公开(公告)号：FR2970813B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：FR1100202

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2973565A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1101004

申请日：2011-04-04

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/78

Abstract: Le transistor à effet de champ comporte un substrat comprenant successivement un substrat de support (1) électriquement conducteur, une couche électriquement isolante (2) et une couche en matériau semi-conducteur (3). La contre-électrode (4) est formée dans une première portion (9) du substrat de support (1) face à la couche en matériau semi-conducteur (3). Le motif d'isolation (5) entoure la couche en matériau semi-conducteur (3) pour délimiter une première zone active (7) et il s'enfonce partiellement dans la couche de support (1) pour délimiter la première portion (9). Un contact (14) électriquement conducteur traverse le motif d'isolation (5) depuis une première face latérale en contact avec la contre-électrode (4) jusqu'à une seconde face. Le contact est connecté électriquement à la contre-électrode (4).

公开(公告)号：FR2941560A1

公开(公告)日：2010-07-30

申请号：FR0950503

申请日：2009-01-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  BOUYSSOU REGIS ,  CHEVOLLEAU THIERRY ,  DAVID THIBAUT

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

Abstract: L'invention se rapporte à un procédé pour éviter la formation, sur une couche à base d'un métal ayant été exposée à un plasma contenant du fluor, de résidus oxyfluorures métalliques lorsque cette couche est ensuite exposée à l'air. Ce procédé comprend, après l'exposition de ladite couche au plasma contenant du fluor mais avant son exposition à l'air, son traitement par un plasma réducteur contenant un ou plusieurs composés choisis parmi les hydrocarbures et les composés constitués d'azote et d'hydrogène. Elle se rapporte également à un procédé de gravure utile pour la réalisation d'une structure à interconnexions de type double damascène, qui comprend la mise en oeuvre de ce procédé. Domaines d'application : nanosciences et nanotechnologies.

公开(公告)号：FR3111470B1

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：FR2006295

申请日：2020-06-16

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

Abstract: Procédé de gravure d’au moins une portion d’une couche de matériau III-N, comportant la mise en œuvre des étapes suivantes : - première gravure (102) d’une première partie de l’épaisseur de la portion de la couche de matériau III-N, mise en œuvre en utilisant un premier plasma comportant du chlore ; - deuxième gravure (104) d’une épaisseur restante de la portion de la couche de matériau III-N, mise en œuvre en utilisant un deuxième plasma comportant du fluor et soumis à une tension de polarisation non nulle et inférieure ou égale à 150 V. Figure pour l’abrégé : figure 1.

公开(公告)号：FR3030875B1

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：FR1463145

申请日：2014-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  POSSEME NICOLAS ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  DAVID THIBAUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/302

公开(公告)号：FR3120158A1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR2101864

申请日：2021-02-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BACQUIE VALENTIN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: Titre : Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor L’invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d’une grille d’un transistor comprenant : - Une fourniture d’une couche active (13) surmontée par une grille (20), - une formation d’une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales, - une modification anisotrope des portions basales par implantation d’ions légers, formant des portions basales modifiées, - un retrait des portions basales modifiées (31b) par gravure sélective, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille à partir des portions latérales non modifiées, Avantageusement, avant le retrait, la modification anisotrope des portions basales comprend n phases d’implantation successives présentant des énergies d’implantation Γi (i=1…n) distinctes les unes des autres, lesdites n phases étant configurées pour implanter les ions légers à différentes profondeurs nominales d’implantation. Figure pour l’abrégé : Fig.4D

公开(公告)号：FR3120156A1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR2101865

申请日：2021-02-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  BACQUIE VALENTIN

