公开(公告)号：KR1019990043769A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970064811

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 브래그 거울의 식각을 실시간으로 감지하는 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 제조 공정 중 후공정 단계인 습식 식각 방법시 식각 과정을 모니터링하여 식각 속도와 식각 멈춤 단계에 대한 정보를 실시간으로 알아내는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 습식 식각 용액에 담겨진 시편에서 식각 과정 동안 레이저를 시편에 발사하여 반사되는 반사 빔의 강도를 컴퓨터로 측정하여 간섭에 의해 나타난 주기적 신호를 해석하여 식각 속도를 실시간으로 알아내는 방법이다. 레이저는 습식 식각시 시편에 열에너지를 제공하여 레이저가 닿는 시편 부위와 그렇지 않은 부위에 불균일한 식각 속도를 제공하는데 이는 적절한 초점 거리를 갖는 볼록 렌즈를 이용하여 시편 전체에 균일한 식각 속도를 갖도록 함으로서 문제점을 해결하였다.

公开(公告)号：KR100205075B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950051470

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  백종협 ,  이번

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/105 ,  C30B29/40

Abstract: 본 발명은 원거리 플라즈마를 이용하여 저온성장, 고안전성 및 고순도의 특성을 갖는 새로운 이원계, 삼원계 및 사원계 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 에피택셜 박막의 형성방법에 관한 것으로서, 그 특징은 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 에피택셜 박막의 형성방법에 있어서, H
2 와 He 혼합가스를 플라즈마 상태로 만드는 제1과정과, 고순도의 비소와 인과 안티몬 고체 소오스를 가열시키는 제2과정 및 상기 제2과정에서 발생된 증발 원소들이 H
2 와 He 플라즈마 환경하에서 Ⅴ족 원소-H
2 간의 화학반응으로Ⅴ-수소 화합물 반도체 에피택셜 박막을 만드는 제3과정을 포함는 데에 있으므로, 본 발명은 저온공정 및 고순도의 에피택셜 박막이 가능하고 초고진공을 요하지 않는 고경제성, Ⅴ족 공급원의 안전성, 다양한 이원계, 삼원계, 및 사원계의 화합물 반도체의 제조 용이성을 얻을 수 있으며, 고속, 고주파, 광통신 등 정보통신 응용소재인(Ga, In, Al)-(As, P, Sb)계의 이종구조 바이폴러 트랜지스터, 고전자 운반 트랜지스터, 반도체 레이저 및 광스위치 등 다양한 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 전자소자 광소자 및 그 회로에 적용할 수 있는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100163740B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940033473

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  윤미영 ,  백종협

IPC: H01L29/20

Abstract: 본 발명은 MOCVD를 이용하여 GaAs 기판(1)위에 격자부정합이 큰 InGaAs나 InAlAs 박막(4)을 최소의 전위밀도(dislocation density)로 성장시킬 수 있는 방법에 관한 것으로, 낮은 온도에서, 버퍼층(2)위에 III족 원료 가스만을 몇초간 주입하고, V족 원료가스를 주입하여 2mm미만의 두께를 갖는 이원계박막(3)을 성장시킨 후, V족 원소를 함유하는 AsH
3 가스를 별도로 주입하여 이원계 박막(3)과 그 위에 성장되는 InGaAs나 InAlAs 박막(4) 사이의 이종 계면을 급준하게 유지시켜 준다.
이로써, 격자부정합으로 인한 전위(misfit dislocation)를 극소화시키고 빗살무늬(cross hatch pattern)가 없는 박막의 표면을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053235A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052675

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번 ,  최성우 ,  이진홍

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 및 초전도체등에서 단결정 상태의 성장 즉, 에피성장시 기판으로 사용되는 재표의 표면에는 존재하는 산화층을 열식각으로 제거하는데 있어 제거의 완료시점을 실시간으로 감지하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 산화층 제거완료를 실시간으로 감지방법은 반도체기판과 굴절율 차이가 있는 기판표면의 산화층이 고온에서 열식각될때 산화층의 두께가 감소함에 따라 레이저 빔의 반사신호가 주기적신호를 나타내며, 이산호의 주기를 이용하여 상대적 식각속도와 식각완료 시점을 규명할 수 있다.

公开(公告)号：KR100349663B1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：KR1019990057254

申请日：1999-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/20

Abstract: 본발명은전류주입및 열선층을이용하여편광을제어하는표면방출레이저및 그의제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명의표면방출레이저는반도체기판상에형성된하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을포함하고, 상기상부거울층을포함한공진활성층식각후 매립되거나불순물이온주입에의한절연층, 상기상부거울층에형성되며레이징을위한전류를공급받는제1상부금속층, 상기절연층에의해상기제1상부금속층과격리되고상기반도체기판에대해서로수직방향으로편광을제어하는제2상부금속층, 상기반도체기판의저면에형성되어상기제1상부금속층과동시에레이징전류를주입받는제1하부금속층, 상기반도체기판의저면에상기제1하부금속층과일정거리를두고형성되어상기제2상부금속층과동시에편광제어전류를주입받는제2하부금속층을포함하여이루어진다.

