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    SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PHOTON DETECTION
    41.
    发明专利
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PHOTON DETECTION 未知

    公开(公告)号：SG187357A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：SG2012053526

    申请日：2012-07-19

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： POPP MARTIN ,  BEAT DE COI ,  MARCO ANNESE

    Abstract: - 24 -AbstractSemiconductor structure for photon detectionWhat is proposed is a semiconductor structure (1, 101, 201) for photon detection, comprising: a substrate (2, 102, 202) composed of a semiconductor material having a first doping, a contact region (3, 103, 203) fitted at the frontside of the substrate, a bias layer (4, 104, 204) composed of a semiconductor material having a second doping, which is arranged on the backside of the substrate at a distance from the contact region, wherein the contact region at least partly lies opposite the bias layer, such that an overlap region is present in a lateral direction, a guard ring (5, 105, 205), which is arranged at the frontside of the substrate and surrounds the contact region, wherein a reverse voltage can be applied between the contact region and the guard ring. In order to enable more cost-effective production, the overlap region has a lateral extent amounting to at least one quarter of the distance between contact region and bias layer.Figure 1

    Photosensor und Photosensormatrix
    42.
    发明专利
    Photosensor und Photosensormatrix 未知

    公开(公告)号：DE102009009814A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：DE102009009814

    申请日：2009-02-20

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： LEIPOLD DIRK ,  ANNESE MARCO

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Photosensor (1, 101) mit wenigstens einer integrierten CMOS-Schaltung (5, 105), die in einem Halbleitersubstrat (2, 102, 202) integriert ist, mit aktiven CMOS-Bauelementen sowie einer im Halbleitermaterial ausgebildeten Photodiode. Um eine hohe Lichtquantenausbeute zu ermöglichen, ist die Photodiode aus einer sich im Halbleitersubstrat befindenden dotierten Region (3, 103) und dem verbleibenden Bulkmaterial (6, 106) des Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei die aktiven CMOS-Bauelemente von dem verbleibenden Bulkmaterial des Halbleitersubstrats durch die dotierte Region räumlich getrennt werden. Ferner wird eine Photosensormatrix (300) vorgeschlagen.

    Lötverfahren und Schaltung
    43.
    发明专利
    Lötverfahren und Schaltung 未知

    公开(公告)号：DE102009009813A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：DE102009009813

    申请日：2009-02-20

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： LEIPOLD DIRK ,  DIETZ WOLFRAM ,  DE COI BEAT

    IPC: H05K3/34 ,  H01L21/60

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Lötverfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips (1) mit einer Leiterplatte (2) über wenigstens einen Lötkontakt (7) und zum Herstellen einer Schaltung (14), wobei der Halbleiterchip wenigstens ein elektrisch leitendes Pad (5) aufweist und die Leiterplatte wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (9) zur Kontaktierung mit wenigstens einem der Pads des Halbleiterchips umfasst, umfassend: eine Auftragung von Lötpaste (10) auf den wenigstens einen Leiterbahnabschnitt, einen Bondingprozess, bei dem ein Höcker (7) auf wenigstens einem Materialabschnitt (6) auf wenigstens eines der Pads gebondet wird, einen Bestückungsvorgang, bei dem die Leiterplatte so mit wenigstens einem der Halbleiterchips bestückt wird, dass wenigstens einer der Lötkontakte mit der Lötpaste in Berührung kommt, einen Heizprozess, bei dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Leiterbahnabschnitt und dem Pad hergestellt wird. Zur Verbesserung des Lötverfahrens wird als Lötkontakt ausschließlich der Höcker verwendet, wobei dieser aus einem homogenen Metall oder einer homogenen Metalllegierung besteht. Ferner wird eine nach dem Lötverfahren hergestellte Schaltung (14) vorgeschlagen.

    Time of flight distance sensor
    44.
    发明专利
    Time of flight distance sensor 未知

    公开(公告)号：IL251735D0

    公开(公告)日：2017-05-29

    申请号：IL25173517

    申请日：2017-04-13

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    IPC: G01S20060101

    Abstract: TOF distance sensor for capturing the distance to an object by receiving radiation reflected by the object, said radiation emanating from a radiation source modulated by a modulation frequency, comprising a pixel matrix for recording a pixel image. The pixel matrix consists of demodulation pixels which are designed for rear-side reception of the radiation. The demodulation pixels comprise a conversion region for generating charge carriers from the received radiation, and a separating device for separating the charge carriers in accordance with the modulation frequency, and also a stop for partitioning-off the conversion region from the separating device in relation to the charge carriers, and also an aperture for passing the charge carriers from the conversion region into the separating device. The TOF distance sensor is embodied in such a way that in each case at least two demodulation pixels form a common aperture.

    Dispositivo sensorial, procedimiento de producción y dispositivo de detección
    46.
    发明专利
    Dispositivo sensorial, procedimiento de producción y dispositivo de detección 未知

    公开(公告)号：ES2465599T3

    公开(公告)日：2014-06-06

    申请号：ES12000403

    申请日：2012-01-23

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： DE COI BEAT ,  POPP MARTIN

    IPC: G01S17/36 ,  G01S7/481 ,  G01S7/486 ,  G01S17/89

    Abstract: Dispositivo sensorial (1, 11), en especial dispositivo sensorial Time-of-flight (TOF) y/o CCD para un sensor de cámara 3-D, que presenta al menos un componente de circuito de conmutación analógico y uno digital así como un convertidor analógico/digital (8) para convertir señales analógicas del componente de circuito de conmutación analógico en señales digitales para el componente de circuito de conmutación digital (2), en donde el componente de circuito de conmutación analógico así como el componente de circuito de conmutación digital comprenden en cada caso al menos un módulo para la ejecución electrónica de una función, y en donde uno del al menos un módulo del componente de circuito de conmutación analógico está configurado como instalación sensorial (3) para la detección de radiación electromagnética y uno del al menos un módulo del componente de circuito de conmutación digital como instalación de tratamiento de señales para el tratamiento de señales digitales, caracterizado porque los componentes de circuito de conmutación, incluyendo el convertidor analógico/digital, están integrados como circuito de conmutación integrado en un chip y el chip está fabricado como estructura semiconductora en tecnología 1-Poly

    TOF DISTANCE SENSOR AND METHOD FOR OPERATION THEREOF
    48.
    发明专利
    TOF DISTANCE SENSOR AND METHOD FOR OPERATION THEREOF 未知

    公开(公告)号：SG2013082797A

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：SG2013082797

    申请日：2013-11-07

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： DIETER HUBER ,  MARKUS LEDERGERBER

    Abstract: The sensor (10) has an electronics apparatus (13) that generates modulation signal and correlation signals. A radiation source (20) emits radiation. A reception apparatus (40) receives radiation reflected by object (30). A correlation apparatus (60) correlates received radiation or corresponding variable to form correlation values. A difference-forming apparatus (70) forms two correlation values from difference between two of correlation values. A calculation apparatus (80) calculates distance with predetermined linear dependence on two difference correlation values. An independent claim is included for a method for operating a distance sensor.

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