公开(公告)号：WO2018041641A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2017/070853

申请日：2017-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  RAFAEL, Christine ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer darauf angeordneten Halbleiterschichtenfolge (10) erfolgt, welche zur Emission von Licht geeignet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) zumindest einen Trenngraben (3) umfasst, welcher sich zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge (10) von einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10) in Richtung des Aufwachssubstrats (2) erstreckt. In einem Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen einer Lackstruktur (4) im Trenngraben (3). In einem Verfahrensschritt C) erfolgt ein Anordnen eines Vergusses (6) auf der dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass der Verguss (6) mit zumindest einem Teil der Lackstruktur (4) seitlich in Kontakt ist.

Abstract translation:

它提供了一种用于制造光电子半导体器件，其特征在于，在方法步骤A）提供（2），其具有设置在其上的半导体层序列（10），其适合于发射光的生长衬底的方法， 其中半导体层序列（10）包括（3）通过半导体层序列（10）至少部分地延伸从生长衬底（2）侧（10a）的背向至少一个划界沟槽，所述的在生长衬底的方向半导体层序列（10）（2）。 在方法步骤B）中，在分离槽（3）中布置漆结构（4）。 在方法步骤C）上设置灌封化合物（6）在（背向生长衬底2）开出半导体层序列（10）的地方侧（10A），使得所述封装（6）与至少（在接触的一侧的抗蚀剂图案4）的一部分 是

公开(公告)号：WO2017072074A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/075555

申请日：2016-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN, Berthold ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), wobei die aktive Schicht (10) dazu eingerichtet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Weiter umfasst das Bauelement (100) eine erste Kontaktstruktur (11) und eine zweite Kontaktstruktur (12), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch kontaktierbar ist. Im Betrieb sind die Kontaktstrukturen (11, 12) mit einer Spannung beaufschlagt, wobei sich eine betriebsbedingte Spannungsdifferenz ΔU bet zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) ausbildet. Bei Erhöhung der Spannungsdifferenz tritt ein erster Überschlag in oder an dem Bauelement (100) zwischen den beiden Kontaktstrukturen (11, 12) auf. Eine bei dem ersten Überschlag entstehende Funkenstrecke (3) zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) verläuft dabei überwiegend durch ein Umgebungsmedium in Form von Gas oder Vakuum und/oder durch einen Verguss. Der erste Überschlag tritt frühestens bei einer Spannungsdifferenz von 2∙ΔU bet auf.

Abstract translation: 一种光电子器件（100）包括具有有源层（10）的半导体层序列（1），其中有源层（10）适于在正常操作期间产生电磁辐射 或吸收。 此外，部件（100）包括第一接触结构（11）和第二接触结构（12），半导体层序列（1）可以在期望的操作期间通过该第一接触结构和第二接触结构电接触。 在操作中，接触结构（11,12）经受电压，其中在接触结构（11,12）之间形成操作电压差ΔUmin。 随着电压差增大，第一翻转发生在两个接触结构（11,12）之间的装置（100）中或上。 在第一转向过程中在接触结构（11,12）之间出现的火花隙（3）主要通过气体或真空形式的环境介质和/或通过灌封。 第一次翻转最早出现在电压差为2？ΔU _{bet 的地方。}

公开(公告)号：WO2015154956A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/055671

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIMAR, Andreas ,  SINGER, Frank ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  VOM DORP, Sabine

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/02 ,  H01S5/068 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0292 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/06825 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen angegeben, mit einem Halbleiterkörper (1) mit einer ersten Hauptoberfläche (12) und einer der ersten Hauptoberfläche (12) gegenüber liegend angeordneten zweiten Hauptoberfläche (13), wobei der Halbleiterkörper (1) einen p-dotierten Teilbereich (2), der einen Teil der ersten Hauptoberfläche (12) bildet, und einen n-dotierten Teilbereich (3), der einen Teil der zweiten Hauptoberfläche (13) bildet, aufweist, und einem metallischen Kontaktelement (7), das von der ersten Hauptoberfläche (12) zur zweiten Hauptoberfläche (13) reicht und das von einem der Teilbereiche (2, 3) elektrisch getrennt ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 公开了一种用于防止静电放电保护的半导体芯片（10），具有半导体主体（1）具有第一主表面（12）和所述第一主表面（12）相对布置的第二主表面（13）中的一个，其中，所述半导体主体（1） 形成第一主表面（12）的一部分的p-掺杂的部分（2），和形成在第二主表面（13）的一部分的n型掺杂的子区域（3），和一个金属接触元件（7） 从所述第一主表面（12）延伸到所述第二主表面（13），并且所述部分中的一个（2，3）被电分离。 此外，随着半导体芯片和用于制造半导体芯片的制造方法的光电器件可以给出。

