УСТРОЙСТВО С МЕМБРАННОЙ КОНСТРУКЦИЕЙ ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

    公开(公告)号:RU2468346C2

    公开(公告)日:2012-11-27

    申请号:RU2009144001

    申请日:2008-05-28

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Изобретениеотноситсяк теплометриии можетбытьиспользованоприобнаружениитепловогоизлучения. Устройствосодержитпоменьшеймереоднумембрану, накоторойрасположенпоменьшеймереодиндатчиктепладляпреобразованиятепловогоизлученияв электрическийсигнали поменьшеймереоднуподложкуконтура, несущуюмембрану, ипоменьшеймереодинсчитывающийконтурдлясчитыванияэлектрическогосигнала. Датчикэлектрическисвязанчерезмембранусосчитывающимконтуромпосредствомсквозногоконтакта. Изобретениетакжеотноситсяк способуизготовленияуказанногоустройства, содержащемуследующиешаги: берутмембранус датчикоми поменьшеймереоднимсквознымэлектрическимконтактом, атакжеподложкуконтураи собираютмембрануи подложкуконтуратакимобразом, чтопроходящийчерезмембранусквознойконтактзамыкаетэлектрическуюцепьмеждудатчикоми считывающимконтуром. Предпочтительноустройстваизготавливаютв видесхемнаобщихпластинах. Такиефункциональныекремниевыепластинысобираютв стопу, надежносоединяют, азатемотдельныеготовыеустройстваразделяют. Вкачестведатчиковпредпочтительноиспользуютпироэлектрическиедатчики. Устройство, согласноизобретению, используютв качестведатчикадвижения, датчикаприсутствияи вкачестветепловизоров. Техническийрезультат: повышениеточностии информативноститеплометрическихизмерений. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

    Kompakter Infrarotlichtdetektor und Verfahren zur Herstellung desselben sowie ein Infrarotlichtdetektorsystem mit dem Infrarotlichtdetektor

    公开(公告)号:DE102009037111A1

    公开(公告)日:2011-03-17

    申请号:DE102009037111

    申请日:2009-08-11

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Ein Infrarotlichtdetektor weist einen Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Schichtelement (5) auf, mindestens ein elektronisches Bauteil (17, 18), das eine Ausleseschaltung bildet, und eine Trägermembran (2) auf, an der der Sensorchip (4) befestigt sowie das elektronische Bauteil (17, 18) derart integriert angebaut ist, dass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Schichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist.

    Infrarotlichtsensor mit hoher Signalspannung und hohem Signal-Rausch-Verhältnis, sowie Infrarotlichtdetektor mit dem Infrarotlichtsensor

    公开(公告)号:DE102009017845A1

    公开(公告)日:2010-10-21

    申请号:DE102009017845

    申请日:2009-04-17

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Ein Infrarotlichtsensor für einen Infrarotlichtdetektor (1) weist einen Trägermembranabschnitt (2) sowie mindestens zwei Sensorchips (7 bis 10), die nebeneinanderliegend an dem Trägermembranabschnitt (2) befestigt sind und jeweils ein aus pyroelektrisch sensitivem Material hergestelltes Schichtelement (11) aufweisen, das von einer Basiselektrode (12) und einer Kopfelektrode (13) elektrisch kontaktiert und derart eingerichtet ist, dass zwischen der Kopfelektrode (13) und der Basiselektrode (12) eines jeden Schichtelements (11) jeweils eine Differenzspannung anliegt, wenn die Schichtelemente (11) mit Infrarotlicht bestrahlt sind, und jeweils für zwei benachbart angeordnete Sensorchips (7 bis 10) eine Kopplungsleitung (14 bis 16) auf, mit der die Kopfelektrode (13) des einen Sensorchips (7 bis 9) und die Basiselektrode (12) des anderen Sensorchips (8 bis 10) elektrisch leitend miteinander gekoppelt sind, so dass die Schichtelemente (11) der Sensorchips (7 bis 10) in einer Reihenschaltung geschaltet sind, die an ihrem einen Ende eine der Basiselektroden (17) und an ihrem anderen Ende eine der Kopfelektroden (18) aufweist, an denen eine Gesamtdifferenzspannung der Reihenschaltung als Summe der einzelnen Differenzspannungen der Schichtelemente (11) abgreifbar ist.

    35.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102007024903B4

    公开(公告)日:2009-05-07

    申请号:DE102007024903

    申请日:2007-05-29

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: In a device for the detection of thermal radiation and a method for production of such a device, a stack is formed with a detector support having a detector element for converting the thermal radiation into an electric signal, a circuit support with a read-out circuit for reading out the electrical signal and a cover to shield the detector element. The detector support and the cover are so arranged that a first stack cavity is formed between the detector element and the cover and a second stack cavity is formed between detector support and the circuit support. The first stack cavity and/or the second stack cavity is evacuated and hermetically sealed. In the manufacturing operation, functionalized silicon-substrates are stacked upon one another, firmly bonded together and subsequently sub-divided. Preferably, the detector elements are pyro-electric detector elements. The device finds application in motion detectors, presence reporters and thermal-image cameras.

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