化硅(SiO 2)涂层的钠钙玻璃,硼砂玻璃或钠钙玻璃,锡cpd。 是首选 SnCl 2,SnCl 2·2H 2 O,SnCl 4,SnCl 4·5H 2 O或(CH 3)2·2SCl 2,氟cpd。 是首选 NH 4 F或HF,并且载气是优选的。 空气,氮气或氧气。
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