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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN KONVERSIONS-HALBLEITERCHIPS UND VERBUND VON KONVERSIONS-HALBLEITERCHIPS
    31.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN KONVERSIONS-HALBLEITERCHIPS UND VERBUND VON KONVERSIONS-HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    用于制造光电子转换半导体芯片和转换半导体芯片复合

    公开(公告)号：WO2016198620A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/EP2016/063328

    申请日：2016-06-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62), mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), B) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Aufwachssubstrat (1), C) Aufbringen eines elektrischen Kontakts (3) auf die dem Aufwachssubstrat (1) angewandte Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2), D) Ausdünnen des Aufwachssubstrats (1), E) Aufbringen der Konversionsschicht (4) auf das ausgedünnte Aufwachssubstrat (1), und F) Vereinzeln zumindest des ausgedünnten Aufwachssubstrates (1) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von mindestens zwei optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62).

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产光电转换的半导体芯片（61,62），包括以下步骤：（A）提供一个生长衬底1），B）生长的半导体层序列（2）（施加在生长衬底1），C）上 电触点（3），以将生长衬底（1）施加背面减薄所述生长衬底（1）中，e）减薄生长衬底（1）上施加所述转换层（4），和F半导体层序列（2），D）的一侧（12） ）至少分离所述减薄的生长衬底（1）和用于产生至少两个光电转换的半导体芯片（61,62）的半导体层序列（2）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    32.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2014095353A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/EP2013/075399

    申请日：2013-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  TAEGER, Sebastian

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Epitaktisches Wachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), B) Aufbringen einer Stromaufweitungsschicht (4) aus einem transparenten, leitfähigen Oxid auf die Halbleiterschichtenfolge (3), C) Aufbringen einer Ätzmaske (6) auf die Stromaufweitungsschicht (4), D) Strukturieren der Stromaufweitungsschicht (4) sowie der Halbleiterschichtenfolge (3) durch Ätzen anhand derselben Ätzmaske (6), wobei ein Abstand einer Kante der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Kante der Stromaufweitungsschicht (4) höchstens 3 μm beträgt.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，用于制造光电子半导体芯片（1）被布置成与包括A的步骤的方法）外延生长的半导体层序列（3）在生长衬底上（2），B）施加的电流扩展层（4）由透明导电的 氧化物上沉积蚀刻掩模在半导体层序列（3），C）（6）（在电流扩展层4），D）图案化所述电流扩展层（4），并通过使用相同的蚀刻掩模（6）蚀刻所述半导体层序列（3），其中，距离a上 半导体层序列（3），以电流扩展层（4）的边缘的边缘为至多3微米。

    VERFAHREN ZUM SORTIEREN VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VORRICHTUNG ZUM SORTIEREN VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    37.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM SORTIEREN VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VORRICHTUNG ZUM SORTIEREN VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020187533A1

    公开(公告)日：2020-09-24

    申请号：PCT/EP2020/054893

    申请日：2020-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER, Tobias ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Sortieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10) angegeben. Die Halbleiterbauelement (10) weisen jeweils einen aktiven Bereich (100) zur Emission oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung auf. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: - Einbringen der Halbleiterbauelemente (10) in einen Sortierbereich (2) auf einer vorgegebenen Bahn (3), - Bestrahlung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) mit elektromagnetischer Strahlung (50) eines ersten Wellenlängenbereichs zur Erzeugung von Dipolmomenten durch Ladungstrennung in den aktiven Bereichen (100) der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10), und - Ablenkung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) von der vorgegebenen Bahn (3) in Abhängigkeit ihres Dipolmoments mittels eines inhomogenen elektromagnetischen Feldes (60). Es wird weiterhin eine Vorrichtung zum Sortieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10) angegeben.

    BAUELEMENT ZUR DARSTELLUNG EINES PIKTOGRAMMS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
    38.
    发明申请
    BAUELEMENT ZUR DARSTELLUNG EINES PIKTOGRAMMS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
    用于显示图片的构造要素和用于生成组件的方法

    公开(公告)号：WO2018046331A1

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：PCT/EP2017/071546

    申请日：2017-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  G09F13/22 ,  H01L33/38

    Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1), einem Halbleiterkörper (2) und einer dazwischen liegenden Spiegelschicht (3) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung vom Licht eingerichtet ist. Das Bauelement weist eine Hauptfläche (101) auf, die im Betrieb des Bauelements leuchtet, wobei leuchtende Bereiche der Hauptfläche visuell erfassbare Information in Form eines Piktogramms (P) wiedergeben, wobei das Piktogramm in Draufsicht auf die Hauptfläche eine Kontur aufweist, die zumindest teilweise durch eine Kontur der Spiegelschicht definiert ist, und wobei das Bauelement in Draufsicht auf die Hauptfläche einen Umriss aufweist, der sich von der Kontur des Piktogramms unterscheidet. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines solchen Bauelements geeignet ist.

