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公开(公告)号：KR100170180B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019940023651
申请日：1994-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/125
Abstract: 본 발명은 반도체 물질의 전광효과를 이용하여 반도체 DBR 거울층의 굴절율을 전기장을 이용하여 변화시키므로서 편광에 따라 공진파장을 다르게 이동하여 레이저 발진 빔의 편광을 조절한 편광조절 수직 공진형 표면방출 레이저 소자의 발명에 관한 것이다.
본 발명은 소정 도전형의 반도체 DBR(distributed Brag reflector)거울층에 전기장을 인가하여 반도체의 편광별 굴절율을 변화시키기 위한 전극들로 구성되고 전기장이 균일하고 효과적으로 거울층에 걸리고 정공의 유입이 이루어지도록 상기 거울층들이 n형의 반도체 DBR, p형의 반도체 DBR, 및 도핑되지 않은 반도체 DBR 등으로 이루어진 것 등으로 구성된다.-
公开(公告)号：KR100146713B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940025171
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/18347 , H01S5/0425 , H01S5/423 , H01S2301/176
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저에 관한 것으로서, 특히 공진기의 측면에 전극을 형성하여 공진기의 상부 표면으로 레이저가 방출될 수 있는 마이크로 레이저의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 활성층에 전류를 주입시키는 전극을 공진기의 측면에 형성함으로써 점점 미세화되어 가는 마이크로 레이저에도 보다 쉽게 전극을 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라, 방출부인 상부 거울층을 둘러싸는 측면전극으로 인하여 레이저 활성층 내로 전류가 효율적으로 주입됨으로써 보다 작은 개시전류로도 레이저를 동작시킬 수 있으며, 공진기의 직렬저항을 격감시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100141356B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019930028257
申请日：1993-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 고출력 수직공진형 표면 방출 반도체 레이저 소자 구조에 관한 것으로서, 종래기술에 있어서 반도체 레이저 소자의 저출력의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에선느 레이저 파장의 반을 공동거리로 레이저 출력의 미분 양자효율을 증가시키고, 이득층(6)에 전자와 정공의 균일한 주입을 위하여 운반자 결핍영역(9)을 공진영역(8)보다 넓게 함으로써 광교환 및 광컴퓨터등에 사용될 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980019928A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960038192
申请日：1996-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으로써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019970011148B1
公开(公告)日：1997-07-07
申请号：KR1019930027633
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: An optic pumping surface emitting semiconductor laser device of vertical resonance type using a porous silicon which a light emitting layer is inserted between the upper and lower mirror layer thereof comprises a bragg reflecting plate of a first dielectric(4), a bragg reflecting plate of a second dielectric(5), a gain layer(1), a silicon substrate(3), a unreflecting layer(2), a metal mirror layer(6) and a phase accordance layer(7). The bragg reflecting plate of a first dielectric(4) is used as the upper mirror layer. The bragg reflecting plate of a second dielectric(5) is used as the lower mirror layer. The gain layer(1) which uses a porous silicon is inserted between the bragg reflecting plate of the first dielectric(4) and the bragg reflecting plate of the second dielectric(5) being used as an light emitting layer. The silicon substrate(3) is used to making the porous silicon. The non diffused reflecting layer(2) protects a diffused reflection due to a jag on the surface of the porous silicon. The metal mirror layer(6) increases a reflection rate beneath the bragg reflecting plate of the second dielectric(5). The phase accordance layer(7) accords the phase of each reflection wave generated between the bragg reflecting plate of the second dielectric(5) and the metal mirror layer(6).
Abstract translation: 使用发光层插入其上镜面层和下镜层之间的多孔硅的垂直共振型的光泵浦面发射半导体激光器件包括第一电介质（4）的布拉格反射板， 第二电介质（5），增益层（1），硅衬底（3），不反射层（2），金属镜层（6）和相位层（7）。 第一电介质（4）的布拉格反射板用作上镜层。 第二电介质（5）的布拉格反射板用作下镜层。 使用多孔硅的增益层（1）插入在第一电介质（4）的布拉格反射板和用作发光层的第二电介质（5）的布拉格反射板之间。 硅衬底（3）用于制造多孔硅。 非扩散反射层（2）保护由多孔硅表面上的锯齿状的扩散反射。 金属镜层（6）增加第二电介质（5）的布拉格反射板下面的反射率。 相位层（7）符合在第二电介质（5）的布拉格反射板和金属镜层（6）之间产生的每个反射波的相位。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960008901B1
公开(公告)日：1996-07-05
申请号：KR1019920023360
申请日：1992-12-04
IPC: H01L21/31
Abstract: forming a porous silicon layer (2) on the silicon substrate (1) by applying the current of 10 - 100 mA/cm2 to the HF solution where the silicon substrate (1) is dipped and wet etching the surface of the silicon substrate (1); depositing a diamond thin film over the porous silicon layer (2).
Abstract translation: 在硅衬底（1）上形成多孔硅层（2），通过将10-100mA / cm 2的电流施加到浸入硅衬底（1）的HF溶液中，湿法蚀刻硅衬底（1）的表面 ）; 在多孔硅层（2）上沉积金刚石薄膜。
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公开(公告)号：KR1019960019879A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028975
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 이득유도 수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 수소이온 확산에 의한 수소화 처리로 거울층과 활성층을 전기적으로 비활성화시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소정의 마스크 패턴을 이용하여 수소 플라즈마 분위기에서 수소이온을 확산시켜 마스크 패턴 하부의 거울층과 활성층(또는 전류주입 영역)을 전기적으로 비활성화시키고, 평탄화시킴과 아울러 전류주입 영역 및 소자간을 격리시킬 수 있는 수소이온의 화산에 의한 비활성화 영역의 형성 방법이다. -
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