-
公开(公告)号：KR1020170142836A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160160694
申请日：2016-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
Abstract: 나노셀룰로오스섬유제조방법은노즐의온도를 35 도(℃) 내지 45 도(℃)로유지하는것, 및제1 셀룰로오스섬유들을포함하는시료를노즐로통과시키는것을포함하되, 시료가노즐을통과할때, 제1 셀룰로오스섬유들이분쇄되어수 내지수십나노미터(nm)의직경을갖는제2 셀룰로오스섬유들을형성한다.
Abstract translation: 制造纳米纤维素纤维的方法包括将喷嘴的温度保持在35至45摄氏度并使含有纤维素纤维的样品通过喷嘴， 将第一纤维素纤维粉碎以形成直径为几纳米至几十纳米（nm）的第二纤维素纤维。
-
公开(公告)号：KR1020170023383A
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020160008220
申请日：2016-01-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 본발명은기판상의포토레지스트층의일부를제거하여, 적어도하나의패턴슬릿을포함하는포토레지스트패턴을형성하는것; 상기포토레지스트패턴상에액상전도성물질을도포하여, 상기패턴슬릿내에액상전도성구조체를형성하는것; 상기포토레지스트패턴을제거한후, 상기액상전도성구조체상에신축가능한제1 절연층을형성하는것; 및상기액상전도성구조체및 상기제1 절연층을상기기판으로부터분리하는것을포함하는신축성배선의제조방법및 신축성집적회로의제조방법에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR1020150115072A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140039353
申请日：2014-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , G06F2203/04112
Abstract: 터치스크린패널제작방법및 터치스크린패널이개시되어있다. 정전용량방식의윈도우일체형터치스크린패널제작방법은강화처리된기판위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드전극을형성하는단계와 OMO 하이브리드전극을식각하여패턴을형성하고, 패턴에패턴삽입계층을형성하는단계를포함할수 있되, OMO 하이브리드전극은강화처리된기판위에하위계층, 금속계층및 상위계층을적층하여형성되고, 패턴삽입계층은일정한범위의굴절율을가지는산화물을기반으로형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造触摸屏面板和触摸屏面板的方法。 一种电容型的窗户一体型触摸屏面板的制造方法，包括在增强基板上形成OMO（氧化物金属氧化物）复合电极的步骤，以及通过蚀刻OMO混合电极形成图案的工序， 在图案中形成图案插入层。 OMO混合电极通过在增强基板上层叠下层，金属层和上层而形成。 图案插入层可以由具有反射指数范围的氧化物制成。
-
公开(公告)号：KR1020140032253A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098928
申请日：2012-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L21/00 , Y10T29/49105
Abstract: Disclosed in the present invention are a touch screen and a manufacturing method thereof. The touch screen comprises a substrate, a first electrode extending in a first direction on the substrate, an interlayer insulating layer on the first electrode, and a second electrode disposed on the interlayer insulating layer and extending in a second direction crossing the first direction. The interlayer insulating layer may have quantum dots that induce a change of a capacitance between the first electrode and the second electrode from visible light incident on the substrate.
Abstract translation: 在本发明中公开了一种触摸屏及其制造方法。 触摸屏包括基板，在基板上沿第一方向延伸的第一电极，在第一电极上的层间绝缘层，以及设置在层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二电极。 层间绝缘层可以具有从入射到基板上的可见光引起第一电极和第二电极之间的电容变化的量子点。
-
公开(公告)号：KR101369775B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020100016735
申请日：2010-02-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 사용자 응시점 빔 주사 장치 및 그의 동작 방법에 관한 것으로, 그 장치는 사용자 눈동자 움직임을 분석하여 사용자 응시점을 감지하는 응시점 감지부; 및 상기 응시점 감지부를 통해 감지된 사용자 응시점에 빔을 주사하는 빔 주사부를 포함하여, 사용자가 현재 응시하고 있는 지점을 파악하고 그 지점에 빔을 주사하고, 이에 따라 보다 정확한 제어 동작이 수행될 수 있도록 해준다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140010848A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120103353
申请日：2012-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F2203/04103
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of touch screen panel comprising the step of preparing a substrate including a wire area at a cell region and at the periphery of the cell region the step of forming a first buffer layer and a second buffer layer having a refractive index lower than that of the first buffer layer on the substrate; and the step of forming a transparent electrode on the second buffer layer wherein the second buffer layer is formed with a SiOC material.
Abstract translation: 触摸屏面板的制造方法技术领域本发明涉及一种触摸屏面板的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：在形成第一缓冲层的步骤和形成第一缓冲层的第二缓冲层的单元区域和周边的区域中， 折射率低于衬底上的第一缓冲层的折射率; 以及在第二缓冲层上形成透明电极的步骤，其中第二缓冲层由SiOC材料形成。
-
公开(公告)号：KR100779090B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060067095
申请日：2006-07-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/12 , Y10T29/49002
Abstract: A gas sensor using zinc oxide and a manufacturing method thereof are provided to detect gas with high sensitivity and apply relatively high detecting temperature during gas sensing. A gas sensor using zinc oxide includes a substrate(12), a nano zinc oxide structure(14), a plurality of metal islands, a first electrode(22), a second electrode(24), and a current change detector(50). The nano zinc oxide structure is formed on the substrate. The metal islands are coated on the nano structure, separated from each other. The first electrode is electrically connected to an end of the nano structure. The second electrode is electrically connected to the other end of the nano structure. The current change detector is connected to the first electrode and the second electrode for detecting changes of current flowing through the first electrode and the second electrode.
