公开(公告)号：DE102010000942A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102010000942

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH OLAF ,  STOLZE THILO

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuseteils für ein Leistungshalbleitermodul (101). Hierbei werden eine Anschlusslasche (3) mit einem unteres Ende bereitgestellt, an dem ein Fußbereich (31) ausgebildet ist, sowie ein Gehäuseelement (41), das eine Einlauffase (45) aufweist. Die Anschlusslasche (3) wird mit dem Fußbereich (31) voran in die Einlauffase (45) eingeschoben. Dann wird eine formschlüssige erste Verbindung zwischen der Anschlusslasche (3) und dem Gehäuseelement (41) hergestellt, indem die in die Einlauffase (45) eingeschobene Anschlusslasche (3) zumindest im Fußbereich (31) mit einem ersten Kunststoff (44, 49) umschmolzen wird. Basierend auf diesem Verfahren kann ein Leistungshalbleitermodul (101) produziert werden, indem ein Bonddraht (5) auf die eine Oberseite (35) des Fußbereichs (31) gebondet wird.

公开(公告)号：DE10237871B4

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：DE10237871

申请日：2002-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  BOETTCHER RICHARD

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12

公开(公告)号：DE102009045181A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：DE102009045181

申请日：2009-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STOLZE THILO

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/58 ,  H01L23/15 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H02M1/00

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul zum Einsatz in einem Umrichter weist einen Gleichrichterschaltkreis (G) und einen Wechselrichterschaltkreis (W) auf. Es umfasst ein Gehäuse (60), einen ersten Leistungshalbleiterchip (1), der Bestandteil des Gleichrichterschaltkreises (G) ist, und der einen ersten Halbleiterkörper (10) mit einer oberen Chipmetallisierung (11) und einer unteren Chipmetallisierung (12) aufweist, sowie einen zweiten Leistungshalbleiterchip (2), der Bestandteil des Wechselrichterschaltkreises (W) ist, und der einen zweiten Halbleiterkörper (20) mit einer oberen Chipmetallisierung (21) und einer unteren Chipmetallisierung (22) aufweist. Außerdem besitzt das Modul (100) wenigstens ein Keramiksubstrat (3, 4, 5). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) und der zweite Leistungshalbleiterchip (2) sind in dem Gehäuse (60) angeordnet. An die obere Chipmetallisierung (11) und/oder an die untere Chipmetallisierung (12) des ersten Leistungshalbleiterchips (1) grenzt jeweils eines der folgenden ersten Verbindungsmittel unmittelbar an: eine Schmelzlotschicht (15); ein aluminiumbasierter Bonddraht (71) mit einem Aluminiumanteil von wenigstens 99 Gew.-% Aluminium. An die obere Chipmetallisierung (21) und/oder an die untere Chipmetallisierung (22) des zweiten Leistungshalbleiterchips (2) grenzt jeweils eines der folgenden zweiten Verbindungsmittel unmittelbar an: eine Diffusionslotschicht (16); eine silberhaltige Sinterschicht; eine Klebeschicht; ein kupferbasierter Bonddraht ...

公开(公告)号：DE502004012150D1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE502004012150

申请日：2004-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO

IPC: H01L25/07

公开(公告)号：DE102009002992A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009002992

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodulsystem mit einem Leistungshalbleitermodul (1) und einem Kühlkörper (2), sowie mit wenigstens einem Befestigungsmittel (7), mittels dem das Leistungshalbleitermodul (1) fest mit dem Kühlkörper (2) verbunden werden kann. Das Leistungshalbleitermodul (1) weist eine Unterseite (12) mit einer ersten Wärmekontaktfläche (13) auf, der Kühlkörper (2) eine Oberseite (21) mit einer zweiten Wärmekontaktfläche (23). Das Leistungshalbleitermodul (1) umfasst eine Anzahl von N1 ≧ 1 erster Positionierelemente (15a, 15b, 15c), der Kühlkörper (2) eine Anzahl von N2 ≧ 1 zweiter Positionierelemente (25a, 25b, 25c). Jedes der ersten Positionierelemente korrespondiert mit einem der zweiten Positionierelemente und bildet mit diesem ein Paar (15a, 25a); (15b, 25b); (15c, 25c)). Das Leistungshalbleitermodul (1) und der Kühlkörper (2) sind so zueinander anordenbar, dass die beiden Positionierelemente eines jeden der Paare bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls (1) an dem Kühlkörper (2) ineinander greifen.

公开(公告)号：DE102009002993A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein leistungshalbleitermodul mit einer Modulunterseite (102), einem Gehäuse (104) sowie wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2). Jeder der Schaltungsträger (T1, T2) weist eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) auf sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52). Die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) umfasst zumindest einen Abschnitt, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet. Zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53) ermöglicht eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper (400).

