中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

301 records (took 0.021 seconds)

    광 집적 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법
    33.
    发明公开
    광 집적 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
    光学集成电路，包括其的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140000856A

    公开(公告)日：2014-01-06

    申请号：KR1020120068377

    申请日：2012-06-26

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성구 ,  신동재 ,  신용확 ,  최영 ,  하경호

    IPC: H01L27/02 ,  H01L27/14

    CPC classification number: G02B6/12 ,  G02B6/12004 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/066 ,  G02F2202/105

    Abstract: An optical integrated circuit includes a substrate including a single crystalline semiconductor material, a passive device including a single crystalline semiconductor material and extended onto the substrate in the crystal direction of the substrate, and an active device including a single crystalline semiconductor material and extended onto the substrate in the crystal direction of the substrate. [Reference numerals] (AA,HH) First direction; (BB,GG) Second direction; (CC,FF) Third direction; (DD,EE) Fourth direction

    Abstract translation: 光学集成电路包括：包括单晶半导体材料的衬底，包括单晶半导体材料的无源器件，并且在衬底的<100>晶体方向上延伸到衬底上，以及包括单晶半导体材料的有源器件和 在衬底的<110>晶体方向延伸到衬底上。 （标号）（AA，HH）第一方向; （BB，GG）第二方向; （CC，FF）第三方向; （DD，EE）第四方向

    디바이스의 제조 방법
    34.
    发明公开
    디바이스의 제조 방법 有权
    光波导基板制造方法

    公开(公告)号：KR1020090083387A

    公开(公告)日：2009-08-03

    申请号：KR1020097010353

    申请日：2007-11-09

    Applicant: 엔지케이 인슐레이터 엘티디

    Inventor： 요시노다카시

    IPC: G02B6/13 ,  G02F1/377

    CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02F1/3558 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/124

    Abstract: A voltage is applied between an interdigitated electrode provided on one major surface of a ferroelectric single crystal substrate in which domains are formed and a uniform electrode provided on the other major surface. Consequently, a periodic polarization inversion structure (9) is made, and the interdigitated electrode is removed. Then, an optical waveguide (20) is fabricated on the substrate (18). The center (P1) of the light intensity in the optical waveguide (20) is separated from the end position (PO) of the interdigitated electrode. ® KIPO & WIPO 2009

    Abstract translation: 在形成有畴的强电介质单晶衬底的一个主表面上设置的交错电极和设置在另一个主表面上的均匀电极之间施加电压。 因此，制成周期性极化反转结构（9），并且去除交叉指向的电极。 然后，在基板（18）上制造光波导（20）。 光波导（20）中的光强度的中心（P1）与交叉电极的端部位置（PO）分离。 ®KIPO＆WIPO 2009

    電気光学変調器
    36.
    发明申请
    電気光学変調器 审中-公开
    电光调制器

    公开(公告)号：WO2011030593A1

    公开(公告)日：2011-03-17

    申请号：PCT/JP2010/059675

    申请日：2010-06-08

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  牛田 淳 ,  戸田 昭夫 ,  西藤 哲史

    Inventor： 藤方　潤一 ,  牛田　淳 ,  戸田　昭夫 ,  西藤　哲史

    IPC: G02F1/025

    CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/07 ,  G02F2202/105

    Abstract: 　第１の半導体層８上に、導電型が異なる第２の半導体層９が、誘電体膜１１を介して積層されてリブ導波路が形成され、 半導体層８および９が、高ドープ部４および１０を介して外部端子に接続可能であり、　半導体層８および９は、誘電体膜１１との接触面付近の領域において、前記外部端子からの電気信号による自由キャリアの蓄積、除去、または反転により、光信号電界領域の前記自由キャリア濃度が変調され、光信号の位相変調が可能であり、　半導体層８および９の少なくとも一方が、前記積層部分よりも広い幅を有し、高ドープ部４および１０の少なくとも一方が、前記積層部分の外側に設けられていることを特徴とする電気光学変調器。

    Abstract translation: 电光调制器包括由第一半导体层（8）和通过电介质膜（11）堆叠在其上的第二半导体层（9）的层叠体形成的肋波导，所述半导体层的导电类型彼此不同 。 半导体层（8,9）可以分别经由高掺杂部分（4,10）连接到外部端子。 半导体层（8,9）可以调制光信号的相位，因为光信号的电场区域中的自由载流子的浓度在半导体层和电介质膜的接触表面附近的区域中被调制 （11）由于来自外部端子的电信号引起的自由载波的累积，去除或反转。 半导体层（8,9）中的至少一个具有比层叠部分大的宽度，并且在层叠部分的外部形成至少一个高掺杂部分（4,10）。

    半導体レーザ及び半導体レーザの変調方法
    37.
    发明申请
    半導体レーザ及び半導体レーザの変調方法 审中-公开
    半导体激光器的半导体激光和调制方法

    公开(公告)号：WO2009125635A1

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：PCT/JP2009/053985

    申请日：2009-03-03

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  鈴木 尚文 ,  辻 正芳 ,  阿南 隆由 ,  屋敷 健一郎 ,  畠山 大 ,  深津 公良 ,  赤川 武志

    Inventor： 鈴木 尚文 ,  辻 正芳 ,  阿南 隆由 ,  屋敷 健一郎 ,  畠山 大 ,  深津 公良 ,  赤川 武志

    IPC: H01S5/026 ,  G02F1/017 ,  H01S5/187

    CPC classification number: H01S5/18308 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2201/066 ,  G02F2202/102 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/187

