公开(公告)号：WO2013179519A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：PCT/JP2012/083318

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 山本　慎一 ,  中野　佳代 ,  堀江　宏道

IPC: C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24 ,  H01J1/14

CPC classification number: H01J1/144 ,  B22F5/12 ,  C22C1/045 ,  C22C1/1078 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0052 ,  H01J23/05 ,  H01J61/0735 ,  H01J2201/30449

Abstract: 　放射性物質であるトリウムを使用せずに、トリウム含有タングステン合金と同等以上のエミッション特性を有するタングステン合金を得ること、及び、該タングステン合金を用いる放電ランプ、送信管及びマグネトロンを提供することを目的とする。　本発明は、タングステン合金において、Ｚｒ成分をＺｒＣ換算で０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下の範囲で含有させる。

Abstract translation: 本发明的目的是获得具有与不含钍钨合金相同或优于不含钍的放射性物质的发光特性的钨合金，并且提供放电灯，透射管 ，以及使用钨合金的磁控管。 根据本发明，钨合金包含以ZrC计为0.1重量％〜5重量％的Zr成分。

公开(公告)号：WO2011159012A2

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/KR2011/001250

申请日：2011-02-23

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  김용협 ,  김왈준

Inventor： 김용협 ,  김왈준

IPC: H01B1/04 ,  H01B1/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J9/025 ,  B23H9/00 ,  H01B1/04 ,  H01B1/08 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30469

Abstract: 본 발명은 전도성 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 전도성 기판; 상기 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물; 및 상기 전도성 기판 및 상기 전도성 나노구조물 사이의 계면에 배치되는 전도성 계면 화합물을 포함하는 전계 방출 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법을 제공한다.

Abstract translation: 导电性纳米结构体及其成型方法技术领域本发明涉及导电性纳米结构体，其成型方法以及使用该场合的场致发射体的制造方法。 更具体地说，本发明涉及一种场致发射纳米结构，包括：导电基片; 布置在导电基板上的导电纳米结构; 以及设置在导电基板和导电纳米结构之间的界面中的导电界面化合物，以及其成型方法以及使用其的场致发射体的制造方法。

公开(公告)号：KR102224612B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020197002786A

申请日：2017-06-20

Applicant: 케이엘에이 코포레이션

Inventor： 윌리엄 쥐. 슐츠 ,  길다르도 델가도 ,  프란시스 힐 ,  가르시아, (베리오스) 에드가르도 ,  루디 가르시아

IPC: H01J33/04 ,  G21K5/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J33/04 ,  G21K5/02 ,  H01J1/34 ,  H01J19/24 ,  H01J37/073 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2209/0223

Abstract: 금속 붕화물 물질을 함유한 에미터는 반경이 1㎛ 이하인 적어도 부분적으로 둥글게 된 팁을 갖는다. 전계가 에미터에 인가되고 전자빔이 에미터로부터 생성된다. 에미터를 형성하기 위해, 반경이 1㎛ 이하인 둥근 팁을 가진 금속 붕화물 물질을 함유한 에미터를 형성하도록 물질이 단결정 봉으로부터 제거된다.

公开(公告)号：JP5881826B2

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：JP2014518225

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 山本 慎一 ,  中野 佳代 ,  堀江 宏道

IPC: C22C1/05 ,  B22F5/00 ,  C22C27/04

CPC classification number: H01J1/144 ,  B22F5/12 ,  C22C1/045 ,  C22C1/1078 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0052 ,  H01J23/05 ,  H01J61/0735 ,  H01J2201/30449

公开(公告)号：KR1020000002650A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023500

申请日：1998-06-22

Applicant: 오리온전기 주식회사

Inventor： 정복현

IPC: H05B33/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30449

Abstract: PURPOSE: A method of field emission display manufacture is provided to extend the area of the display and to drive the display using low voltage. CONSTITUTION: A method of field emission display manufacture comprises the steps of: forming a pile up structure of a first and a second insulating films having a gate hole onto the substrate(11) with a cathode metal(13); decreasing the size of the gate hole by depositing a gate metal using a vertical depositing method; and forming a metal tip(25) inside the gate hole.

Abstract translation: 目的：提供一种场致发射显示器制造方法，以扩展显示器的面积，并以低电压驱动显示器。 构成：场发射显示器制造方法包括以下步骤：用阴极金属（13）将具有栅极孔的第一和第二绝缘膜的堆积结构形成在衬底（11）上; 通过使用垂直沉积方法沉积栅极金属来减小栅极孔的尺寸; 以及在门孔内部形成金属尖端（25）。

公开(公告)号：US11688579B2

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：US17549854

申请日：2021-12-13

Applicant: ASML Netherlands B.V.

Inventor： Juying Dou ,  Zheng Fan ,  Tzu-Yi Kuo ,  Zhong-wei Chen

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/065 ,  H01J1/304 ,  H01J1/14 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/042 ,  H01J37/065 ,  H01J37/26 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341

Abstract: Electron emitters and methods of fabricating the electron emitters are disclosed. According to certain embodiments, an electron emitter includes a tip with a planar region having a diameter in a range of approximately (0.05-10) micrometers. The electron emitter tip is configured to release field emission electrons. The electron emitter further includes a work-function-lowering material coated on the tip.

