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41.发明申请수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드 审中-公开用于制造垂直型发光二极管，垂直型发光二极管的方法，制造超紫外线发光二极管的方法和超紫外线发光二极管
公开(公告)号：WO2014175564A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/002642
申请日：2014-03-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드, 그 제조 방법과 자외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다. 한편, 자외선 발광다이오드에서 p형 클래드층 상에 p-전극을 증착시킴에 있어, p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 10% 이상의 면적에만 p-전극을 증착시키는 경우, p형 클래드층이 노출되는 면적이 넓어 p-전극이 증착되지 않은 부분을 통하여 자외선의 투과율을 높일 수 있다. p-전극의 형태는 메시 형태, 타공판 형태, 일차원 그리드 형태 등이 될 수 있다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 방출되는 빛이 자외선인 경우에도 투과율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直型发光二极管及其制造方法，紫外线发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直型发光二极管基于具有pn结合结构的氮化物半导体，在p型覆盖层上形成透明材料层，透明材料层的折射率不同于 p型覆盖层并具有图案结构。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层中形成立体图案之后，沉积p电极，因此在p电极中形成图案。 来自活性层的光通过在p电极中形成的图案以宽的辐射角发射，并且根据图案形式和材料的折射率改善反射率。 另一方面，在紫外线发光二极管的p型覆盖层上淀积p电极的情况下，当p型电极仅沉积在p型覆盖层的上部的10〜70％时， p型覆盖层被暴露的情况较宽，因此可以增加通过不沉积p电极的区域的紫外线的透射率。 p型电极的形式可以是网格形式，冲压板形式，一维网格形状等。本发明的垂直型发光二极管通过简单的工艺制造，并且具有高的反射效率，因为 光通过p电极的图案以广角发射。 因此，本发明可以提供一种高效率的垂直型发光二极管。 此外，即使当发射的光是紫外线时，也可以提高透射率。
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公开(公告)号：WO2012008680A2
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/KR2011/003025
申请日：2011-04-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 최종필
Inventor： 최종필
CPC classification number: G06F11/261 , G06F17/5027 , G06F2217/04
Abstract: 본 발명은 SoC 개발에 있어서 하드웨어적인 한계를 극복하고 편의성을 향상시키며 개발 기간을 단축할 수 있는 분산 환경에서의 FPGA 설계 검증 방법 및 시스템에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明涉及在分布式环境中，以减少开发周期sikimyeo克服在SoC开发的硬件限制和提高方便性的FPGA设计验证的方法和系统。
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公开(公告)号：WO2011025290A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005762
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 장종진
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 일정 방향으로 경사면을 이루는 사파 이어 결정면의 해당 오프-축(off-axis) 상에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극 성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며, 상기 틸트된 기 판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법 이다.
Abstract translation:
本发明去除在非极性/半极性氮化物半导体层的生长中产生的压电现象（压电效应）的氮化物半导体有源层上形成的氮化物半导体晶体，以及一个预定的方向上的可能的蓝宝石晶面极性 一个SAFA构成倾斜面的晶面的关断之后 - 高品质，其在轴线形成一模板（模板）层（离轴），以减小半导体器件的缺陷密度提高的非极性/半极性半导体的内部量子效率和光提取效率 及其制造方法。 在本发明中，悲剧第一或具有半导体层的晶面和制造半导体器件根据在蓝宝石衬底上形成的半导体器件结构的方法在蓝宝石衬底上半极性氮化物生长模板层是晶面是在一定的方向倾斜（ 在倾斜的基板上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
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公开(公告)号：WO2010110524A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/KR2009/006818
申请日：2009-11-19
IPC: H01F27/08
