公开(公告)号：CN101786594A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010001420.3

申请日：2010-01-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

公开(公告)号：CN1230376C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN01122015.5

申请日：2001-06-22

Applicant: 兰道克斯实验有限公司

Inventor： 哈罗德·S·冈布尔 ,  S·J·内尔·米切尔 ,  安德尔泽·普鲁查斯卡 ,  斯蒂芬·皮特·非茨杰拉尔德

IPC: B81B3/00 ,  B41J2/01 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0146

Abstract: 一种在圆片中蚀刻出空腔之后，利用精密磨削技术制造膜片的方法。公开了一种基于多孔硅牺牲层的使用，防止膜片变形的技术。

公开(公告)号：CN1657401A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009071.9

申请日：2005-02-17

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 胡贝特·本泽勒 ,  格哈德·拉梅尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法，其中，半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里，为了制造，在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是，接下来通过一个沟槽蚀刻工艺，从背侧直接在该多孔的第一层下面，在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是：该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。

公开(公告)号：KR100977888B1

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020047001817

申请日：2002-07-25

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 벤첼후베르트 ,  베버헤리베르트 ,  아트만한스 ,  판넥토어스텐 ,  샤퍼프랑크

IPC: H01L29/78

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: In a method for manufacturing a semiconductor component having a semiconductor substrate, a flat, porous diaphragm layer and a cavity underneath the porous diaphragm layer are produced to form unsupported structures for a component. In a first approach, the semiconductor substrate may receive a doping in the diaphragm region that is different from that of the cavity. This permits different pore sizes and/or porosities to be produced, which is used in producing the cavity for improved etching gas transport. Also, mesopores may be produced in the diaphragm region and nanopores may be produced as an auxiliary structure in what is to become the cavity region.

公开(公告)号：KR1020030070907A

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：KR1020037008331

申请日：2001-12-06

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 벤첼후베르트 ,  베버헤리베르트 ,  쉐퍼프랑크

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  Y10S438/96

Abstract: 본 발명은 반도체 부품(300; 400; 500; 600; 700; 800; 900; 1000; 1100), 특히 다층 반도체 부품을 제조하기 위한 방법, 및 이 방법에 따라 제조된 반도체 부품에 관한 것으로서, 이 반도체 부품은 해당 독립항의 도입부에 따른 가동부 또는 진동 구조물(501, 502; 601, 702)을 갖는다.
본 발명에 따른 방법에서는, 특히 가속도 센서 또는 회전 센서와 같이 단결정 진동 구조물(501, 502; 601, 702)을 포함하는 마이크로 역학적 부품을 표면 마이크로 메카닉 테크닉을 통해 간단하게 저비용으로 제작하기 위해서, 제1 단계에서 다공성의 제1 층(301; 901)이 반도체 부품 내에 형성되고, 제2 단계에서 반도체 부품 내에서 다공성의 제1 층(301)에 또는 제1 층의 하단에 중공 또는 공동(302; 1101)이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020170030059A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：KR1020160115281

申请日：2016-09-07

Applicant: 니바록스-파 에스.에이.

Inventor： 뒤부아필리쁘

IPC: G04B13/02 ,  B32B17/10

CPC classification number: G04B15/14 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00547 ,  B81C1/00714 ,  B81C1/00992 ,  B81C2201/0115 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C23C14/0611 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/10 ,  C23C14/12 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/45525 ,  C25F3/02 ,  C25F3/12 ,  G04D3/0069

Abstract: 실리콘기재기판 (1) 으로부터시작하는마이크로기계시계부품을제조하기위한방법으로서, a) 결정된깊이의상기실리콘기재기판 (10) 의표면의적어도일부표면상에기공들 (2) 을형성하는단계; 및 b) 다이아몬드, 다이아몬드형탄소 (DLC), 실리콘산화물, 실리콘질화물, 세라믹스, 폴리머들및 이들의혼합물로부터선택된재료로, 기공들 (2) 에서, 기공들 (2) 의깊이와적어도동등한두께의상기재료의층을형성하기위해서, 상기기공들 (2) 을완전히충전하는단계를순서대로포함하는, 마이크로기계시계부품을제조하기위한방법. 발명은또한, 실리콘기재기판 (1) 의표면의적어도일부표면상에, 결정된깊이의기공들 (2) 을갖고, 기공들 (2) 은, 기공들 (2) 의깊이와적어도동등한두께의, 다이아몬드, 다이아몬드형탄소 (DLC), 실리콘산화물, 실리콘질화물, 세라믹스, 폴리머들, 및이들의혼합물들로부터선택되는재료의층으로완전히충전되는, 실리콘기재기판 (1) 을포함하는마이크로기계시계부품과관련된다.