公开(公告)号：US11651924B1

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：US17846498

申请日：2022-06-22

Applicant: FEI Company

Inventor： Kun Liu ,  Chad Rue ,  Alan Stephen Bahm

IPC: H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J1/34 ,  H01J19/24

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/34 ,  H01J19/24 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2237/06341

Abstract: Methods of producing microrods for electron emitters and associated microrods and electron emitters. In one example, a method of producing a microrod for an electron emitter comprises providing a bulk crystal ingot, removing a first plate from the bulk crystal ingot, reducing a thickness of the first plate to produce a second plate, and milling the second plate to produce one or more microrods. In another example, a microrod for an electron emitter comprises a microrod tip region that comprises a nanoneedle that in turn comprises a nanorod and a nanoprotrusion tip. The microrod and the nanoneedle are integrally formed from a bulk crystal ingot by sequentially: (i) removing the microrod from the bulk crystal ingot; (ii) coarse processing the microrod tip region to produce the nanorod; and (iii) fine processing the nanorod to produce the nanoprotrusion tip.

公开(公告)号：US20160108521A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14740359

申请日：2015-06-16

Applicant: Tsinghua University

Inventor： Huaqiang WU ,  Shuoguo YUAN ,  Han LI ,  He QIAN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/22 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45523 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30449

Abstract: The present disclosure relates to a method for preparing a molybdenum disulfide film used in a field emission device, including: providing a sulfur vapor; blowing the sulfur vapor into a reaction chamber having a substrate and MoO3 powder to generate a gaseous MoOx; feeding the sulfur vapor into the reaction chamber sequentially, heating the reaction chamber to a predetermined reaction temperature and maintaining for a predetermined reaction time, and then cooling the reaction chamber to a room temperature and maintaining for a second reaction time to form a molybdenum disulfide film on the surface of the substrate, in which the molybdenum disulfide film grows horizontally and then grows vertically. The method according to the present disclosure is simple and easy, and the field emission property of the MoS2 film obtained is good.

Abstract translation: 本公开涉及一种制备用于场致发射装置的二硫化钼膜的方法，包括：提供硫蒸汽; 将硫蒸气吹入具有基底和MoO 3粉末的反应室中以产生气态MoO x; 将硫蒸气依次进料到反应室中，将反应室加热至预定的反应温度并保持预定的反应时间，然后将反应室冷却至室温并保持第二反应时间以形成二硫化钼膜 在其中二硫化钼膜水平生长然后垂直生长的基底表面上。 根据本公开的方法简单易行，并且所获得的MoS2膜的场发射性能良好。

公开(公告)号：US09230770B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13704902

申请日：2011-02-23

Applicant: Yong Hyup Kim ,  Wal Jun Kim

Inventor： Yong Hyup Kim ,  Wal Jun Kim

IPC: H01J19/06 ,  H01K1/04 ,  H01J9/02 ,  H01B1/04 ,  H01B1/08 ,  H01J1/304 ,  B23H9/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B23H9/00 ,  H01B1/04 ,  H01B1/08 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30469

Abstract: The present invention relates to a conductive nanostructure, a method for molding the same, and a method for manufacturing a field emitter using the same. More particularly, the present invention relates to a field-emitting nanostructure comprising a conductive substrate, a conductive nanostructure arranged on the conductive substrate, and a conductive interfacial compound disposed in the interface between the conductive substrate and the conductive nanostructure, as well as to a method for molding the same, and a method for manufacturing a field emitter using the same.

Abstract translation: 导电纳米结构体及其成型方法技术领域本发明涉及导电性纳米结构体，其成型方法及使用其的场致发射体的制造方法。 更具体地说，本发明涉及一种场致发射纳米结构，其包括导电衬底，布置在导电衬底上的导电纳米结构以及布置在导电衬底和导电纳米结构之间的界面中的导电界面化合物，以及一 其制造方法以及使用该场致发射体的制造方法。

公开(公告)号：US20150146848A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14400703

申请日：2013-03-14

Applicant: THE GENERAL HOSPITAL CORPORATION

Inventor： Rajiv Gupta ,  Luis Fernando Velasquez-Garcia ,  Richard Lanza ,  Berthold KP Horn ,  Tayo Akinwande

IPC: G01N23/04 ,  A61B6/00 ,  G01V5/00

CPC classification number: H01J35/065 ,  A61B6/032 ,  A61B6/40 ,  A61B6/4007 ,  A61B6/405 ,  A61B6/4405 ,  A61B6/484 ,  G01N23/04 ,  G01V5/0016 ,  G01V5/0041 ,  G21K2207/005 ,  H01J35/025 ,  H01J35/04 ,  H01J35/045 ,  H01J35/12 ,  H01J35/14 ,  H01J35/18 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068 ,  H01J2235/087 ,  H01J2235/186

Abstract: Described here is a method for performing phase contrast imaging using an array of independently controllable x-ray sources. The array of x-ray sources can be controlled to produce a distinct spatial pattern of x-ray radiation and thus can be used to encode phase contrast signals without the need for a coded aperture. The lack of coded aperture increases the flexibility of the imaging method. For instance, because a fixed, coded aperture is not required, the angular resolution of the imaging technique can be increased as compared to coded-aperture imaging. Moreover, the lack of a radioopaque coded aperture increases the photon flux that reaches the subject, thereby increasing the attainable signal-to-noise ratio.

Abstract translation: 这里描述了使用独立可控x射线源的阵列进行相位对比成像的方法。 可以控制x射线源的阵列以产生X射线辐射的不同的空间图案，并且因此可用于对相位差信号进行编码，而不需要编码孔径。 编码孔径的缺乏增加了成像方法的灵活性。 例如，由于不需要固定的编码孔径，与编码孔径成像相比，可以增加成像技术的角度分辨率。 此外，缺乏无辐射光编码孔径增加了到达对象的光子通量，从而增加了可达到的信噪比。