    Abstract: 　本発明は、光インターコネクション用光源の大幅な消費電力低減が可能な半導体レーザ及び半導体レーザの変調方法を提供するものである。本発明に係る半導体レーザ１００は、面発光レーザ１０６と、面発光レーザ１０６上に電気的に分離して形成された変調器１１３とを有する。面発光レーザ１０６は、ｎ型半導体基板１０１上に、ｎ型ＤＢＲ層１０２、活性層１０３、電流狭窄構造１０４、ｐ型ＤＢＲ層１０５を有する。そして、その上のアンドープ半導体層１０７上に、ｎ型半導体層１０８、量子井戸からなる吸収層１０９、及びｐ型半導体層１１０を有する変調部１１３が形成されている。変調器１１３は、複数の電極の組を有し、当該電極の組に異なる信号を入力することで、面発光レーザ１０６の横モードを変調する。

    Abstract translation: 提供了可以大幅度降低光互连用光源的功耗的半导体激光器。 还提供了半导体激光器的调制方法。 半导体激光器（100）包括表面发射激光器（106）和形成在表面发射激光器（106）上的调制器（113），同时电隔离。 表面发射激光器（106）具有n型DBR层（102），有源层（103），电流收缩结构（104）和形成在n型半导体上的p型DBR层（105） 基板（101）。 在未掺杂的半导体层（107）上形成具有n型半导体层（108）的调制部（113），由量子阱构成的吸收层（109）和p型半导体层（110）。 调制器（113）具有一组多个电极，并且通过向该组电极输入不同的信号来调制表面发射激光器（106）的横向模式。

    導波路型光デバイス
    38.
    发明申请
    導波路型光デバイス 审中-公开
    波导型光学器件

    公开(公告)号：WO2009078248A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：PCT/JP2008/071134

    申请日：2008-11-20

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  清水 隆徳 ,  中田 正文

    Inventor： 清水 隆徳 ,  中田 正文

    IPC: G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

    CPC classification number: G02F1/035 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/126 ,  G02F2203/15

    Abstract: 　寄生容量を低減して信号伝送の高速化を可能にする導波路型光デバイスを提供する。 　基板２の上に下部電極４１が形成され、下部電極４１の上に下部クラッド５１が形成され、下部クラッド５１の上に下部コア６２が形成され、下部コア６２の上に上部コア６１が形成され、上部コア６１の上に上部クラッド５３が形成され、上部クラッド５３の上に上部電極４２が形成されている。上部コア６１と下部コア６２は両側を側部クラッド層５２で覆われている。上部電極４２と下部電極４１の上下重なり部分は上部コア６１と下部コア６２からなるコア層の領域とほぼ等しい場所にある。上部コア６１と下部コア６２は一方の幅がシングルモード条件を満たす幅であり、他方の幅がフィールド分布の幅程度以上である。

    Abstract translation: 提供了一种波导型光学器件，其寄生电容被减小以使得能够增加信号传输速度。 波导型光学器件具有形成在基板（2）上的底部电极（41），形成在底部电极（41）上的底部包层（51），形成在底部包层（51）上的底部芯部（62） 形成在所述底芯（62）上的顶芯（61），形成在所述顶芯（61）上的顶包层（53）和形成在所述顶包层（53）上的顶电极。 顶芯（61）和底芯（62）在两侧覆盖有侧包层（52）。 顶部电极（42）和底部电极（41）彼此垂直重叠的区域位于与包括顶芯（61）和底芯（62）的芯层区域基本相同的位置处。 顶芯（61）和底芯（62）中的一个的宽度是满足单模状态的宽度，另一个的宽度基本上等于场分布的宽度或更大。

    OPTICAL FILTER DEVICE WITH HIGH INDEX SWITCHABLE GRATING
    40.
    发明申请
    OPTICAL FILTER DEVICE WITH HIGH INDEX SWITCHABLE GRATING 审中-公开
    具有高折射率切换光栅的光学滤波器件

    公开(公告)号：WO2004104686A1

    公开(公告)日：2004-12-02

    申请号：PCT/US2004/013699

    申请日：2004-05-01

    Applicant: HOYA CORPORATION ,  EDWARD, Keat, Leem, Chan

    Inventor： EDWARD, Keat, Leem, Chan

    IPC: G02F1/313

    CPC classification number: G02F1/011 ,  G02F1/0118 ,  G02F1/1334 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/307

    Abstract: A waveguide filter device for optical telecommunications network is provided. The device comprises a substrate (1) containing a waveguide (2) disposed close to the surface of said substrate, an overcladding layer (3) overlaid on said substrate and a cover plate (4) overlaid on said overcladding layer. The waveguide has an input port for receiving an input light signal and an output port for outputting the filtered light signal. The overcladding layer and the cover plate lie within the evanescent coupling field of the waveguide. The average refractive index of said overcladding layer is greater than the waveguide core mode index, while the average refractive index of the cover plate is lower than the waveguide core mode index. In a preferred embodiment of the invention the overcladding layer is an Electrically Switchable Bragg Grating.

    Abstract translation: 提供了一种用于光通信网络的波导滤波器装置。 该装置包括：衬底（1），其包含靠近所述衬底的表面设置的波导（2），覆盖在所述衬底上的外包层（3）和覆盖在所述外包层上的覆盖板（4）。 波导具有用于接收输入光信号的输入端口和用于输出滤波后的光信号的输出端口。 外包层和盖板位于波导的消逝耦合场内。 所述外包层的平均折射率大于波导芯模式指数，而盖板的平均折射率低于波导芯模式指数。 在本发明的优选实施例中，外包层是电可切换布拉格光栅。

Patent Agency Ranking