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    Membrane structure element and method for manufacturing same
    31.
    发明授权
    Membrane structure element and method for manufacturing same 有权
    膜结构元件及其制造方法

    公开(公告)号：US08057882B2

    公开(公告)日：2011-11-15

    申请号：US12225670

    申请日：2007-03-28

    Applicant: Takayuki Hirano ,  Nobuyuki Kawakami ,  Masato Kannaka

    Inventor： Takayuki Hirano ,  Nobuyuki Kawakami ,  Masato Kannaka

    IPC: B32B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/08 ,  G01F1/692

    CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/0178 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24612

    Abstract: It is intended to provide a membrane structure element that can be easily manufactured, has an excellent insulating property and high quality; and a method for manufacturing the membrane structure element. The manufacturing method is for manufacturing a membrane structure element including a membrane formed of a silicon oxide film and a substrate which supports the membrane in a hollow state by supporting a part of a periphery of the membrane. The method includes: a film formation step of forming a heat-shrinkable silicon oxide film 13 on a surface of a silicon substrate 2 by plasma CVD method; a heat treatment step of performing a heat treatment to cause the thermal shrinkage of the silicon oxide film 13 formed on the substrate 1; and a removal step of removing a part of the substrate 2 in such a manner that a membrane-corresponding part of the silicon oxide film 13 is supported as a membrane in a hollow state with respect to the substrate 2 to form a recessed part 4.

    Abstract translation: 本发明提供可以容易地制造，具有优异的绝缘性和高质量的膜结构元件; 和膜结构元件的制造方法。 该制造方法是用于制造包括由氧化硅膜形成的膜的膜结构元件和通过支撑膜的周边的一部分而将膜支撑在中空状态的基板。 该方法包括：通过等离子体CVD法在硅衬底2的表面上形成热收缩氧化硅膜13的成膜步骤; 对形成在基板1上的氧化硅膜13的热收缩进行热处理的热处理工序; 以及去除基板2的一部分的去除步骤，使得氧化硅膜13的膜相应部分作为相对于基板2的中空状态的膜被支撑以形成凹部4。

    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices
    32.
    发明申请
    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices 有权
    先进的硅基MEMS器件的制造

    公开(公告)号：US20060166403A1

    公开(公告)日：2006-07-27

    申请号：US11242960

    申请日：2005-10-05

    Applicant: Luc Ouellet ,  Robert Antaki

    Inventor： Luc Ouellet ,  Robert Antaki

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/44

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2203/0735

    Abstract: A micro-electro-mechanical (MEM) device and an electronic device are fabricated on a common substrate by fabricating the electronic device comprising a plurality of electronic components on the common substrate, depositing a thermally stable interconnect layer on the electronic device, encapsulating the interconnected electronic device with a protective layer, forming a sacrificial layer over the protective layer, opening holes in the sacrificial layer and the protective layer to allow the connection of the MEM device to the electronic device, fabricating the MEM device by depositing and patterning at least one layer of amorphous silicon, and removing at least a portion of the sacrificial layer. In this way, the MEM device can be fabricated after the electronic device on the same substrate.

    Abstract translation: 通过在公共衬底上制造包括多个电子部件的电子器件，在公共衬底上制造微电子机械（MEM）器件和电子器件，在电子器件上沉积热稳定的互连层，封装互连 具有保护层的电子器件，在保护层上形成牺牲层，牺牲层中的开孔和保护层，以允许MEM器件与电子器件的连接，通过沉积和图案化制造MEM器件至少一个 非晶硅层，并且去除牺牲层的至少一部分。 以这种方式，MEM装置可以在同一基板上的电子装置之后制造。

    MONOCRYSTALLINE EPITAXIALLY ALIGNED NANOSTRUCTURES AND RELATED METHODS
    34.
    发明申请
    MONOCRYSTALLINE EPITAXIALLY ALIGNED NANOSTRUCTURES AND RELATED METHODS 审中-公开
    单结构外延对齐的纳米结构和相关方法

    公开(公告)号：WO2011109702A2

    公开(公告)日：2011-09-09

    申请号：PCT/US2011027172

    申请日：2011-03-04

    Applicant: UNIV CORNELL ,  WIESNER ULRICH ,  THOMPSON MICHAEL ,  ARORA HITESH

    Inventor： WIESNER ULRICH ,  THOMPSON MICHAEL ,  ARORA HITESH

    CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0169 ,  C30B1/023 ,  C30B29/08 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/28518 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/24413

    Abstract: A method for fabricating a nanostructure utilizes a templated monocrystalline substrate. The templated monocrystalline substrate is energetically (i.e., preferably thermally) treated, with an optional precleaning and an optional amorphous material layer located thereupon, to form a template structured monocrystalline substrate that includes the monocrystalline substrate with a plurality of epitaxially aligned contiguous monocrystalline pillars extending therefrom. The monocrystalline substrate and the plurality of epitaxially aligned contiguous monocrystalline pillars may comprise the same or different monocrystalline materials. The method provides the nanostructure where when the monocrystalline substrate and the plurality of epitaxial aligned contiguous monocrystalline pillars comprise different monocrystalline materials having a bulk crystal structure mismatch of up to about 10 percent, lattice mismatch induced crystal structure defects may be avoided interposed between the monocrystalline substrate and the plurality of epitaxially aligned contiguous monocrystalline pillars, which may have an irregular sidewall shape.