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/336

Abstract: Titre : Procédé de gravure d’une couche diélectrique tridimensionnelle L’invention porte sur un procédé de gravure d’une couche diélectrique recouvrant un sommet (31) et un flanc (32) d’une structure (30) tridimensionnelle, ledit procédé comprenant : une première gravure de la couche diélectrique, comprenant : un premier composé à base de fluor (F) un deuxième composé pris parmi le SiwCl(2w+2) et le SiwF(2w+2), de l’oxygène (O), ladite première gravure étant effectuée pour : former une première couche de protection sur le sommet (31) et former une deuxième couche de protection sur la couche diélectrique (14f), une deuxième gravure configurée pour retirer la deuxième couche de protection tout en conservant une portion (50b) de la première couche de protection, les première et deuxième gravures étant répétées jusqu’au retrait de la couche diélectrique (14f) située sur le flanc (32) de la structure (30), Avantageusement, la deuxième gravure est effectuée par plasma à base d’hydrogène. Figure pour l’abrégé : Fig.3F

公开(公告)号：FR3119045A1

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：FR2100440

申请日：2021-01-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  HUTIN LOUIS ,  NEMOUCHI FABRICE ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L29/78

Abstract: Dispositif semiconducteur et procédé de fabrication associé Un aspect de l’invention concerne un dispositif (DI) semiconducteur comprenant : un substrat (ST) ; une pluralité d’empilements de grille (EGx) situés horizontalement à la suite les uns des autres sur le substrat (ST), chaque empilement de grille (EGx) comprenant une couche (OG) d’un matériau diélectrique en contact avec le substrat (ST) et une couche (GR) d’un matériau conducteur sur la couche (OG) d’un matériau diélectrique ; une source et un drain (S/D) situés sur le substrat de part et d’autre de la pluralité d’empilement de grille (EGx) ; une pluralité de premiers espaceurs (SExx) dans un premier matériau diélectrique, dit espaceurs secondaires (SExx), ayant une première largeur, dite largeur des espaceurs secondaires, la source et le drain étant séparé de l’empilement de grille (EGx) le plus proche par un espaceur secondaire (SExx) ; au moins un espaceur principale (ESx) dans un deuxième matériau diélectrique, un espaceur principal (ESx) étant situé entre chaque empilement de grille (EGx). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 11

公开(公告)号：FR3116836A1

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：FR2012282

申请日：2020-11-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  GRENOUILLET LAURENT ,  POLLET OLIVIER

IPC: C23C8/04 ,  B05D5/02 ,  C23C14/48 ,  C23C22/06 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8239

Abstract: PROCÉDÉ POUR AUGMENTER LA RUGOSITÉ DE SURFACE D’UNE COUCHE MÉTALLIQUE L’invention concerne un procédé pour augmenter la rugosité de surface d’une couche de métal (10), comprenant les étapes suivantes : former (S11) des résidus sur une surface de la couche de métal (10), par réaction chimique du métal avec un acide comprenant du fluor ou du chlore, l’ensemble des résidus formant un motif (12) à la surface de la couche de métal (10) ; graver la couche de métal (10) à travers les résidus (11), de façon à transférer le motif (12) dans la couche de métal (10). Figure de l’abrégé : Figure 1A

公开(公告)号：FR3116381A1

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：FR2011913

申请日：2020-11-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TAVERNIER AURÉLIEN ,  POSSEME NICOLAS ,  SOMMER ROMAIN

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/15

Abstract: Procédé de fabrication d'un dispositif à LED La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comprenant les étapes suivantes : - former, du côté d'une face supérieure d'un premier substrat (100), une pluralité de LED (101) constituées chacune d'un élément semiconducteur tridimensionnel ; - déposer, du côté de la face supérieure du premier substrat, une première couche (205a) en un premier matériau différent de l'oxyde de silicium, ladite première couche (205a) entourant latéralement et recouvrant les LED (101) et présentant une face supérieure plane ; et - déposer une deuxième couche (205b) en oxyde de silicium sur la face supérieure de la première couche (205a), dans lequel le premier matériau est tel que la première couche (205a) soit gravable sélectivement par rapport aux LED (101) et que la deuxième couche (205b) soit gravable sélectivement par rapport à la première couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 2B