公开(公告)号：DE102008008141A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE102008008141

申请日：2008-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER ,  SCHIESS KLAUS ,  STOLZE THILO

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34

公开(公告)号：DE10008572B4

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：DE10008572

申请日：2000-02-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  LODDENKOETTER MANFRED

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/051 ,  H01L23/055 ,  H01L23/12 ,  H01L23/16 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L29/74 ,  H01R13/52 ,  H01R43/02 ,  H05K3/34 ,  H05K3/40 ,  H05K7/10 ,  H05K7/12

Abstract: Sleeves (2a, 2b) are connected to a substrate (4). Pins (3) passing into the sleeves also make electrical connection with a circuit board (5). The circuit board is connected to the casing (6). An independent claim is included for the production of the module. Sleeves are set on solder paste applied to the substrate, to be soldered in place. The pins are introduced into the sleeves, making electrical connection between the module and the circuit board. The casing is plastic. During casting of the silicon gel, air is passed through slots in the casing.

公开(公告)号：DE102010000942B4

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102010000942

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH OLAF ,  STOLZE THILO

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (101), bei dem ein Gehäuseteil für ein Leistungshalbleitermodul (101) mit folgenden Schritten hergestellt wird:Bereitstellen einer Anschlusslasche (3), die ein unteres Ende aufweist, an dem ein Fußbereich (31) ausgebildet ist;Bereitstellen eines Gehäuseelements (41), das eine Einlauffase (45) aufweist;Einschieben der Anschlusslasche (3) mit dem Fußbereich (31) voran in die Einlauffase (45);Herstellen einer formschlüssigen ersten Verbindung zwischen der Anschlusslasche (3) und dem Gehäuseelement (41), indem die in die Einlauffase (45) eingeschobene Anschlusslasche (3) zumindest im Fußbereich (31) mit einem ersten Kunststoff (44, 49) umschmolzen wird; und wobeider Fußbereich (31) eine Oberseite (35) aufweist, auf die ein Bonddraht (5) gebondet wird;ein mit einem Leistungshalbleiterchip (1) bestückter Schaltungsträger (2) mit dem Gehäuseelement (4) verbunden wird;der Schaltungsträger (2) ein flaches Isoliersubstrat (20) mit einer ebenen Oberseite (25) aufweist;die Oberseite des Fußbereichs (31) einen ebenen Abschnitt aufweist, der gegenüber der Oberseite (25) des Isoliersubstrats (20) geneigt ist und mit dieser einen Winkel (φ) von größer oder gleich 1° und von weniger als 10° einschließt.

公开(公告)号：DE102009045181B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102009045181

申请日：2009-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STOLZE THILO

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/58 ,  H01L23/15 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H02M1/00

Abstract: Leistungshalbleitermodul zum Einsatz in einem Umrichter, der einen Gleichrichterschaltkreis (G) und einen Wechselrichterschaltkreis (W) aufweist, umfassend- ein Gehäuse (60),- einen ersten Leistungshalbleiterchip (1), der als Bestandteil eines Gleichrichterschaltkreises (G) einsetzbar ist, und der einen ersten Halbleiterkörper (10) mit einer oberen Chipmetallisierung (11) und einer unteren Chipmetallisierung (12) aufweist;- einen zweiten Leistungshalbleiterchip (2), der als Bestandteil eines Wechselrichterschaltkreises (W) einsetzbar ist, und der einen zweiten Halbleiterkörper (20) mit einer oberen Chipmetallisierung (21) und einer unteren Chipmetallisierung (22) aufweist;- wenigstens ein Keramiksubstrat (3, 4, 5); wobei- der erste Leistungshalbleiterchip (1) und der zweite Leistungshalbleiterchip (2) in dem Gehäuse (60) angeordnet sind;- an die obere Chipmetallisierung (11) des ersten Leistungshalbleiterchips (1) ein aluminiumbasierter Bonddraht (71) mit einem Aluminiumanteil von wenigstens 99 Gew% Aluminium unmittelbar angrenzt;- an die obere Chipmetallisierung (21) des zweiten Leistungshalbleiterchips (2) ein kupferbasierter Bonddraht (72) mit einem Kupferanteil von wenigstens 99 Gew% Kupfer unmittelbar angrenzt;- die untere Metallisierung (12) des ersten Leistungshalbleiterchips (1) mittels einer Schmelzlotschicht (15) mit einer oberen Metallisierung (31, 51) eines Keramiksubstrates (3, 5) verbunden ist;- die untere Metallisierung (22) des zweiten Leistungshalbleiterchips (2) mittels einer Diffusionslotschicht (16), einer Klebeschicht oder mittels einer silberhaltigen Sinterschicht mit einer oberen Metallisierung (41, 51) eines Keramiksubstrates (4, 5) verbunden ist.