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公开(公告)号:CN106716632A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201580052153.3
申请日:2015-09-17
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor: 安德烈亚斯·普洛斯尔
IPC: H01L23/538 , H01L23/52 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/29 , H01L23/15 , H01L23/49513 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/15 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05678 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1141 , H01L2224/11436 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29173 , H01L2224/29178 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81207 , H01L2224/81208 , H01L2224/81469 , H01L2224/81473 , H01L2224/81478 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/83359 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/83469 , H01L2224/83473 , H01L2224/83478 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/1033 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13014 , H01L2924/13064 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2224/05644 , H01L2224/05639 , H01L2924/00012
Abstract: 提出一种电子设备,所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2),所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接,其中所述器件(1,2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4,4’),所述接触层以与所述烧结层(3)直接接触的方式设置,所述烧结层具有与第一金属不同的第二金属并且所述烧结层不含金。此外,提出一种用于制造电子设备的方法。
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公开(公告)号:CN106536096A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580040062.8
申请日:2015-03-18
Applicant: 贺利氏德国有限两合公司
CPC classification number: B22F5/006 , B22F3/1003 , B22F3/24 , B22F7/04 , B22F2003/242 , B22F2301/255 , B22F2302/25 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C25D11/34 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05186 , H01L2224/27003 , H01L2224/27505 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29186 , H01L2224/2957 , H01L2224/29686 , H01L2224/32221 , H01L2224/83005 , H01L2224/8302 , H01L2224/83055 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/32 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/053
Abstract: 用于接合元件的方法,其中提供由至少两个各含金属接触表面的元件和布置在所述元件之间的具有金属氧化物表面的金属固体形式的金属烧结件形成的布置,并压力烧结所述布置,其中所述金属烧结件的金属氧化物表面和所述元件的金属接触表面各自形成共同接触面,且其中(I) 在含有至少一种可氧化化合物的气氛中进行所述压力烧结和/或(II) 在形成相应的共同接触面之前为所述金属氧化物表面配备至少一种可氧化有机化合物。
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公开(公告)号:CN106057690A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610202072.3
申请日:2016-04-01
Applicant: 贺利氏德国有限及两合公司
Inventor: 迈克尔·舍费尔 , 沃尔夫冈·施密特 , 安德列亚斯·欣里希 , 玛丽亚·伊莎贝尔·巴雷拉-马林
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/6836 , H01L23/49827 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L2221/68368 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/27418 , H01L2224/27848 , H01L2224/29007 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/75272 , H01L2224/75745 , H01L2224/83001 , H01L2224/83007 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8321 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H01L2224/83907 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H05K3/303 , H05K2203/1131 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/2957
Abstract: 本发明提供了基板结构及其制造法、电子部件及其与基板结构的结合法。一种制造用于与电子部件(50;51)结合的基板结构(10、10')的方法,包括以下步骤:制备具有第一面(22)与第二面(23)的基板(20),特别是DCB基板或PCB基板或引线框架;将初始固定剂(30)施加至基板(20)的第一面(22)的一些部分上。
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公开(公告)号:CN103725204B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201310471433.0
申请日:2013-10-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C09J2201/602 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/294 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/32135 , H01L2224/32225 , H01L2224/81903 , H01L2224/83201 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本文公开了各向异性导电粘合剂组合物和膜,包含:(甲基)丙烯酸四氢糠基酯或(甲基)丙烯酸糠基酯,和热固性聚合引发剂,其中,以固含量计,基于用于所述各向异性导电粘合剂膜的组合物的总量,所述(甲基)丙烯酸四氢糠基酯或(甲基)丙烯酸糠基酯的含量为1wt%至25wt%,本文还公开了半导体装置。
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公开(公告)号:CN104752342A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410433157.3
申请日:2014-08-28
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/77
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0272 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L24/83 , H01L2223/54426 , H01L2224/83139 , H01L2224/83201 , H01L2224/83902
Abstract: 本发明提供一种接合半导体基板的方法,其可包括:在第一半导体基板上形成对准键;在第一半导体基板和对准键上形成绝缘层;在绝缘层上形成第一金属层图案和第二金属层图案;在第二半导体基板上形成第一突起和第二突起,以及位于第一突起与第二突起之间的对准凹部;分别在第一突起和第二突起上形成第三金属层图案和第四金属层图案;以及接合第一半导体基板和第二半导体基板,其中当接合第一半导体基板和第二半导体基板时,对准键位于对准凹部。
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公开(公告)号:CN104470347A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410437568.X
申请日:2014-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K13/04
CPC classification number: H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/743 , H01L2224/75745 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及元件安装设备。一种元件安装设备,包括以此顺序设置的带贴附单元、元件安装单元和元件压紧单元。时间测量单元测量在完成在分别传送到带贴附单元、元件安装单元和元件压紧单元的所有基板上执行的预定作业之后经过的时间。当对于将基板传送到带贴附单元的准备在通过时间测量单元执行的测量开始之后的预定时间内未完成时,在带贴附单元、元件安装单元和元件压紧单元中等待的相应基板被强制传送到它们的下游侧且预定作业在被强制传送到元件安装单元和元件压紧单元的相应基板上执行。
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公开(公告)号:CN103608907A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201280026102.X
申请日:2012-05-29
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/49513 , C09J7/35 , C09J11/04 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L23/295 , H01B1/22 , H01L2224/83855
Abstract: 根据本发明,提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置(10)具备:基材(2);半导体元件(3);和介于基材(2)与半导体元件(3)之间,将两者粘接的粘接层(1)。该半导体装置(10),在粘接层(1)中分散有金属颗粒和绝缘颗粒,金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层(1)中的金属颗粒的体积含有率设为a,并将粘接层(1)中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时,粘接层(1)中的填料的体积含有率(a+b)为0.20以上0.50以下,填料中的金属颗粒的体积含有率a/(a+b)为0.03以上0.70以下。
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公开(公告)号:CN102687257A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080050769.4
申请日:2010-11-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J4/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , C08F220/30 , H01L21/565 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/27002 , H01L2224/274 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83201 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/92247 , H01L2224/93 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/2809 , Y10T428/31935 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/27 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,其包括:使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序;通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序;将半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序;以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片,在它们之间夹着粘接剂层的状态下进行压接,从而进行粘接的工序。
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公开(公告)号:CN101887887B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201010179977.6
申请日:2010-05-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 马克塔·G·法鲁克 , 萨布拉马尼安·S·伊耶
IPC: H01L25/065 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80801 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83201 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105
Abstract: 一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐,使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合,其中接合的金属层形成电隔离层。
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公开(公告)号:CN106796898B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201580053121.5
申请日:2015-09-21
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
CPC classification number: H01L24/83 , B22F3/14 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29139 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/7511 , H01L2224/7525 , H01L2224/75315 , H01L2224/755 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83095 , H01L2224/83101 , H01L2224/83201 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83911 , H01L2224/83948 , H05K3/32 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法,该方法包括以下步骤:将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上,通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上,其特征在于,为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化,该低温加压烧结在具有0.005%至0.3%的相对氧含量的低氧气氛中进行。
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