Abstract translation: 提供使用氧化锌的气体传感器及其制造方法，以高灵敏度地检测气体，并且在气体感测期间应用较高的检测温度。 使用氧化锌的气体传感器包括基板（12），纳米氧化锌结构（14），多个金属岛，第一电极（22），第二电极（24）和电流变化检测器（50） 。 在衬底上形成纳米氧化锌结构。 金属岛被涂覆在纳米结构上，彼此分离。 第一电极电连接到纳米结构的一端。 第二电极电连接到纳米结构的另一端。 电流变化检测器连接到第一电极和第二电极，用于检测流过第一电极和第二电极的电流的变化。
-
公开(公告)号：KR100779078B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060018509
申请日：2006-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/34 , H01L33/38 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명의 실리콘 발광 소자는 하부에 하부 전극층이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 발광층에 캐리어를 공급하는 하부 도핑층과, 상기 하부 도핑층 상에 형성되고, 실리콘 반도체층에 실리콘 양자점이나 나노점을 갖고 발광 특성을 나타내는 발광층과, 상기 발광층 상에 형성되고 상기 발광층에 캐리어를 공급하는 상부 도핑층과, 상기 상부 도핑층 상에 형성된 상부 전극층을 포함한다. 더하여, 본 발명의 실리콘 발광 소자는 상기 상부 전극층 상에 형성된 전도성 또는 비전도성의 투명 비정질막의 표면 패턴이나, 상기 상부 전극층 및 상부 도핑층을 패터닝하여 마련된 상부 전극 패턴 및 상부 도핑 패턴이나, 상기 표면 패턴, 상부 전극 패턴 및 상부 도핑 패턴을 표면 구조물로 이용하여 기하광학적으로 상기 발광층으로부터 방출되는 빛의 방출 효율을 향상시킨다.
-
公开(公告)号：KR1020070060970A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060018509
申请日：2006-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/34 , H01L33/38 , H01L2933/0091
Abstract: A silicon-based light emitting diode for enhancing light extraction efficiency and its fabrication method are provided to reduce a manufacturing cost by using a silicon semiconductor as a base instead of a chemical compound semiconductor. A lower electrode layer(102) is formed on a lower surface of a substrate(100). A lower doping layer(104) is formed on the substrate to supply carriers to an emission layer(106). The emission layer is formed on the lower doping layer and includes a silicon quantum dot or a nano dot formed on a silicon semiconductor layer. An upper doping layer(108) is formed on the emission layer to supply the carriers to the emission layer. An upper electrode layer(110) is formed on the upper doping layer. A surface pattern(112a) is formed on the upper electrode layer.
Abstract translation: 提供了一种用于提高光提取效率的硅基发光二极管及其制造方法，以通过使用硅半导体作为基底而不是化学化合物半导体来降低制造成本。 在基板（100）的下表面上形成下电极层（102）。 在衬底上形成下掺杂层（104），以将载流子提供给发射层（106）。 发射层形成在下掺杂层上，并且包括形成在硅半导体层上的硅量子点或纳米点。 在发射层上形成上掺杂层（108），以将载流子提供给发射层。 在上掺杂层上形成上电极层（110）。 表面图案（112a）形成在上电极层上。
-
公开(公告)号：KR1020070060962A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060014683
申请日：2006-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/60
Abstract: A silicon-based light emitting diode using a lateral reflector is provided to utilize effectively lateral reflecting light and to enhance light emitting efficiency by forming a reflector on an inner lateral surface of a substrate. A plurality of grooves are formed on a p type silicon substrate(100). A light emitting device layer(200) is formed by laminating an active layer(220), an n type doping layer(240), and a transparent electrode layer(260) on the p type silicon substrate within the groove. A metal electrode includes a lower metal electrode formed on a bottom surface of the p type silicon substrate, and an upper metal electrode formed on an upper surface of the light emitting device layer. A lateral surface of the groove is separated from the light emitting device layer to be utilized as a reflecting mirror.
Abstract translation: 提供了使用横向反射器的硅基发光二极管，以有效地利用横向反射光并通过在衬底的内侧表面上形成反射器来提高发光效率。 多个沟槽形成在p型硅衬底（100）上。 通过在沟槽内的p型硅衬底上层叠有源层（220），n型掺杂层（240）和透明电极层（260）来形成发光器件层（200）。 金属电极包括形成在p型硅衬底的底表面上的下金属电极和形成在发光器件层的上表面上的上金属电极。 凹槽的侧表面与发光器件层分离以用作反射镜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
81
records
(took 0.043 seconds)
