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公开(公告)号：CN101540251B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体2电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101093764B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200610061305.9
申请日：2006-06-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一碳纳米管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有碳纳米管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。
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公开(公告)号：CN102124536A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132525.8
申请日：2009-08-20
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。
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公开(公告)号：CN102124535A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131995.2
申请日：2009-08-20
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。
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公开(公告)号：CN101527238B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200910128900.3
申请日：2002-07-18
Applicant: (由空军部长代表的)美利坚合众国
Inventor： D·A·小施弗勒
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及场发射冷阴极。具体的，本发明涉及一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101939811A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126426.4
申请日：2008-12-19
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01B1/24 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了用于改善电子场发射体的发射的新型感光组合物。这些组合物由碳纳米管和金属树脂酸盐构成。
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公开(公告)号：CN101409189B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810178595.4
申请日：2008-09-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30457
Abstract: 一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。
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公开(公告)号：CN101261936B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810094959.0
申请日：2004-03-25
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 阿里夫·乔杜里 , 黄福明 , 理查特·埃利奥特·斯拉歇尔
CPC classification number: B82Y20/00 , B81B1/00 , G02B6/1225 , G02B2006/12035 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/30612
Abstract: 用一种制造方法形成III族元素氮化物的图案层。该方法包括形成晶体底衬，并在该底衬的平表面上形成第一III族元素氮化物的第一层。该第一层具有单一极性，还具有孔或者沟槽的图案，这些孔或者沟槽露出一部分底衬。该方法还包括在第一层和露出的底衬部分上外延生长第二III族元素氮化物的第二层。该第一和第二III族元素氮化物具有不同的合金组份，该方法还包括用碱的水溶液处理第二层，从而使第二层形成图案。
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公开(公告)号：CN101814405A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910204471.3
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , G02F1/133617 , G02F2001/133625 , G03G15/02 , G03G2215/02 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/312 , H01J2201/3125 , H01J2329/0481 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件在电极基板和薄膜电极之间具有电子加速层，电子加速层包括分散有绝缘体微粒和导电微粒的粘合剂成分。从而，本发明的电子发射元件可以抑制电子加速层的劣化，不仅在真空中而且在大气中也可以有效地进行稳定的电子发射，进而可以提高机械强度。
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公开(公告)号：CN101752157A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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