公开(公告)号：DE102016204362B4

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Einheit, das aufweist:Bereitstellen einer Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) (5), die sich auf einem lichtdurchlässigen Substrat (10) befindet;Bilden einer metallhaltigen Schicht (15) auf einer Oberfläche des lichtdurchlässigen Substrats;Tempern der metallhaltigen Schicht, um eine Mehrzahl von Metallpartikeln (P1, 20) bereitzustellen;Ätzen freiliegender Teile des lichtdurchlässigen Substrats unter Verwendung der Mehrzahl von Metallpartikeln als Ätzmaske, um eine strukturierte Oberfläche mit einer Mehrzahl von Merkmalen (30) zu bilden, die in der Abmessung vergleichbar sind mit einer Wellenlänge von Licht, das von der LED-Struktur erzeugt wird; undEntfernen der Mehrzahl von Metallpartikeln,wobei die LED-Struktur ein lichtemittierendes aktives Element einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED) aufweist,wobei das lichtemittierende aktive Element der OLED aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Polyacetylenen (PA), Polyanilinen (PANI), Polypyrrolen (PPy), Polythiophenen (PT), Poly-para-phenylenen (PPP), Poly-para-phenylen-vinylenen (PPV), Oligoacenen, Oligothiophenen, Triarylaminen, Oligo-para-phenylenen, N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin (C44H32N2) (NPB), 2-TNATA,4,4',4"-Tris-(N-naphthylen-2-yl)-N-phenylamin)triphenylamin (C66H48N4) (TNATA), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (C54H36N4) (TCTA), 1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]-benzen (TDAPB), TDATA, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Al(C9H6NO)3), (Alq3), Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium (C32H25AlN2O3) (Balq), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (C36H24N2) (CBP) und Kombinationen davon besteht, undwobei die metallhaltige Schicht Sn, Pb, Sb, Bi oder Kombinationen davon aufweist.

公开(公告)号：DE112018005625B4

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE112018005625

申请日：2018-11-16

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  LEE YUN SEOG ,  DE SOUZA JOEL ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/24 ,  H01L29/49

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (10), welches mindestens eine Kanalzone (11) umfasst, die zwischen Source/Drain-Zonen (12L, 12R) positioniert ist;ein Gate-Dielektrikumsmaterial (14), welches auf der Kanalzone des Halbleitersubstrats angeordnet ist; undeinen Batteriestapel (16), welcher auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, wobei der Batteriestapel einen Kathodenstromkollektor (18), der auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, ein Kathodenmaterial (20), das auf dem Kathodenstromkollektor angeordnet ist, ein erstes lonendiffusionsbarrieren-Material (22), das auf dem Kathodenmaterial angeordnet ist, einen Elektrolyten (24), der auf dem ersten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, ein zweites lonendiffusionsbarrieren-Material (26), das auf dem Elektrolyten angeordnet ist, eine Anodenzone (28), die auf dem zweiten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, und einen Anodenstromkollektor (30) aufweist, der auf der Anodenzone angeordnet ist,wobei die Anodenzone (28) eine Anhäufungszone ist, die sich während eines Lade /Wiederaufladeverfahrens bildet.

公开(公告)号：DE112012003514T5

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE112012003514

申请日：2012-09-26

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  CHENG CHENG-WEI ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/8238

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Vielzahl von Halbleitereinheits-Schichten von einem darunter liegenden Basissubstrat bereitgestellt. Auf dem Basissubstrat wird ein mehrschichtiger Stapel gebildet, welcher abwechselnde Schichten von Opfermaterialschichten und Halbleitereinheits-Schichten umfasst. Jede folgende Opfermaterialschicht, die gebildet wird, ist dicker als die zuvor gebildete Opfermaterialschicht. Wegen des Unterschieds in den Dicken der Opfermaterialschichten wird jede Opfermaterialschicht in einer anderen Geschwindigkeit geätzt, wobei dickere Opfermaterialschichten schneller geätzt werden als dünnere Opfermaterialschichten. Anschließend wird eine Ätzbehandlung durchgeführt, mit welcher zuerst die dickste Opfermaterialschicht des mehrschichtigen Stapels geätzt wird. Die oberste Halbleitereinheits-Schicht innerhalb des mehrschichtigen Stapels wird dementsprechend als erste abgelöst. Wenn die Ätzbehandlung fortgesetzt wird, werden nacheinander die anderen Opfermaterialschichten in der Reihenfolge abnehmender Dicke entfernt, und die anderen Halbleitereinheits-Schichten werden nacheinander entfernt.