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公开(公告)号：CN1714420A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200380103918.9
申请日：2003-11-25
CPC classification number: H01J31/127 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J2201/3125
Abstract: 一种电子源装置，包含由绝缘体构成、具有配置在与主面垂直方向的多个微细孔的多孔层(例如，多孔氧化铝层)；以及配置在该多孔层的两侧的第1和第2导电层，将第2导电层作为阳极、在和第1导电层之间加上直流电压时的电流密度I/S在1μA/cm2以上。式中，S表示第1导电层和第2导电层以及多孔层的重叠部分的面积。由于可以获得一种高电子发射能力、廉价且即使在低真空度下也具有长寿命的电子源装置，因此能实现高发光效率、高可靠性的显示装置。
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公开(公告)号：CN1647231A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02829411.4
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 在薄膜型电子源阵列的作为向上部电极(13)供电的供电线的上部电极供电布线(16)之下形成第二层间绝缘层(15)来防止短路。而且，通过用第二层间绝缘层(15)限制电子发射部，覆盖在电子加速层(12)和第一层间绝缘层(14)的边界上偏析出来的缺陷，抑止长时间绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN1182561C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法，该场致发射型电子源具有导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元；介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元；形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1287678A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法,场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上,从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3,以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状,跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7,能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子,所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
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公开(公告)号：CN104795293A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024418.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/308
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125 , H01J1/308 , H01J2201/308
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795292A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024348.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN102222590B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201110097730.4
申请日：2011-04-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 平川弘幸
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件及其制造方法。该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘层，其形成在所述第一电极上并且具有贯通孔的开口；第二电极，其形成在所述绝缘层上，所述第二电极被布置成使得至少覆盖所述开口，并且经由所述开口而面向所述第一电极；以及，精细颗粒层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述精细颗粒层由绝缘精细颗粒和导电精细颗粒构成，其中，所述绝缘层被布置在所述第一电极和所述精细颗粒层之间或在所述第二电极和所述精细颗粒层之间，当在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时，电子从所述第一电极发射，并且在所述精细颗粒层中被加速，以通过所述第二电极。
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公开(公告)号：CN102243961B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110078787.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G03G15/02 , G03G2215/026 , H01J9/022 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件和用于制造该电子发射元件的方法。该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，其形成在所述第一电极上并由第一绝缘精细颗粒以及大于第一绝缘精细颗粒的第二绝缘精细颗粒组成，所述绝缘精细颗粒层的表面具有由第二绝缘精细颗粒形成的凸部；以及第二电极，其形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中，当在第一电极与第二电极之间施加电压时，从第一电极提供的电子在绝缘精细颗粒层中被加速，以经由所述凸部从第二电极发射出。
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公开(公告)号：CN101894718B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910204468.1
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: G03G15/02 , B82Y10/00 , G02F1/133602 , G02F2001/133625 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J63/06 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件在电极基板和薄膜电极之间具有电子加速层，该电子加速层含有绝缘体微粒且不含导电微粒。该电子发射元件，在电极基板和薄膜电极之间施加电压时，通过电子加速层使电子加速，从薄膜电极发射电子。从而，本发明的电子发射元件难以产生绝缘破坏，可以容易且廉价地制造，可以进行稳定且良好的量的电子发射。
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公开(公告)号：CN102243961A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110078787.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G03G15/02 , G03G2215/026 , H01J9/022 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件和用于制造该电子发射元件的方法。该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，其形成在所述第一电极上并由第一绝缘精细颗粒以及大于第一绝缘精细颗粒的第二绝缘精细颗粒组成，所述绝缘精细颗粒层的表面具有由第二绝缘精细颗粒形成的凸部；以及第二电极，其形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中，当在第一电极与第二电极之间施加电压时，从第一电极提供的电子在绝缘精细颗粒层中被加速，以经由所述凸部从第二电极发射出。
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