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公开(公告)号：CN101540251A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101515524A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004963.8
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , H01J2201/30484 , H01J2329/0439 , H01J2329/0455 , H01J2329/0465
Abstract: 本发明提供一种用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器。一种用于形成电子发射器的水基复合物，其包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。一种电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物，并且使用水基复合物来制备。一种电子发射器件包括该电子发射器。用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的图案，且采用水基复合物制备的电子发射器具有非常小的残余碳量。
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公开(公告)号：CN100528547C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480018267.8
申请日：2004-04-28
Applicant: 利安德罗·鲍尔詹诺 , 丹尼尔·E·里萨斯科
Inventor： 利安德罗·鲍尔詹诺 , 丹尼尔·E·里萨斯科
CPC classification number: H01M4/9066 , B82Y30/00 , C01B32/15 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01M4/8605 , H01M4/8621 , H01M4/8652
Abstract: 本发明描述了一种单壁碳纳米管(SWNTSs)和含有少量催化金属，例如钴和钼的陶瓷载体(例如二氧化硅)的复合材料。包含金属和陶瓷载体的颗粒用作制备单壁碳纳米管的催化剂。这样制备的纳米管-陶瓷复合物可在“制备”状态使用，无需进一步纯化，从而具有明显的成本优势。纳米管-陶瓷复合物和那些纯化碳纳米管相比，在比如场发射设备的应用中显示了改进的性能。采用沉淀法二氧化硅和气相法二氧化硅使得纳米管-陶瓷复合物可以协同改善陶瓷(例如二氧化硅)和单壁碳纳米管的性能。将这些复合材料加入聚合物中可以改善聚合物的性能。这些性能包括热导率、热稳定性(抗老化性)、电导率、结晶动力学改进、强度、弹性模量、断裂韧性和其它机械性能。其它纳米管-陶瓷复合物可以基于Al2O3、MgO和ZrO2制备，例如其适用于多种应用。
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公开(公告)号：CN100513308C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510079459.6
申请日：2005-06-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469
Abstract: 具有优良特性的碳纤维非常均匀地形成在衬底上。提供一种制造碳纤维的方法，包括如下步骤：将由第一催化剂材料和包含第二催化剂材料的颗粒形成的层状体设置在衬底上，使第一和第二催化剂材料之间进行反应以从其中形成催化剂颗粒，以及使由此获得的催化剂颗粒和碳纤维的原材料之间进行反应。结果，在衬底上形成了碳纤维。
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公开(公告)号：CN101442848A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710124674.2
申请日：2007-11-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/305 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2237/06341 , H01J2237/317 , H05B2214/04 , Y10S977/742
Abstract: 本发明涉及一种局域加热物体的方法，包括以下步骤：提供一待加热的物体和一电子发射源，该电子发射源具有一电子发射端，该待加热物体具有一待加热端；将该待加热物体和该电子发射源放入一真空环境中，并使该电子发射源的电子发射端正对待加热物体的待加热端设置；在所述待加热物体和电子发射源之间施加一电压，所述电子发射源发射的电子轰击所述待加热物体的待加热端，对该待加热物体进行局域加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101441969A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710124775.X
申请日：2007-11-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/862 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/86 , Y10S977/952
Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一个阴极，至少三个阳极和设置于该阳极表面的荧光粉层，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，其中，所述阴极包括至少三个阴极发射体，该至少三个阴极发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，所述每个阴极发射体包括一电子发射端，该至少三个阴极发射体的电子发射端分别靠近与之对应的阳极表面设置。
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公开(公告)号：CN101432838A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200580030256.6
申请日：2005-09-08
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 公开一种使用纳米微粒如碳纳米管(CNT)形成用于场致发射器件的阴极的方法。CNT层包含在阴极表面上的电子发射材料。采用本发明的方法，可以通过在阴极表面形成发射孤立体来调整沉积的CNT的密度。CNT发射孤立体的尺寸和分布可用来对形成的CNT层选择最佳的场致发射性质。一个实施方式中，CNT发射孤立体是采用丝网印刷的沉积方法形成的。本发明方法在沉积步骤后不需要进一步的处理步骤来激活或对齐碳纳米管进行场致发射。
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公开(公告)号：CN101427340A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780013348.2
申请日：2007-02-28
Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J2201/30469 , Y10S977/72 , Y10S977/857 , Y10S977/858 , Y10S977/939
Abstract: 碳纳米管(CNT)组分被制入通过印刷或模板印刷工艺可分配的油墨(1205)中。CNT油墨(1205)被分配到通过模板(1204)在阴极结构中形成的阱中。
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公开(公告)号：CN100474482C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02814520.8
申请日：2002-07-18
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 冷阴极场致电子发射部件由以下部分构成：设置于支持体(10)上的阴电极(11)；形成于支持体(10)和阴电极(11)之上的绝缘层(12)；形成于绝缘层(12)上的栅电极(13)；形成于栅电极(13)和绝缘层(12)的开口部(14A、14B)；在位于开口部(14B)底部的阴电极(11)部分之上所形成的电子发射部(15)。电子发射部(15)由基质(21)和以前端部突出的状态埋置于该基质(21)中的碳纳米管结构体(20)构成。
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公开(公告)号：CN101388310A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710077114.6
申请日：2007-09-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射体，该场发射体包括一基底、一阴极层位于该基底表面及一碳纳米管复合层位于上述阴极层表面，其中，该碳纳米管复合层的表面包括至少一个突起部，该突起部包括至少一个碳纳米管从突起部突出。一种场发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管浆料；提供一基底及一阴极层，该阴极层形成于该基底上；将上述碳纳米管浆料涂敷于一阴极层上，冷却后，形成一碳纳米管复合层于阴极层上；以一定功率和扫描速度的激光照射碳纳米管复合层表面形成场发射体。
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