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公开(公告)号：CN105324329A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480031553.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/0132 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 公开了用于制造CMOS-MEMS装置的系统和方法。局部防护层沉积在层式结构的顶表面上以覆盖电路区域。从层式结构的底侧实施第一局部蚀刻，以便在层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜之下的第一间隙。从层式结构的顶侧实施第二局部蚀刻，以便在MEMS区域内去除MEMS膜和MEMS背板之间的牺牲层的部分。第二局部蚀刻释放MEMS膜，从而MEMS膜可响应于压力而移动。沉积的局部防护层防止第二局部蚀刻蚀刻掉牺牲层的位于层式结构的电路区域内的一部分，且还防止第二局部蚀刻损坏CMOS电路部件。
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公开(公告)号：CN102730627B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210101416.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2201/0257 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81B2203/0376
Abstract: 本发明公开了在基板中形成凹部的方法。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻来形成具有曲面特征的轮廓传递基板表面。该阴影掩模具有通孔，通孔的下部与阴影掩模的底表面相邻，通孔的上部位于上方并且比下部窄。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻能够在底部开口所包围的区域的中央部分中的平面基板中形成弯曲凹部。在移除阴影掩模后，均匀材料层可以在基板的暴露表面上沉积为在基板表面中的弯曲凹部位置处包含曲面特征。
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公开(公告)号：CN105217563A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410241849.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0257 , B81C1/00476 , H01L21/304 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法，包括如下步骤：提供基板，具有第一表面与相对第一表面的第二表面，其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层，其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间，且基底结构配置于黏着层与基板之间；对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺；利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体，对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺，以去除牺牲结构；以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体，对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺，以去除黏着层。
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公开(公告)号：CN104969574A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480003819.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 邹泉波
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00158 , H04R7/14 , H04R19/02 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供一种硅扬声器，包括MEMS声电芯片和PCB基板，其中，该MEMS声电芯片包括在硅基板上的波形振膜，并且该MEMS声电芯片的一面被金属化，并且该MEMS声电芯片的被金属化的一面与该PCB基板连接。该波形振膜与在该MEMS声电芯片上的金属路径导电且互连，并且该波形振膜被引到作为一个电极的第一PCB金属路径。在该MEMS芯片下方的第二PCB金属路径构成静电致动器的另一电极。本发明提供的硅扬声器降低扬声器的制造成本，并使得该振膜在发生大的位移时产生高的且可重复、可靠的声压，提高了扬声器的声效。
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公开(公告)号：CN104956472A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380066286.7
申请日：2013-12-18
Applicant: 美商楼氏电子有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H02H9/04 , B81B3/0027 , B81B2201/0257 , H01L27/0248 , H01L27/0266 , H01L29/7816 , H02H9/046 , H02M3/07 , H04R1/04 , H04R2201/003
Abstract: 一种电子芯片包括电荷泵和至少一个高压HV静电放电ESD模块。电荷泵被配置为提供麦克风两端的预定电压。本文描述的器件在标准低压CMOS工艺中实现并且具有提供内在ESD保护电平(当断电时)的电路拓扑，内在ESD保护电平高于工作(预定)DC电平。至少一个高压HV静电放电ESD模块连接至电荷泵的输出。HV ESD模块被配置为针对电荷泵和连接至该芯片的微机电系统MEMS麦克风提供ESD保护。所述至少一个HV ESD模块包括多个PMOS晶体管或NMOS晶体管，所述多个PMOS晶体管或NMOS晶体管具有在PMOS晶体管或NMOS晶体管中的选择的晶体管内形成的至少一个高压NWELL/DNWELL区。所述至少一个高压NWELL/DNWELL区具有足够的击穿电压以使得能够使用低压工艺来构造该芯片并且还使得HV ESD模块能够为该芯片提供ESD保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104883651A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510063342.2
申请日：2015-02-06
Applicant: 先技股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H04R2201/003
Abstract: 一种微机电麦克风装置，包括基板、微机电麦克风薄膜与氧化层。基板具有第一凹陷部。微机电麦克风薄膜位于基板上方且覆盖第一凹陷部并定义出第一空腔，微机电麦克风薄膜包括弹性部与结合部。弹性部位于微机电麦克风薄膜的中央位置，且被多个第一沟槽包围，所述多个第一沟槽彼此分离地沿弹性部的边缘排列并贯穿弹性部的相对两面。结合部位于微机电麦克风薄膜的边缘位置，连接弹性部。氧化层具有第二凹陷部，连接微机电麦克风薄膜的结合部，第二凹陷部暴露出至少部分的微机电麦克风薄膜。
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公开(公告)号：CN104661164A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410669017.6
申请日：2014-11-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： C·Y·黄
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H04R19/04 , H04R2499/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一半导体裸片上实现的麦克风模块和在第二半导体裸片上实现的信号处理模块。麦克风模块包括布置在第一半导体裸片的主侧的可移动麦克风元件，并且第二半导体裸片安装在第一半导体裸片的主侧。
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公开(公告)号：CN104418288A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410423101.X
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B7/0009 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81C1/00476
Abstract: 公开了用于制造MEMS器件的方法以及MEMS器件。用于制造MEMS器件的方法，包括：在与牺牲层相邻的层内提供腔体。所述腔体延伸到所述牺牲层，并且包括伸出到层中的毛细槽。通过将所述牺牲层暴露于通过所述腔体所引入的刻蚀剂来去除所述牺牲层。
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公开(公告)号：CN104254045A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410283528.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0257 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C1/00301 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/8592 , H01L2924/10158 , H01L2924/16195 , H04R1/086 , H04R19/005 , H04R19/04 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件，其中预制模包括弯曲引线框和模主体，其中模主体被模制来用于至少部分地封装弯曲引线框，从而构建预制模的空腔，该空腔用于容纳麦克风，并且其中预制模包括能传送声波的通孔。
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公开(公告)号：CN104203806A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380019462.1
申请日：2013-03-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R17/005 , B81B3/007 , B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种微机电的膜片装置，所述微机电的膜片装置具有：基片，所述基片在表面上具有多个空隙；能够导电的第一电极层，所述第一电极层布置在所述基片的表面上并且所示第一电极层具有多个与所述空隙相一致的第一凹部；以及能够沿着与所述基片的有效的表面垂直的方向偏移的并且能够导电的膜片层，所述膜片层布置在所述第一电极层的上方并且以第一间距值与所述第一电极层隔开。
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