Abstract translation: 一种用于制造微机械时钟部件，从硅支撑衬底（1）开始的方法，a）形成的孔（2）上的至少所述确定的硅基板10中，深度的表面的表面的一部分; 和b）的金刚石，类金刚石碳（DLC），氧化硅，氮化硅，陶瓷，聚合物，和至少等于，孔（2）的材料的从混合物中选择的厚度和其深度，孔（2） 填充所述孔（2）以形成所述材料的层。 本发明还涉及用于制造在硅基衬底1的表面的至少一部分表面上具有确定深度的孔2的硅基衬底1的方法，其中孔2的厚度至少等于孔2的深度， 金刚石，类金刚石碳（DLC），微机械时钟分量含有氧化硅，氮化硅，陶瓷，聚合物，和硅基衬底1被完全充满，从它们的混合物中选择的一种材料的层和 这是相关的。

公开(公告)号：KR100889115B1

公开(公告)日：2009-03-16

申请号：KR1020047004728

申请日：2002-09-27

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 키하매키,주리키

IPC: H01L21/322

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/76286

Abstract: 본 발명은 예비제조된 실리콘 웨이퍼에 공동을 형성하기 위한 방법을 개시하고 있으며, 상기 웨이퍼는 제 1 실리콘층(1), 상기 제 1 실리콘층(1)과 실질적으로 평행하게 위치된 제 2 단결정 실리콘층 또는 소위 구조층(3), 및 상기 제 1 실리콘층(1)과 제 2 단결정 실리콘층(3)의 사이에 위치된 절연층(2)을 포함한다. 본 방법에 따르면, 상기 전도성 실리콘층(1,3)중 하나 이상에 당해 층의 두께를 통하여 연장되는 접근창(4)이 형성되고, 형성된 상기 접근창(4)을 통하여 상기 층으로 흐르는 에칭제로서 상기 절연층(2)에 공동이 에칭된다. 본 발명에 따르면, 상기 접근창(4)의 제조 단계에 이어서, 그리고 상기 에칭 단계 이전에, 상기 에칭제가 다공성 박층을 통과하여 에칭되는 상기 공동(6)속으로 흐를 수 있도록, 처리될 표면상에 다공성 박층(5)이 형성되고, 상기 공동(6)이 에칭된 직후, 상기 다공층의 물질이 기체에 대해 비투과성이 되도록 하기 위하여, 하나 이상의 보완층(7)이 적층된다.

公开(公告)号：JP5355392B2

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：JP2009517058

申请日：2007-05-04

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： フクス ティノ ,  ライネンバッハ クリスティーナ

IPC: B81C1/00 ,  B01D39/20

CPC classification number: B81C1/0069 ,  B01D61/243 ,  B01D67/003 ,  B01D67/0058 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/35 ,  B01D2325/028 ,  B01D2325/08 ,  B01D2325/26 ,  B81B2201/10 ,  B81C2201/0115 ,  Y10T428/24893

Abstract: A method for producing a component, and a component, in particular a micromechanical and/or microfluidic and/or microelectronic component, is provided, the component including at least one patterned material region, and in a first step the patterned material region is produced in that microparticles of a first material are embedded in a matrix of a second material, and in a second step the patterned material region is rendered porous by etching using a dry etching method or a gas-phase etching method.

公开(公告)号：JP2010012594A

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：JP2009147930

申请日：2009-06-22

Applicant: Commissariat A L'energie Atomique ,  コミサリア ア レネルジィ アトミークCommissariat A L’Energie Atomique

Inventor： PERRUCHOT FRANCOIS ,  DIEM BERNARD ,  LARREY VINCENT ,  CLAVELIER LAURENT ,  DEFAY EMMANUEL

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00507 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/175 ,  H03H9/2436 ,  Y10S438/933

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electromechanical device, including at least one active element, on at least one substrate.
SOLUTION: The method includes a step for manufacturing a heterogeneous substrate including a first part 1, an interface layer 8, and a second part 9. The first part 1 includes a buried zone 3
1 formed in a first monocrystalline material and the buried zone is formed of a second monocrystalline material 3 so as to make the buried zone selectively corrosive through an opening 20 connecting between the surface 1" and the buried zone, and a trench 26 connecting between the buried zone and the interface layer 8. The method further includes a step for forming at least one cavity 14 by etching at least a part of the buried zone 3
1 .
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在至少一个基板上制造包括至少一个有源元件的机电装置的方法。 解决方案：该方法包括用于制造包括第一部分1，界面层8和第二部分9的异质衬底的步骤。第一部分1包括形成的掩埋区域3 1 在第一单晶材料中，并且所述掩埋区由第二单晶材料3形成，以便通过连接在所述表面1“和所述掩埋区之间的开口20使所述掩埋区选择性腐蚀，以及连接在所述掩埋区之间的沟槽26 该方法还包括通过蚀刻掩埋区域3的至少一部分来形成至少一个空腔14的步骤。版权所有：（C）2010，JPO和INPIT

公开(公告)号：JP2006524323A

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：JP2006505801

申请日：2004-04-16

Applicant: コミサリア、ア、レネルジ、アトミクCommissariat A L’Energie Atomique

Inventor： アストリード、アスティエ ,  ジャン‐ジャック、ヨン ,  ジャン‐ルイ、ウブリエル‐ビュフェ ,  ミシェル、ビラン

IPC: G01J1/02 ,  B81B3/00 ,  G01J5/10 ,  G01J5/20 ,  G01J5/34

CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 吸収メンブレン（１）が、少なくとも１つのハニカム構造体によって基板（２）に対してほぼ平行な仕方で基板（２）の前側フェース上に固定的に浮いた状態で設けられ、ハニカム構造体は、基板（２）のメンブレンを断熱すると共に基板（２）に対してほぼ垂直に位置した平面上に配置されている。 ハニカム構造体をそれぞれアーム（３）の一つと基板（２）との間に設けるのがよい。 ハニカム構造体は、横部材（７）によって又は薄い層で構成されている重ね合わせた列状のアーケードによって分離された複数の薄い重ね合わせ層（６）で構成されたものであるのがよい。 ハニカム構造体は、多孔質プラグ要素を有するのがよい。