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公开(公告)号：KR1019980046585A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064945
申请日：1996-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광검출기 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비교적 낮은 제작 단가로 기판에 수직으로 입사한 빛을 효과적으로 흡수할 수 있는 구조를 갖으며 기존의 집적회로 제작 공정과 양립할 수 있는 적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1 도전형의 화합물 반도체 기판; 소정부위의 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판내에 일정간격을 두고 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판과 반대형의 불순물이 이온주입된 도핑된 초격자 영역; 상기 도핑된 초격자 영역의 수직한 양단에 형성된 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역; 상기 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역상에 형성된 각각의 제1 컬렉터 전극 및 제1 에미터 전극; 상기 도핑된 초격자 영역의 수평 방향으로 소정거리 이격되어 위치한 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역; 및 상기 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역상에 형성된 각각의 제2 컬렉터 전극 및 제2 에미터 전극을 구비하여 이루어진 적외선 감지 광검출기를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
광검출기 제조 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019970030931A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040300
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 도금을 이용하여 저저항금속을 중첩시키는 MESFET 게이트 금속 중첩방법에 관한 것이다.
본 발명은 MESFET에 게이트 금속이 드러나도록 절연박막으로 평탄화시키는 제1공정; 기저금속을 증착하는 제2공정; 포토레지스트로 게이트 영역을 정의하는 제3공정; 기저금속을 식각하고 포토레지스트를 열처리하여 도금하기 위한 영역을 분리하는 제4공정; 저저항 금속을 도금하는 제5공정; 포토레지스트를 제거하는 제6공정; 기저금속을 제거하는 제7공정을 포함한다.
E-beam을 이용하지 않고 T-형의 게이트와 배선금속을 형성하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있으며, 도금에 의해 배선금속이 만들어지기 때문에 리프트-오프에 의한 배선공정에 비해 생산원가를 줄일 수 있는 동시에 게이트의 형상이 대칭으로 형성되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970024284A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950036681
申请日：1995-10-23
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 T형 게이트와 자기정렬 LDD 구조를 갖는 MESFET의 제조방법에 관한 것으로서, 양측에 소오스 및 드레인 영역이 형성된 채널영역의 소정 부분에 캡층을 이용하여 역메사부분을 형성하고, 상기 역메사부분을 마스크로 이용하여 소오스 및 드레인 영역과 채널 영역 사이에 작은 에너지와 저농도로 이온주입하여 소오스 쪽 보다 드레인 쪽이 넓은 저농도 소오스 및 드레인 영역을 형성하며, 상기 역메사부분의 표면이나 역메사부분을 제거하여 형성된 홈에 T형 게이트 전극을 저농도 소오스 및 드레인 영역과 접촉되지 않게 형성한다. 따라서, 저농도 드레인 영역이 넓으므로 드레인 항복 전압이 향상되며, T형 게이트 전극에 의해 게이트저항이 감소되므로 소자의 고주파특성 및 잡음특성을 향상시킬 수 있고, 게이트 전극과 저농도 소오스 및 드레인 영역이 접촉되는 것을 방지하므로 누설전류가 발생되는 것을 방지하며, 또한, 역메사부분 형성시 식각에 의한 채널층의 두께를 조절할 수 있으므로 게이트의 길이와 채널층의 두께의 비를 크게하여 숏채널 효과를 줄인다.
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公开(公告)号：KR1019960026074A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033092
申请日：1994-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 위상반전 마스크의 경계선의 양쪽에 보조패턴을 만들고 이 마스크를 이용하여 광학스텝퍼의 리소그라피 공정으로 극히 작은 T-형 게이트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 광학적으로 미세한 패턴을 형성할 수 있으므로 소자 제작의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 여러가지 복잡한 과정을 거치지 않고 하나의 리소그라피 과정으로 T-형의 형상을 형성할 수 있으므로 공정이 복잡할 때 나타날 수 있는 공정조건의 변화에 의한 형상의 변화요인이 작아 효율적이다.
따라서, MESFET, HEMT 등의 미세한 T-형 게이트를 쉽게 형성할 수 있으므로 고품위 소자를 광학적인 방법으로 쉽게 제작할 수 있기 때문에 반도체 소자의 제작에 따른 효율성과 경제성을 크게 개선시킬 수 있다.
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