公开(公告)号：KR100315599B1

公开(公告)日：2002-02-19

申请号：KR1019980049840

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 VCSEL 구조를 성장하기 위해서 사전에 알아야 했던 성장재료의 굴절률, 성장속도 등의 정보를 적용하지 않기 위해서 레이저 반사율 측정장치에 사용되는 레이저의 파장을 VCSEL 발진파장 및 DBR 반사파장과 동일한 파장의 레이저를 측정레이저로 사용하는 기술이다. 동일한 파장을 선택함으로 인해 물성분석에 들어가는 중간과정을 생략할 수 있고, 또한 버퍼층의 성장조차도 필요하지 않도록 하기 위해 보조 레이저가 들어간 두 개의 레이저를 사용하여 정확도를 높일 수 있다. 레이저 반사율 측정장치는 에피층을 성장하는 도중 에피층의 굴절률을 미리 알고 있으면, 버퍼층 반사신호의 주기를 미리 구하여 에피층의 성장속도를 계산할 수 있다. DBR 구조는 특정한 파장대에서 반사율을 1에 가깝게 하기 위해 설계된 구조이며 VCSEL 구조는 이러한 상·하부 DBR 사이에 공진층을 넣은 구조로서, 본 발명은 통상적인 DBR의 성장을 위해 기존의 상업화된 레이저 반사율 측정장치를 이용하되, DBR 및 VCSEL 발진 파장과 동일한 파장대 레이저를 선택함으로써 굴절률을 미리 알 필요가 없이 실시간 성장이 가능하다는 점, 그리고 서로 다른 파장대의 두 레이저를 이용하여 버퍼층의 성장 없이 사전 정보가 없는 재료의 DBR을 역시 실시간으로 성장할 수 있다는 점에 착안하였다.

公开(公告)号：KR1020010046631A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990050468

申请日：1999-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A polarization reconfigurable surface emission laser device and a method for manufacturing the same are provided to control to oscillate two polarization vertical to each other without a change of a transverse mode property depending on an electrode injecting a current. CONSTITUTION: In a surface emission type of laser device, an under mirror layer(22) and an active layer(23) are applied subsequentially on a semiconductor substrate(21). An upper mirror layers(24,25) are formed on the active layer. The center part of the upper mirror layer has a circular shape and the peripheral part of the upper mirror layer is patterned into a criss-crossing shape. The under peripheral part of the upper mirror layer is isolated from the active layer by an isolation layer(27). The first, second, third and fourth electrodes(29a,29b,29c,29d) which are isolated to each other are formed on the criss-crossing shape of the peripheral part of the upper mirror layer.

Abstract translation: 目的：提供一种极化可重构面发射激光器件及其制造方法，以根据注入电流的电极来控制相互垂直振荡两个极化而不改变横向模式特性。 构成：在表面发射型激光装置中，将下镜面（22）和有源层（23）顺序施加在半导体衬底（21）上。 在有源层上形成上镜层（24,25）。 上镜层的中心部分具有圆形形状，并且将上镜面镜的周边部分图案化成十字交叉的形状。 上镜层的下周边部分通过隔离层（27）与有源层隔离。 彼此隔离的第一，第二，第三和第四电极（29a，29b，29c，29d）形成在上镜面的周边部分的交叉形状上。

公开(公告)号：KR100212460B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960038192

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  유병수 ,  추혜용 ,  이번 ,  백종협

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으러써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019990043767A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970064809

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 가열 방식을 이용한 가변 파장 표면형 레이저에 관한 것으로, 특히 다중파장분할방식(WDM)을 위한 핵심소자로 레이저 파장을 조절할 수 있는 1.55 마이크론 대역의 가열 방식을 이용한 가변 파장 표면형 레이저에 관한 것이다.
일반적으로, 대용량 광 정보처리에 적합한 광섬유 통신의 다중 파장 분할 방식(Wavelength Division Multiplex)에서 제일 중요한 핵심기술은 0.2nm 미만까지 허용치가 요구되는 정확한 발진 파장을 가지는 1550nm 대역의 레이저 광원이다. 이를 위해 최근 주로 사용되는 광원은 단일 주파수를 가지는 분포 귀환형(Distributed Feedback)레이저이며 파장은 온도에 민감하여 일정한 파장을 유지하기 위해서는 고가의 냉각기를 부착하여 사용한다. 따라서, 본 발명은 인디움 알루미늄 갈륨 비소(InAlGaAs) 계열의 공명투과 다층양자 우물구조를 활성층으로하고 작동온도 구간을 섭씨 40 내지 60도로 설계하고, 가열방법으로만 발진 파장을 조절한다. 온도에 따른 파장 변화는 섭씨 1 도당 0.2nm의 일차원적인 함수관계를 가져 동작온도를 조절하여 원하는 파장을 정밀하게 구할 수 있는 가열 방식을 이용한 가변 파장 표면형 레이저를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980067653A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003863

申请日：1997-02-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01S3/02

Abstract: 본 발명은 표면형 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, WDM을 위한 차세대 레이저에서 파장의 안정성을 유지하기 위한 본 발명은 활성층 내부의 클래딩층을 저온에서 성장시키고, 상부 및 하부 초격자 거울층과 활성층 내부의 양자 우물 구조층을 고온에서 성장시킨 후 형성된 구조에 고온 열처리 공정을 실시함으로써 개별적인 소자들의 레이저 파장을 원하는 대로 쉽고 정확하게 조절할 수 있으며 일단 열처리에 의해 파장 조절이 끝난 소자들은 재료 특성상 안정되어 시간에 따른 소자의 레이징 특성 변화를 일으키지 않는 튜너블 레이저 제조 방법이 제시된다.