公开(公告)号：KR1020080052296A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070083835

申请日：2007-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대식 ,  맹성렬 ,  뤄잭 ,  밀른빌

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: F04B19/006 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2400/0439 ,  B01L2400/0496 ,  F04F7/00 ,  Y10T29/42 ,  Y10T137/86027

Abstract: A microfluidic transport device and a manufacturing method thereof are provided to enable mass production at low cost by using commercialized semiconductor manufacturing technology based on silicone. A microfluidic transport device comprises a substrate(101), a piezoelectric film(102), an IDT(Inter Digitated Transducer) electrode(103) and a fluid path(105). The piezoelectric film is formed on the upper part of the substrate. The IDT electrode for energy conversion is formed on the piezoelectric film so as to generate surface elastic wave. The fluid path is formed on the piezoelectric film.

Abstract translation: 提供了一种微流体输送装置及其制造方法，其通过使用基于有机硅的商业化的半导体制造技术以低成本进行批量生产。 微流体输送装置包括基底（101），压电薄膜（102），IDT（Inter Digitated Transducer）电极和流体通路。 压电膜形成在基板的上部。 用于能量转换的IDT电极形成在压电膜上，以产生表面弹性波。 流体路径形成在压电膜上。

公开(公告)号：KR100809421B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060096432

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  김상협 ,  박래만 ,  줄리안가드너 ,  플로린유드리아 ,  빌밀른

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

Abstract: A multi-gas sensor having a nano-size sensing material and a sensing method using the same are provided to lower an operation temperature of the sensor and to reduce power consumption of the sensor. A multi-gas sensor having a nano-size sensing material includes a semiconductor substrate(10), an insulating layer(12), small heaters(16), and a heater electrode. The semiconductor substrate is a silicon substrate. The insulating layer is disposed on the silicon substrate. The small heaters are disposed in the insulating layer at predetermined intervals. The small heaters receive power from the heater electrode. A portion of the semiconductor substrate is removed to expose the insulating layer under the small heaters. After removing the portion of the semiconductor substrate, the sensor can be implemented in a membrane shape.

Abstract translation: 提供具有纳米尺寸感测材料的多气体传感器和使用其的感测方法以降低传感器的操作温度并降低传感器的功耗。 具有纳米尺寸感测材料的多气体传感器包括半导体衬底（10），绝缘层（12），小型加热器（16）和加热器电极。 半导体衬底是硅衬底。 绝缘层设置在硅衬底上。 小型加热器以预定间隔设置在绝缘层中。 小型加热器从加热器电极接收电力。 去除半导体衬底的一部分以在小型加热器下露出绝缘层。 在去除半导体衬底的部分之后，传感器可以实现为膜形状。

公开(公告)号：KR100639990B1

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1020050039098

申请日：2005-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤두협 ,  김현탁 ,  채병규 ,  맹성렬 ,  강광용

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/452

Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060083104A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막