公开(公告)号：FR2855323A1

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：FR0306031

申请日：2003-05-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DELPECH PHILIPPE ,  REGNIER CHRISTOPHE ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/92

公开(公告)号：FR2917231A1

公开(公告)日：2008-12-12

申请号：FR0755553

申请日：2007-06-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  DELPECH PHILIPPE ,  BRUYERE SYLVIE

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/06

Abstract: La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique doté d'au moins un condensateur à 2 ou 3 dimensions comprenant les étapes consistant à :- réaliser sur un substrat, une pluralité de composants et k (avec k >= 1) niveaux métalliques superposés d'interconnexions,- réaliser dans une couche isolante formée au-dessus du k niveau métallique d'interconnexions, une zone métallique horizontale d'un (k+1) niveau métallique d'interconnexions dans laquelle un ou plusieurs desdits blocs isolants issus de cette couche isolante sont incorporés, ladite zone étant apte à former une partie d'armature inférieure dudit condensateur.