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公开(公告)号：CN103193193B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN102311091B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110183266.0
申请日：2011-07-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: A01K11/005 , A61M37/0015 , A61M37/0076 , A61M2037/0046 , A61M2037/0053 , A61M2037/0061 , B81B2201/055 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明提供一种微型针装置的制造方法和一种相应的微型针装置，及其应用。本方法具有下述步骤：在基质（1）上形成具有栅格支架（100’、110’；100’’、110’’；100’’’、110’’’），具有相应的栅格交叉区域（10’a；10’’a；10’’’a）和位于中间的栅格开口（10’b；10’’b；10’’’b）的栅格形的蚀刻掩模（10’；10’’；10’’’）；在使用蚀刻掩模（10’；10’’；10’’’；11’’’；12’’’；13’’’；14’’’）的情况下在基质（1）上实施形成微型针装置（20’；20’’；20’’’；21’’’；22’’’）的蚀刻工序；取下蚀刻掩模（10’；10’’；10’’’；11’’’；12’’’；13’’’；14’’’）。栅格形的蚀刻掩模（10’；10’’；10’’’）在栅格交叉区域（10’a；10’’a；10’’’a）的至少一部分上具有平面的加强区域（115’；115’’a；115’’b），所述栅格交叉区域超出栅格接片（100’、110’；100’’、110’’；100’’’、110’’’）地延伸。
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公开(公告)号：CN104103561A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410354793.7
申请日：2014-07-24
Applicant: 河北神通光电科技有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32431 , B81C1/00531 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明公开了一种用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其系统，所述系统包括：刻蚀腔体、气体产生装置和控制系统，气体产生装置用于将产生的刻蚀气体、氮气和乙醇气体进行混合输入到刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体上设有进气口和出气口，刻蚀腔体内设有旋转平台、加热器和气体匀流装置，进入刻蚀腔体的混合气体通过气体匀流装置进行充分混合，旋转平台上放置有待刻蚀的半导体器件，控制系统控制气体产生装置产生混合气体，混合气体在刻蚀腔体内充分混合，控制系统控制旋转平台转动并控制加热器进行加热。
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公开(公告)号：CN104045053A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310661669.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B7/008 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C1/00539 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C2203/0742 , B81C2203/0778 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02247 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。
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公开(公告)号：CN103443020A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102841444A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210211366.4
申请日：2012-06-21
Applicant: 株式会社日立显示器 , 皮克斯特罗尼克斯公司
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B7/007 , B81B2201/045 , B81C2201/0132 , B81C2201/016
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102311091A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110183266.0
申请日：2011-07-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: A01K11/005 , A61M37/0015 , A61M37/0076 , A61M2037/0046 , A61M2037/0053 , A61M2037/0061 , B81B2201/055 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明提供一种微型针装置的制造方法和一种相应的微型针装置，及其应用。本方法具有下述步骤：在基质（1）上形成具有栅格支架（100′、110′；100″、110″；100″′、110″′），具有相应的栅格交叉区域（10′a；10″a；10″′a）和位于中间的栅格开口（10′b；10″b；10″′b）的栅格形的蚀刻掩模（10′；10″；10″′）；在使用蚀刻掩模（10′；10″；10″′；11″′；12″′；13″′；14″′）的情况下在基质（1）上实施形成微型针装置（20′；20″；20″′；21″′；22″′）的蚀刻工序；取下蚀刻掩模（10′；10″；10″′；11″′；12″′；13″′；14″′）。栅格形的蚀刻掩模（10′；10″；10″′）在栅格交叉区域（10’a；10″a；10″′a）的至少一部分上具有平面的加强区域（115′；115″a；115″b），所述栅格交叉区域超出栅格接片（100′、110′；100″、110″；100″′、110″′）地延伸。
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公开(公告)号：CN1798696B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200480015545.4
申请日：2004-04-26
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , H01H59/0009
Abstract: 制造微机械元件的方法，其中该方法包括下述步骤：提供基础材料层；施加至少一层可蚀刻材料的至少部分牺牲层；图案化至少部分牺牲层，以确定该元件的至少一部分形状；施加至少一层机械材料的结构层；图案化该结构层，以形成该元件的至少一部分；和至少部分除去图案化的至少部分牺牲层，以释放部分脱离的元件。该机械材料选自导电材料。
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公开(公告)号：CN101920928A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010200250.1
申请日：2010-06-09
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC classification number: B81C99/008 , B81B3/0075 , B81B2201/035 , B81C1/00031 , B81C1/00087 , B81C1/00119 , B81C2201/0132 , B81C2201/032 , C25D1/003 , C25D1/20 , C25D5/022 , G04B13/022 , G04B13/026 , G04D3/0069
Abstract: 本发明涉及制造复合微机械部件(41，41’)的方法(1)，包括如下步骤：a)提供(10)基材(9，9’)，该基材包括由导电的可微加工材料制成的水平顶层(21)和水平底层(23)，顶层和底层通过电绝缘的水平中间层(22)彼此紧固；b)在顶层中蚀刻至少一种图案(26)直至中间层，以在基材内形成至少一个腔室(25)；c)在基材的顶部涂覆(16)电绝缘的涂层；d)有方向性地蚀刻(18)涂层和中间层，以将该涂层限制为只存在于在顶层形成的各垂直壁(51，52)上；e)通过将电极与基材的导电的底层连接进行电沉积(5)，以形成复合部件的至少一个金属部分(33，43，43’)；f)从基材释放复合部件。本发明涉及微机械部件领域，特别用于钟表机芯。
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公开(公告)号：CN101808933A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780100824.4
申请日：2007-09-28
Applicant: 高通MEMS科技公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/042 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/0142
Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。
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