公开(公告)号：WO2023025453A1

公开(公告)日：2023-03-02

申请号：PCT/EP2022/069441

申请日：2022-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROOTOONK, Björn ,  MEYER, Tobias ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HARTMANN, Rainer ,  OTTO, Isabel ,  SCHOLZ, Dominik

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Schichtenstapel (20) für einen Halbleiterchip (21) angegeben, der Schichtenstapel (20) umfassend eine Halbleiterschicht (22) mit einem ersten Bereich (23), einem zweiten Bereich (24) und einem aktiven Bereich (25) zwischen dem ersten Bereich (23) und dem zweiten Bereich (24), mindestens eine Zwischenschicht (26), die die Halbleiterschicht (22) stellenweise bedeckt, und eine Seitenkante (27) der Halbleiterschicht (22), wobei sich die Seitenkante (27) quer oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Schichtenstapels (20) erstreckt, wobei der erste Bereich (23) mit einem ersten Dotierstoff dotiert ist und der zweite Bereich (24) mit einem zweiten Dotierstoff dotiert ist, der erste Bereich (23) einen Kontaktbereich (28) aufweist, die Zwischenschicht (26) über dem Kontaktbereich (28) eine sich in einer Stapelrichtung (z) erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, wobei die Stapelrichtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Schichtenstapels (20) verläuft, und der Schichtenstapel (20) eine Deckschicht (30) aufweist, welche mindestens ein Metall aufweist, wobei die Deckschicht (30) den Kontaktbereich (28), die Seitenkante (27), die Zwischenschicht (26) und Seitenwände in der Ausnehmung (29) der Zwischenschicht (26) zumindest stellenweise bedeckt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtenstapels (20) für einen Halbleiterchip (21) angegeben.

公开(公告)号：WO2017036841A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/069813

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/642

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, einen Träger (10), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, eine p-Kontaktschicht (6) und eine n-Kontaktschicht (8, 8A), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, eine metallische Verstärkungsschicht (14), welche zumindest bereichsweise zwischen der n-Kontaktschicht (8, 8A) und dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die metallische Verstärkungsschicht (14) mindestens 5 pm dick ist, und mindestens eine p-Kontaktdurchführung (7), welche zwischen der ersten Durchkontaktierung (11) und der p-Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei die p-Kontaktdurchführung (7) mindestens 5 pm dick ist und in lateraler Richtung zumindest bereichsweise von der Verstärkungsschicht (14) umgeben ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（1）（2），载体（10），其具有塑料和通过（11）的第一和经由第二的光电子半导体器件（100）（12） 一个p型接触层（6），并且至少在所述载体（10）和半导体主体之间的区域（1）被布置成一个n型接触层（8，8A），金属加强层（14），其至少在n之间的区域 接触层（8，8A）和所述支撑件（10）布置，其特征在于，通孔（11）设置在所述第一之间的金属增强层（14）m厚至少为5，和至少一个p型接触衬套（7）和p 设置接触层（6），其特征在于，通过（7）至少5μmp接触厚和至少在所述加强层（14）的区域中包围在横向方向上。 此外，被指定用于制造这样的光电子半导体器件（100）的有利方法。

公开(公告)号：WO2021144110A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2020/086738

申请日：2020-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  MEYER, Tobias ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend - eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen p-Typ Halbleiterbereich (3), einen n-Typ Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (3) und dem n-Typ Halbleiterbereich (5) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, - eine dielektrische Passivierungsschicht (7), welche zumindest teilweise auf eine Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist und an der Seitenflanke (6) an die aktive Schicht (4) angrenzt, und - eine Stabilisierungsschicht (8), die an die dielektrische Passivierungsschicht (7) angrenzt und im Bereich des n-Typ Halbleiterbereichs (5) an die Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) angrenzt, wobei die Stabilisierungsschicht (8) ein Metall oder ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

公开(公告)号：WO2016202978A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/064002

申请日：2016-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/38 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/05 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2933/0016

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Strahlungshauptseite (101), umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (2), die zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, und einen strukturierten Träger (1), der an der Strahlungshauptseite (101) abgewandten Seite des Halbleiterchips (100) angeordnet ist, wobei eine p-dotierte Halbleiterschicht (23) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer ersten Anschlussschicht (3) elektrisch kontaktiert ist und eine n-dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer zweiten Anschlussschicht (4) elektrisch kontaktiert ist, und wobei die erste Anschlussschicht (3) mittels einer ersten Kontaktschicht (5) elektrisch kontaktiert ist und die zweite Anschlussschicht (4) mittels einer zweiten Kontaktschicht (6) elektrisch kontaktiert ist, wobei die erste Kontaktschicht (5) und die zweite Kontaktschicht (6) den strukturierten Träger (1) vollständig durchdringen und die erste Kontaktschicht (5) lateral beabstandet zur zweiten Kontaktschicht (6) angeordnet ist, und wobei der strukturierte Träger (1) ein stabilisierendes Material umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die einen Fotolack, ein anorganisch-organisches Hybridmaterial, ein spin-on Material, ein mittels Siebdruckverfahren aufgebrachtes Isolationsmaterial, und ein dielektrisches Material umfasst.

