公开(公告)号：WO2021144110A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2020/086738

申请日：2020-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  MEYER, Tobias ,  MÜLLER, Christian

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend - eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen p-Typ Halbleiterbereich (3), einen n-Typ Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (3) und dem n-Typ Halbleiterbereich (5) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, - eine dielektrische Passivierungsschicht (7), welche zumindest teilweise auf eine Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist und an der Seitenflanke (6) an die aktive Schicht (4) angrenzt, und - eine Stabilisierungsschicht (8), die an die dielektrische Passivierungsschicht (7) angrenzt und im Bereich des n-Typ Halbleiterbereichs (5) an die Seitenflanke (6) der Halbleiterschichtenfolge (2) angrenzt, wobei die Stabilisierungsschicht (8) ein Metall oder ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

公开(公告)号：WO2020212252A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/EP2020/060191

申请日：2020-04-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MEYER, Tobias

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48

Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben aufweisend - einen Halbleiterkörper (2) umfassend einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps sowie eine erste Oberfläche (2A) und eine von der ersten Oberfläche (2A) verschiedene zweite Oberfläche (2B), - eine erste Kontaktstruktur (6) zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs (3) und eine zweite Kontaktstruktur (10) zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs (5), wobei die erste und zweite Kontaktstruktur (6, 10) jeweils einen ersten, auf der ersten Oberfläche (2A) angeordneten Anschlussbereich (7, 11) und jeweils einen zweiten, auf der zweiten Oberfläche (2B) angeordneten Anschlussbereich (8, 12) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) von außen aufweisen, wobei der erste und zweite Anschlussbereich (7, 8) der ersten Kontaktstruktur (6) und der erste und zweite Anschlussbereich (11, 12) der zweiten Kontaktstruktur (10) jeweils hinsichtlich einer Symmetrieachse (D) drehsymmetrisch ausgebildet sind.

公开(公告)号：WO2014173950A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/058240

申请日：2014-04-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LÖFFLER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  BAUER, Adam ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst eine Halbleiter- Schichtstruktur (100), die eine Quantenfilmstruktur als aktive Schicht (140) und eine p-dotierte Schicht (160) aufweist, die oberhalb der Quantenfilmstruktur (140) angeordnet ist. Die p-dotierte Schicht (160) umfasst mindestens eine erste Teilschicht (161) und eine zweite Teilschicht (162). Die zweite Teilschicht (162) weist einen höheren Dotiergrad (323) auf als die erste Teilschicht (161).

Abstract translation: 光电子器件（10）包括一具有一量子阱结构作为有源层（140）和p掺杂层（160）布置在所述量子阱结构（140）上方的半导体层结构（100）。 p掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二局部层（162）。 第二子层（162）具有比所述第一部分层（161）高的掺杂（323）。

公开(公告)号：WO2014166764A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/EP2014/056328

申请日：2014-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LOEFFLER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  BAUER, Adam ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L25/167 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufwachsen einer ersten Schicht, zum Durchführen eines Ätzprozesses,um V-Defekte anzulegen, zum Aufwachsen einer zweiten Schicht, und zum Aufwachsen einer Quantenfilmstruktur.

Abstract translation: 制造光电子半导体芯片的方法，包括提供用于生长的第一层，执行蚀刻工艺，以创建V缺陷，在第二层的生长，并生长的量子阱结构的衬底的步骤。

公开(公告)号：WO2011080144A3

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/EP2010/070274

申请日：2010-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PETER, Matthias ,  MEYER, Tobias ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  TAKI, Tetsuya ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  WALTER, Alexander

Inventor： PETER, Matthias ,  MEYER, Tobias ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  TAKI, Tetsuya ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  WALTER, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/12

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0

公开(公告)号：WO2020187533A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/EP2020/054893

申请日：2020-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER, Tobias ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Sortieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10) angegeben. Die Halbleiterbauelement (10) weisen jeweils einen aktiven Bereich (100) zur Emission oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung auf. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: - Einbringen der Halbleiterbauelemente (10) in einen Sortierbereich (2) auf einer vorgegebenen Bahn (3), - Bestrahlung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) mit elektromagnetischer Strahlung (50) eines ersten Wellenlängenbereichs zur Erzeugung von Dipolmomenten durch Ladungstrennung in den aktiven Bereichen (100) der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10), und - Ablenkung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) von der vorgegebenen Bahn (3) in Abhängigkeit ihres Dipolmoments mittels eines inhomogenen elektromagnetischen Feldes (60). Es wird weiterhin eine Vorrichtung zum Sortieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10) angegeben.