Abstract: 본 발명은 초전도 전력 변압 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 초전도 전력 변압 장치는 변압 케이블 통과구가 형성되며, 내부에 액상의 냉각수단이 채워진 변압기 수용체와; 상기 냉각수단에 담겨진 상태로 상기 변압기 수용체에 수용되는 초전도 변압기와; 절환 케이블 통과구가 형성되며, 외부로부터 밀폐된 진공 상태의 절환기 수용체와; 진공 상태의 상기 절환기 수용체에 수용되는 전압 탭 절환기와; 상기 초전도 변압기와 상기 전압 탭 절환기를 연결하는 변압기 권선 탭 케이블이 통과되도록 상기 변압기 수용체의 상기 변압 케이블 통과구와 상기 절환기 수용체의 상기 절환 케이블 통과구를 연결하되, 상기 변압기 수용체 및 상기 절환기 수용체로부터 밀폐된 진공 상태의 케이블 연결관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 극저온에서 동작하는 초전도체 변압기와 저온에서 동작하는 온-로드 탭 체인저와 같은 전압 탭 절환기의 동작이 보장된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种超导电力变压器装置。 根据本发明，超导电力变压器装置包括变压器接收器，其中形成变压器电缆通道孔，变压器接收器的内部充满液体冷却装置; 在冷却装置中处于浸入状态并被接纳到变压器受体中的超导变压器; 交换器受体，其中形成交换器电缆通道孔，并且交换器受体处于从外部密封的真空状态; 在真空状态下被接纳到交换器受体中的电力抽头交换器; 以及连接变压器电缆通道孔和交换器接收器的交换电缆通道孔的电缆连接管，使得连接超导变压器和电力抽头交换机的变压器绕组电缆被允许通过，其中电缆连接管是 在从变压器接收器和交换器接收器密封的真空状态下。 因此，提供了在极低温度下工作的超导变压器和诸如有载分接开关的电力抽头交换器。
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公开(公告)号：KR102253434B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020190178198
申请日：2019-12-30
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Inventor： 서석현
Abstract: 본발명은드론(Drone)을이용하여야적장이나넓은야외주차장에주차된차량의차대번호(VIN)와주차위치를인식함으로써야적장에주차된차량을자동으로관리하는드론이용주차차량위치인식방법및 시스템에관한것이다. 본발명의실시예에따른드론이용주차차량위치인식방법은야적장또는야외주차장의크기를추출하는단계(S10), 상기야적장또는야외주차장의크기에대응되도록 2차원배열로이루어지는가상의주차구획과주차맵을설정하는단계(S20) 및드론을이용하여상기주차맵에대응되는야적장또는야외주차장의스타트포인트에서엔드포인트까지미리설정된이동경로에따라이동하며차량정보를측정하는단계(S30)를포함할수 있다. 또한, 영상처리부가측정된차량정보를토대로차량의차대번호(VIN)와차량의주차유무를인식하는단계(S40) 및제어부가인식된차량의차대번호(VIN)와차량의주차유무정보를토대로차대번호를주차맵의대응되는위치에매칭하여저장하는단계(S50)를포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102253407B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020200010056
申请日：2020-01-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은우수한절연성을나타내어트랙킹억제특성을갖으며, 우수한가공성, 내열성, 내후성및 난연성을가지는난연성폴리올레핀계수지조성물및 이를이용한고압전선에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102250431B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020190172959
申请日：2019-12-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티엔엔멀티미디어
Abstract: 웨어러블장치와웨어러블장치에의해수행되는그룹핑방법이개시된다. 웨어러블장치는웨어러블장치를제어하는프로세서및 다른장치와통신하는통신부를포함하고, 통신부는, 제1 통신방식을이용하여웨어러블장치와연동된사용자단말과제1 통신을수행하고, 제2 통신방식을이용하여다른웨어러블장치와제2 통신을수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR102219874B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020190054828
申请日：2019-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 매용훈
IPC: H01L33/50
Abstract: 본발명의실시예들은형광체플레이트제조방법으로서, 유리분말을제조하는유리분말제조단계, 상기제조된유리분말과형광물질을혼합하고가열및 소결시켜형광체플레이트를형성하는형광체플레이트형성단계, 상기형성된형광체플레이트의일면또는양면을제1패드및 제1슬러리를이용하여기계적으로연마하는제1연마단계, 상기연마된형광체플레이트의일면또는양면을제2패드및 제2슬러리를이용하여화학적으로연마하는제2연마단계를포함하여구성되는형광체플레이트제조방법를제공한다. 이에, 본발명의실시예들은제1연마단계및 제2연마단계를거쳐서형광체플레이트를제조함으로써, 형광체플레이트의표면이더욱균일하게연마되어조도및 광투과율이높아지고향상될수 있다.
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公开(公告)号：KR102094634B1
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：KR1020190036178
申请日：2019-03-28
Applicant: 주식회사 삼정솔루션 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H04K3/00
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