公开(公告)号：CN104752274B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410431336.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32642 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。

公开(公告)号：CN107452591A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710379454.8

申请日：2017-05-25

Applicant: 鲁汶仪器有限公司(比利时)

Inventor： 康斯坦丁·莫吉利尼科夫

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32853

Abstract: 本发明公开一种减少工艺腔体颗粒的系统，包括：气体通路，位于工艺腔顶针结构内，导入吹扫用气体；以及喷气装置，与所述气体通路相连接，将气体近距离喷射在下电极表面。由于喷气装置接近下电极表面，更容易在晶片表面产生较大气流，因此吹扫的动力更大，从而能够更加有效地减少甚至消除工艺腔体颗粒，特别是下电极表面颗粒，可以大大降低为去除电极表面颗粒而打开反应腔进行维护的次数，提高机台的正常运行时间。

公开(公告)号：CN107043926A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710069000.0

申请日：2017-02-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 佐藤羊治 ,  佐藤贵康 ,  橘和孝 ,  中田博道

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32853 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32486 ,  H01J2237/3321 ,  C23C16/513 ,  C23C16/4401

Abstract: 本发明提供一种具有附着抑制片的等离子体化学气相生长装置。附着抑制片配置于工件的设置位置与该反应炉的内壁之间。该附着抑制片是具有在彼此不同的方向上延伸的第一纤维束和第二纤维束的织物。在第一纤维束中，正面侧部分与背面侧部分在第一方向上交替排列。另外，在第二纤维束中，正面侧部分与背面侧部分在第二方向上交替排列。

公开(公告)号：CN106971933A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710209730.6

申请日：2017-03-31

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 蔡小龙

IPC: H01J37/32 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01J37/32853 ,  B08B3/02

Abstract: 本发明提供一种具有自动清洗功能的蚀刻腔室及其清洗组件、清洗方法。该清洗组件包括第一喷淋机构和第二喷淋机构，第一喷淋机构用于喷淋蚀刻液，第二喷淋机构设置于第一喷淋机构的上方，第二喷淋机构用于在第一喷淋机构停止喷淋蚀刻液时喷淋清洗液，以对第一喷淋机构进行清洗。基于此，本发明能够对蚀刻腔室内进行随时清洗，减少蚀刻液挥发产生的结晶体，降低由结晶体导致的危害。

公开(公告)号：CN105940142A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006646.3

申请日：2015-03-11

Applicant: 威科ALD有限公司

Inventor： 李祥仁 ,  塞缪尔·S·帕克 ,  丹尼尔·胡·利 ,  孝锡·丹尼尔·杨

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862

Abstract: 实施方案涉及一种以两种模式操作的沉积装置：沉积模式和清洁模式。在沉积模式中，模块化注射器将材料注射到基底上以形成层。在清洁模式中，在不拆卸的情况下通过注射清洁气体来清洁沉积装置。在清洁模式中可以通过以下步骤来清洁注射器模块组合件：通过用于移除反应物前体的排出器注射清洁气体，以及将清洁气体从所述排出器输送至用于移除起始物前体的另一排出器。或者，在清洁模式中通过以下步骤来清洁注射器模块组合件：将清洁气体注射到用于注射起始物前体的注射器与用于注射反应物前体的另一注射器之间的通路中，以及将清洁气体输送至排出器之一。

公开(公告)号：CN102985588B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180029451.2

申请日：2011-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·拉希德 ,  汪荣军 ,  刘振东 ,  付新宇 ,  唐先民

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411

Abstract: 本文提供改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔室的靶材周围且与所述靶材间隔，且其中在从物理气相沉积腔室的靶材溅射靶材材料的过程中，面向开口的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。

公开(公告)号：CN105304465A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410406169.7

申请日：2014-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  张铭庆 ,  黄渊圣 ,  陈瑞铭 ,  陈昭成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。

公开(公告)号：CN104204270A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016348.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 川下守 ,  野村文保

IPC: C23C14/00

CPC classification number: H01J37/3411 ,  C23C14/34 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/3405 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/3328

Abstract: 为了提供一种不论保护对象部件为何部件均能够将附着膜的剥离抑制在极低水平的真空成膜装置用防附着板，而以减小与保护对象部件的接触面积、并且使接触面以外隔热的方式配置防附着板。

公开(公告)号：CN108856128A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810413115.1

申请日：2018-05-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿米尔·A·亚西尔 ,  石洪 ,  约翰·多尔蒂 ,  杜安·奥特卡 ,  许林 ,  阿芒·阿沃扬 ,  克利夫·拉克鲁瓦 ,  吉里什·洪迪

IPC: B08B3/12 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: B08B7/04 ,  B08B3/048 ,  B08B3/12 ,  B08B3/14 ,  B08B5/02 ,  H01J37/32853 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及调节室部件。提供了一种用于调节处理室的部件的装置。提供了一种保持兆频超声波调节溶液的罐。支架在罐被兆频超声波调节溶液填充时保持浸入兆频超声波调节溶液中的部件。兆频超声波调节溶液入口系统将兆频超声波调节溶液输送到罐。兆频超声波换能器头包括至少一个兆频超声波换能器，以向兆频超声波调节溶液提供兆频超声波能量，其中将兆频超声波能量通过兆频超声波调节溶液输送到部件。兆频超声波调节溶液排放系统在将部件保持在兆频超声波调节溶液中的位置上方的位置处从罐中排出兆频超声波调节溶液。致动器使兆频超声波换能器头移动通过罐。

公开(公告)号：CN108682609A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810306537.9

申请日：2018-04-08

Applicant: 苏州珮凯科技有限公司

Inventor： 范银波

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32853

Abstract: 本发明公开了一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法，包括如下步骤：1)将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟；2)采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍；3)然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗；4)以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸；5)送入烘箱，将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟，烘干完成后，在无尘室内冷却至室温，完成对所述陶瓷聚焦环的再生。所述再生方法不采用任何化学试剂，通过高温烘烤，即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物，实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。