    Abstract translation:

    这是具有Tr的AUML一个部件（100）; GER（1），一个Halbleiterk＆OUML;主体（2）和中间反射层（3）表示，并且Halbleiterk＆OUML;主体中的有源层 （23），其在用于产生光的装置的操作中被建立。 该组件具有一个主试BEAR表面（101），其在该装置的操作亮起来，所述主试＆AUML的发光区;在一个象形图（P）反映的形式澈视觉上可检测的信息，其中，所述象形图在主试＆AUML的平面图;枝的轮廓 至少部分地由所述镜层的轮廓限定，并且其中所述装置在所述主表面的平面图中具有与所述图标的轮廓不同的轮廓。 此外，还规定了一种适用于生产这种装置的方法。

    VORRICHTUNG MIT ZUMINDEST EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENT
    39.
    发明申请
    VORRICHTUNG MIT ZUMINDEST EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    至少有一个光电子半导体器件的器件

    公开(公告)号：WO2017089349A1

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：PCT/EP2016/078451

    申请日：2016-11-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RAFAEL, Christine ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/52 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2), das auf einem Anschlussträger (9) angeordnet ist, angegeben, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper (20) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Formkörper (4) auf, durch den sich ein erster elektrischer Kontakt (55) und ein zweiter elektrischer Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers hindurch erstrecken. Der Formkörper weist eine Seitenfläche (40) auf, die das Halbleiterbauelement in einer lateralen Richtung begrenzt. Der Anschlussträger und die Seitenfläche des Formkörpers sind zumindest bereichsweise von einer strahlungsundurchlässigen Deckschicht (7) bedeckt.

    Abstract translation:

    是具有至少一个光电半导体部件（2）上的Anschlusstr BEAR布置GER（9）被指定时，一个装置，其中所述光电子半导体器件一个Halbleiterk＆OUML;具有用于产生主体（20） 和/或用于接收辐射提供的有源区域（23）。 光电子半导体部件具有模制主体（4），第一电触点（55）和第二电触点（56）延伸通过该模制主体（4）以用于半导体主体的电接触。 模制体具有在横向上限制半导体器件的侧表面（40）。 连接纵梁和模制体的侧面至少部分地被不透辐射的覆盖层（7）覆盖，

    BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
    40.
    发明申请
    BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
    COMPONENT和方法的用于制造部件

    公开(公告)号：WO2017060355A1

    公开(公告)日：2017-04-13

    申请号：PCT/EP2016/073883

    申请日：2016-10-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  RAFAEL, Christine ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

    IPC: H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Bauelement (100)mit einem Halbleiterkörper (2), einem Träger (1) und einer in vertikaler Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordneten Stabilisierungsschicht (3) angegeben, wobei - der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Halbleiterschicht (21), eine dem Träger zugewandte zweite Halbleiterschicht (22) und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, - der Träger einen ersten Durchkontakt (41) und einen durch einen Zwischenbereich (40) von dem ersten Durchkontakt lateral beabstandeten zweiten Durchkontakt (42) aufweist, wobei der erste Durchkontakt mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist und der zweite Durchkontakt mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbundenist, und - die Stabilisierungsschichtzusammenhängend ausgebildetist, in Draufsicht Überlappungen mit den Durchkontakten (41, 42) aufweist und den Zwischenbereich lateral überbrückt, wobei die Stabilisierungsschicht von den Durchkontakten sowie von dem Halbleiterkörper elektrisch isoliert ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben, bei dem der Träger (1) schrittweise am Halbleiterkörper (2) ausgebildet wird.

    Abstract translation: 本发明公开了包括半导体主体（2），支撑装置（100）（1）和，布置在所述半导体本体和支撑稳定层之间的垂直方向（3），其特征在于， - 所述半导体主体是从载体第一半导体层的远程（21） 具有面向第二半导体层（22）和设置在第一半导体层和第二半导体层的有源层（23）之间的穿着者; - 所述载体具有第一接触（41）和一个通过经由侧向所述第一的中间区域（40） 包括间隔开的第二接触（42），其特征在于，经由与导电地连接在所述第一半导体层，并且通过与所述第二半导体层接触的第二第一导电连接，以及 - 形成，所述稳定层是连续的，在平面图中，重叠与通过接触件（41,42） 和Zwischenbereic 横架小时，其中所述稳定层是从通孔以及在半导体本体电绝缘。 此外，提供了一种用于制造这样的器件的方法，形成了其中所述支承件（1）一步一步地半导体本体（2）。

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