公开(公告)号：WO2016156312A9

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/EP2016/056794

申请日：2016-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRAI, Asako ,  MEYER, Tobias ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter ,  NIRSCHL, Anna ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  NIEBLING, Tobias ,  GALLER, Bastian

IPC: H01L33/06

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

Abstract translation:

在光电子半导体芯片的示范性导航用途引导形状（1）包括具有多量子阱结构的有源区（3），其包括多个量子阱层（31）和阻挡层（32）（沿生长方向 G）交替地沿着彼此延伸并遍及整个多量子阱结构（3）。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子井结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 量子阱层（31）和/或在运输区域（42）的阻挡层（32）是d导航用途男士设计和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

公开(公告)号：WO2014139893A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/054479

申请日：2014-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZINI, Lorenzo ,  MEYER, Tobias

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben aufweisend wenigstens einen Halbleiterchip (1) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung(6), wobei der Halbleiterchip (1) wenigstens eine Seitenfläche (4) aufweist und wobei ein Teil der elektromagnetischen Strahlung (6) im Betrieb des Halbleiterchips (1) durch die Seitenfläche (4) austritt. Das Halbleiterbauelement weist ferner wenigstens ein Umlenkelement (7) auf, wobei das Umlenkelement (7) strahlungsdurchlässig ausgebildet ist. Das Umlenkelement (7) und der Halbleiterchip (1) sind nebeneinander (11) angeordnet, das Umlenkelement (7) ist an der Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) angeordnet und das Umlenkelement (7) weist ein Material auf,dessen Brechungsindex größer ist als ein mittlerer Brechungsindex eines Halbleitermaterials des Halbleiterchips (1). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 它的光电子半导体器件指定具有至少一个半导体芯片（1），用于发射电磁辐射（6），其中所述半导体芯片（1）的至少一个侧表面（4），并且其中在所述半导体芯片的动作的电磁辐射（6）的部分（1 ）（由侧面4）射出。 该半导体器件还包括至少一个偏转元件（7），其中，所述偏转元件（7）是辐射可透过的。 所述偏转元件（7）和半导体芯片（1）被布置成通过侧（11）侧，所述偏转元件（7）是侧表面（4）上的半导体芯片（1）和所述偏转元件（7）包括其折射率大的材料 被定义为半导体芯片（1）的半导体材料的平均折射率。 此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

公开(公告)号：WO2014111298A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/EP2014/050238

申请日：2014-01-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER, Tobias ,  PETER, Matthias ,  WEBER, Michaela ,  GOTSCHKE, Tobias ,  OFF, Jürgen

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子半导体芯片包括具有用于产生光辐射和一个转换结构（120，125）的有源区（135）的半导体层序列（130）。 转换结构（120，125）包括转换区域（121，126，221），用于将nichtkonvertierende区域（122，127，222）被布置在它们之间产生的光辐射。 本发明还涉及一种制造光电半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2023025453A1

公开(公告)日：2023-03-02

申请号：PCT/EP2022/069441

申请日：2022-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROOTOONK, Björn ,  MEYER, Tobias ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HARTMANN, Rainer ,  OTTO, Isabel ,  SCHOLZ, Dominik

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Schichtenstapel (20) für einen Halbleiterchip (21) angegeben, der Schichtenstapel (20) umfassend eine Halbleiterschicht (22) mit einem ersten Bereich (23), einem zweiten Bereich (24) und einem aktiven Bereich (25) zwischen dem ersten Bereich (23) und dem zweiten Bereich (24), mindestens eine Zwischenschicht (26), die die Halbleiterschicht (22) stellenweise bedeckt, und eine Seitenkante (27) der Halbleiterschicht (22), wobei sich die Seitenkante (27) quer oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Schichtenstapels (20) erstreckt, wobei der erste Bereich (23) mit einem ersten Dotierstoff dotiert ist und der zweite Bereich (24) mit einem zweiten Dotierstoff dotiert ist, der erste Bereich (23) einen Kontaktbereich (28) aufweist, die Zwischenschicht (26) über dem Kontaktbereich (28) eine sich in einer Stapelrichtung (z) erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, wobei die Stapelrichtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Schichtenstapels (20) verläuft, und der Schichtenstapel (20) eine Deckschicht (30) aufweist, welche mindestens ein Metall aufweist, wobei die Deckschicht (30) den Kontaktbereich (28), die Seitenkante (27), die Zwischenschicht (26) und Seitenwände in der Ausnehmung (29) der Zwischenschicht (26) zumindest stellenweise bedeckt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtenstapels (20) für einen Halbleiterchip (21) angegeben.