    Abstract translation: 制造纳米结构的方法使用模板化单晶衬底。 模板化的单晶衬底在能量上（即，优选热处理），具有可选的预清洗和位于其上的任选的非晶材料层，以形成模板结构的单晶衬底，其包括具有从其延伸的多个外延比对的邻接单晶柱的单晶衬底 。 单晶衬底和多个外延排列的邻接单晶柱可以包括相同或不同的单晶材料。 该方法提供纳米结构，其中当单晶衬底和多个外延对准的邻接单晶柱包含具有高达约10％的体晶结构失配的不同单晶材料时，晶格失配诱发的晶体结构缺陷可以避免插入在单晶衬底 以及可能具有不规则侧壁形状的多个外延排列的邻接单晶柱。

    メンブレン構造素子及びその製造方法
    35.
    发明申请
    メンブレン構造素子及びその製造方法 审中-公开
    膜结构元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007114191A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：PCT/JP2007/056723

    申请日：2007-03-28

    Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  平野 貴之 ,  川上 信之 ,  甘中 将人

    Inventor： 平野 貴之 ,  川上 信之 ,  甘中 将人

    IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/42 ,  G01F1/692 ,  H01L35/34 ,  G01J1/02

    CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/0178 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24612

    Abstract: 　製作が容易で、断熱性、品質に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。 　酸化ケイ素膜で形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周辺の一部を支持することによってメンブレンを中空状態で支持する基板とを備えたメンブレン構造素子の製造方法である。シリコン基板２の表面側に、プラズマＣＶＤ法により熱収縮可能な酸化ケイ素膜１３を形成する膜形成工程と、前記基板１に形成された前記酸化ケイ素膜１３を熱収縮させる加熱処理を施す加熱処理工程と、前記酸化ケイ素膜１３のメンブレン対応部をメンブレンとして基板２に対して中空状態で支持されるように前記基板２の一部を除去し、凹部４を形成する除去工程を備える。

    Abstract translation: 提供了可以容易地制造的膜结构元件，具有优异的绝缘特性和高质量。 还提供了一种制造这种膜结构元件的方法。 膜结构元件设置有由氧化硅膜形成的膜，以及用于通过支撑膜的周边的一部分来将膜支撑在中空状态的基板。 该膜的制造方法具有通过等离子体CVD法在硅衬底（2）的表面侧形成热收缩性氧化硅膜（13）的成膜工序; 进行热处理的热处理步骤使得形成在基板（1）上的氧化硅膜（13）热收缩; 以及去除所述基板（2）的一部分以使得所述膜的所述氧化硅膜（13）的相应部分以中空状态作为膜被支撑到所述基板（2）的去除步骤，并且形成凹陷 第（4）节。

    Reducing MEMS stiction by introduction of a carbon barrier
    37.
    发明公开
    Reducing MEMS stiction by introduction of a carbon barrier 有权
    红宝石科技股份有限公司Einbringen einer Kohlenstoffbarriereschicht

    公开(公告)号：EP2746217A1

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：EP13196313.4

    申请日：2013-12-09

    Applicant: Freescale Semiconductor, Inc.

    Inventor： Montez, Ruben B. ,  Steimle, Robert F.

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

    Abstract: A mechanism for reducing stiction in a MEMS device by decreasing an amount of carbon from TEOS-based silicon oxide films that can accumulate on polysilicon surfaces during fabrication is provided. A carbon barrier material film (510, 520) is deposited between one or more polysilicon layer (210, 230) in a MEMS device and the TEOS-based silicon oxide layer (220). This barrier material blocks diffusion of carbon into the polysilicon, thereby reducing accumulation of carbon on the polysilicon surfaces. By reducing the accumulation of carbon, the opportunity for stiction due to the presence of the carbon is similarly reduced.

    Abstract translation: 提供了一种用于通过减少在制造期间可以积聚在多晶硅表面上的来自TEOS的氧化硅膜的碳的量来降低MEMS器件中的静电的机制。 在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层（210,230）和基于TEOS的氧化硅层（220）之间沉积碳阻挡材料膜（510,520）。 该阻挡材料阻止碳扩散到多晶硅中，从而减少碳在多晶硅表面上的积累。 通过减少碳的积累，由于碳的存在而导致的静电机会同样地减少。

    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices
    40.
    发明公开
    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices 有权
    改进的基于硅的MEMS器件的制造

    公开(公告)号：EP1452481A3

    公开(公告)日：2005-10-12

    申请号：EP04100440.9

    申请日：2004-02-05

    Applicant: Dalsa Semiconductor Inc.

    Inventor： Ouelett, Luc ,  Antaki, Robert

    IPC: B81B7/00 ,  B81C5/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2203/0735

    Abstract: A micro-electro-mechanical (MEM) device and an electronic device are fabricated on a common substrate by fabricating the electronic device comprising a plurality of electronic components on the common substrate, depositing a thermally stable interconnect layer on the electronic device, encapsulating the interconnected electronic device with a protective layer, forming a sacrificial layer over the protective layer, opening holes in the sacrificial layer and the protective layer to allow the connection of the MEM device to the electronic device, fabricating the MEM device by depositing and patterning at least one layer of amorphous silicon, and removing at least a portion of the sacrificial layer. In this way, the MEM device can be fabricated after the electronic device on the same substrate.

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