用于等离子体处理室的电极

    公开(公告)号:CN109994352A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201811201784.9

    申请日:2018-10-16

    Abstract: 本发明涉及用于等离子体处理室的电极。一种用于将射频功率传输到等离子体处理区的电极包括由半导体材料形成的板和形成在所述板的顶表面上并与所述板成一体的高导电率层。所述高导电率层具有比所述板的所述半导体材料的电阻低的电阻。所述电极包括分布的通孔。每个通孔延伸穿过所述电极的从所述高导电率层的顶表面到所述板的底表面的整个厚度。在一些实施方式中,板可以由硅材料形成,并且高导电率层可以是由板的硅材料形成的硅化物材料。

    一种离子引出系统驱动装置

    公开(公告)号:CN109216141A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710560156.9

    申请日:2017-07-05

    Inventor: 方明江 蔡成振

    Abstract: 本发明公开了一种离子引出系统驱动装置,包括:X轴运动模块、Y轴运动模块、Z轴运动模块、R轴运动模块、真空密封模块、电极模块,所述电极模块由引出地电极、抑制电极、绝缘瓷柱等构成,该装置主要作用是驱动真空腔室中的电极模块相对于离子源弧室引出板做相应的运动,提高束流的传输效率与品质,形成理想束流发射状态,变于后面光路部件充分发挥作用。

    带电粒子束装置及其光轴调整方法

    公开(公告)号:CN108463869A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201680078107.5

    申请日:2016-01-29

    Inventor: 薮修平

    Abstract: 本发明的目的在于在改变了光学条件的情况下也抑制光轴偏移,在本发明的一个实施方式中,具有:带电粒子源(1),其释放出照射到样本(14)的带电粒子束(4);聚焦透镜系统,其包括至少一个将带电粒子束(4)以预定的缩小率聚焦的聚焦透镜(7、8);偏转器(5、6),其位于上述聚焦透镜系统中最下游的聚焦透镜(8)与带电粒子源(1)之间,使带电粒子源(1)的虚拟位置移动;以及控制单元(20、21、22),其控制偏转器(5、6)以及上述聚焦透镜系统,控制单元(20、21、22)控制偏转器(5、6)使带电粒子源(1)的虚拟位置移动到抑制由上述聚焦透镜系统的缩小率的变化引起的、上述聚焦透镜系统的下游的带电粒子束(4)的中心轨道的偏移的位置(36)。

    一种离子注入机用光路对中工装

    公开(公告)号:CN107644800A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201610582816.9

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 本发明提供一种离子注入机用光路对中工装,该工装用于完成离子注入机关键光路部件位置校准,以保证离子束沿理论设计路线传输。该对中工装包括激光发射装置、可调整激光器固定架和光路部件工装,该对中工装可以实现对中束流离子注入机的离子源区与平行透镜区进行结构对中校准,保证注入机有最好品质与效率的离子束流传输。

    一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法

    公开(公告)号:CN105575748B

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201510915124.7

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种提高大口径离子源离子束流均匀性的方法,其步骤为:S1:设置具有引出孔的栅网;将栅网安装在离子源放电室束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图A;S2:调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图A,调整栅网上引出孔的分布;将调整引出孔分布后的栅网安装在同一个离子源放电室相同束流出口位置,对其束流密度均匀性进行测试,并绘出束流密度分布图B;S3:二次调整栅网上引出孔的分布;根据束流密度分布图B,再细微调整栅网上引出孔的分布;S4:安装栅网;安装最终的栅网,离子源离子束均匀性即满足要求。本发明具有原理简单、操作简便、能够降低成本等优点。

    一种离子源
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106158564B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201610789739.4

    申请日:2016-08-31

    Inventor: 刁克明

    Abstract: 本发明涉及一种离子源,包括:气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器,所述气体电离装置用于产生等离子体,所述离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速,所述等离子体桥式中和器用于向离子束发射电子生成中性离子束;所述离子源还包括检测系统和控制系统,其中检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布,控制系统用于根据等离子体电位径向分布调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。本发明可以在离子源采用不同的离子束参数时,根据等离子体电位径向分布来动态调整等离子体桥式中和器的位置,从而达到最佳的中和效果。

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