Abstract translation: （1），（101）设置在具有辐射主侧（101），包括：半导体层序列（2），其适于辐射的发射的光电子半导体芯片（100），和一个结构化载体从辐射主侧背对半导体芯片（100）的侧 ，其中通过第一连接层（3）的装置中的半导体层序列（2）的p型掺杂的半导体层（23）电接触，并且通过第二连接层的装置中的半导体层序列（2）的n型掺杂半导体层（21）（4）被电接触 以及其中，由第一接触层（5）的装置中的第一连接层（3）电接触，并通过第二接触层的装置中的第二连接层（4）（6）被电与第一接触层接触（5）和所述第二接触层（6 ）完全穿透该结构化载体（1）和所述第一接触层（5）横向地从所述ZW隔开 尼特接触层（6）布置，并且其中所述结构化载体（1）包括从由光致抗蚀剂组成的组中的稳定材料，无机 - 有机混合材料，旋涂材料，施加的丝网印刷法的绝缘材料， 和包括介电材料。

公开(公告)号：WO2011012446A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/EP2010/060077

申请日：2010-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

Inventor： MAUTE, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elektromagnetische Strahlung durch eine Strahlungsauskoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.

Abstract translation: 它是指定的发光二极管芯片，包括： - 一个半导体主体（1），具有第一（1A）和第二区域（1B）; - 通过辐射在电磁辐射的LED芯片（100）的操作发出所述半导体主体（1）内的活性区域（2），其通过所述半导体主体（1）的第一主表面（111）形成至少局部地（11）; - 至少一个沟槽（3）在半导体本体（1）与半导体本体的部分（1）的在沟槽的区域中除去， - 所述至少一个沟槽（3），至少直到所述有源区（2）延伸， - 至少 的沟槽（3）完全包围在横向方向上的第一区域（1A），以及 - 第二部分（1B）完全包围所述至少一个沟槽（3）和在横向方向上的第一区域（1A）。

公开(公告)号：WO2010017793A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：PCT/DE2009/000989

申请日：2009-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEIMAR, Andreas ,  FISCHER, Helmut ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

Inventor： WEIMAR, Andreas ,  FISCHER, Helmut ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Träger (3), - einer reflektierenden Schicht (1), die ein zur Migration neigendes Metall enthält, wobei die reflektierende Schicht (1) auf dem Träger (3) angeordnet ist, - einem Halbleiterkörper (2), der an der dem Träger (3) abgewandten Seite der reflektierenden Schicht (1) angeordnet ist und die reflektierende Schicht (1) an einer Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überragt, und - einer Migrationssperre (4), welche die Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überdeckt, wobei die Migrationssperre (4) ein Metall enthält.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 载体（3）， - 反射层（1）含有朝向金属的迁移，其中，在所述支撑件（3）的反射层（1）被布置在趋向， - 一个半导体主体 （2），反射层（1）的（3）上面向远离所述支撑侧的位置，和在所述反射层（1）的突出端，和一个侧表面（1a）的反射层（1） - 迁移屏障（4） 反射层的侧表面（1A）（1）覆盖，所述迁移屏障（4）包含金属。

公开(公告)号：WO2009140939A3

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：PCT/DE2009/000576

申请日：2009-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  WEIMAR, Andreas ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  EICHINGER, Christian ,  NEVELING, Kerstin

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  WEIMAR, Andreas ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  EICHINGER, Christian ,  NEVELING, Kerstin

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einer ersten Kontaktstelle (1) und einer zweiten Kontaktstelle (2), - einer reflektierenden Schicht (3), die direkt elektrisch leitend an die zweite Kontaktstelle angeschlossen ist, wobei - die reflektierende Schicht ein zur Migration neigendes Metall enthält und - die reflektierende Schicht derart angeordnet ist, dass sich für das Metall ein Migrationspfad (4) zwischen der zweiten und der ersten Kontaktstelle ausbilden kann, wobei - am Halbleiterchip ein Mittel (6) vorgesehen ist, das im Betrieb des Halbleiterchips ein elektrisches Feld ausbildet, das der Migration des Metalls entgegenwirkt.