公开(公告)号：CN1350664A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN00807374.0

申请日：2000-03-09

Applicant: ST微电子公司 ,  雅马哈发动机欧洲股份有限公司

Inventor： 塞归·乌尔雅诺夫 ,  江古多·雷佐托 ,  仓胁一郎 ,  塞归·潘飞洛夫 ,  法比奥·吉斯 ,  保罗·阿马托 ,  马西莫·波托

IPC: G05B13/02 ,  G06F17/30

CPC classification number: H04L9/083 ,  G06Q20/3674 ,  H04L9/0825 ,  H04L9/3263 ,  H04L63/0442 ,  H04L63/045 ,  H04L63/062 ,  H04L63/0823 ,  H04L63/18 ,  H04L63/20 ,  H04L2209/80 ,  H04W12/04 ,  H04W12/06 ,  H04W92/02

Abstract: 一种控制由控制信号(U*)驱动的过程(设备)以生成相应输出的方法,该方法包括:生成误差信号(ε),该信号为过程的状态(X)和参考信号的状态(Y)的函数;生成一个控制信号(U*),并将其馈送到过程(设备),控制信号为误差信号(ε)和参数调整信号(CGS)的函数;导出信号(S),该信号表示要最小化的数量,通过处理过程的状态(X)和控制信号(U*)的成对值,计算该信号;根据控制信号(U*)的一组不同值,计算校正信号(k2),该信号最小化将要最小化的导出信号(S);根据误差信号(ε)和校正信号(k2),利用神经网络和模糊逻辑处理器计算参数调整信号(CGS)。本发明之方法的特征在于:利用量子遗传搜索算法定期计算所述校正信号(k2),量子遗传搜索算法在于合并遗传算法和量子搜索算法。公开了本发明之方法的硬件实施方式。

公开(公告)号：CN1314739A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN01111613.7

申请日：2001-03-16

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 吉乌瑟普·嘎塔瓦利 ,  克劳迪欧·埃德拉格那 ,  毛罗·法格那尼

IPC: H02H7/122 ,  H02M3/338 ,  H02M7/5383

CPC classification number: H02M3/335 ,  Y10S323/901

Abstract: 使一个转换器失效并允许其自动恢复的方法和电路,其包括使用转换器的调节自供给电压作为外部传感器线的偏置电压,并作为监视表示由外部传感器线产生的监视量的信号的磁滞比较器的基准电压。当切换磁滞比较器时,切断集成转换器电压,并且通过对地短路连接在整流电路的输出与电路的公共接地节点之间的可分段电压箝位链的一部分,显著减小自供给集成转换器电路的整流电压的极限值。

公开(公告)号：CN1297836A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00131457.2

申请日：2000-10-11

Applicant: ST微电子公司 ,  ST微电子私营有限公司

Inventor： 裴·鹏·川 ,  安德烈·希加达

IPC: B65B61/04 ,  H01L23/28

Abstract: 一种用于对一集成电路封装件的引线框中一隔挡条进行裁切的设备,该设备包括用于将该隔挡条压入裁切插件中的压力装置和一用于封装件的支撑装置。该支撑装置包括其间放置所述封装件的第一和第二支撑装置。该第一和第二支撑装置由垂直推力机构施压以使得所述封装件的引线框能够一直与所述裁切插件保持接触。该设备还包括用于将所述支撑装置保持在承压位置的锁定装置。

公开(公告)号：CN104520875A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380036591.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 意大利广播电视股份公司 ,  ST微电子公司

Inventor： D·珀 ,  M·梅西纳

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/46

CPC classification number: G06K9/00744 ,  G06K9/4671

Abstract: 本发明提供一种用于从视频内容提取描述符的方法，包括以下步骤：关键帧提取步骤，应用基于局部描述符的方法来选择传入视频的画面作为关键帧，所述关键帧表示该视频的在视觉上均质的时间区域；内容分析步骤，分析所述关键帧的内容并将所述关键帧的图像碎片分类为对描述符的提取而言是感兴趣的或不感兴趣的；描述符提取步骤，从选择的所述关键帧提取紧凑描述符，并且还基于接收自所述内容分析步骤的输入来定义周围图像的集合；时间编码步骤，将与已在所述关键帧提取步骤中提取了所述关键帧的时间点有关的信息和在所述描述符提取步骤中提取到的所述紧凑描述符多路复用，获得所述描述符。

公开(公告)号：CN101100639B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610171911.6

申请日：2006-07-05

Applicant: ST微电子公司

Inventor： O·德萨迦赞 ,  M·德诺埃尔

IPC: C12M3/00 ,  C12Q1/04 ,  G01N1/28

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0361 ,  Y10S438/911

Abstract: 一种制造包括一片测微齿棱的装置的方法，包括以下步骤：在载体上形成多晶层；使用包括氯气和氦气的气体混合物各向异性等离子体刻蚀全部或部分多晶层，由此在多晶层表面形成齿棱。

公开(公告)号：CN102474094A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160740.9

申请日：2009-08-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司 ,  ST微电子公司

Inventor： 胡贝特·博德 ,  莫罗·贾科米尼

IPC: H02H7/20

CPC classification number: H01L27/0285 ,  H03K19/00315

Abstract: 一种电子装置(40)，包括：应用电路(42)；具有第一电势的第一供应线路(44)；具有不同于所述第一电势的第二电势的第二供应线路(46)；具有第三电势并连接至所述应用电路的至少一个端子(48)；以及用于保护所述应用电路免受注入电流影响的保护电路(50)；所述保护电路包括：连接在所述至少一个端子和所述第一供应线路之间的第一导线(52)，所述第一导线包括具有第一控制输入(56)的第一开关(54)；以及具有连接至所述至少一个端子的第一输入(60)、连接至所述第二供应线路的第二输入(62)、以及连接至所述第一控制输入的第一输出(64)的第一电压放大器电路(58)。

公开(公告)号：CN1918710B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200480036161.0

申请日：2004-12-02

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 让-吕克·莫朗 ,  让-巴蒂斯特·夸兰 ,  弗雷德里克·拉努瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/417 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其有源连接相对于半导体芯片的表面以垂直方向延伸基本上达到其整个厚度。所述连接与可连接的区域一起由基本上穿过整个可接触区域的导电指状件(32、34)保持。

公开(公告)号：CN101006711B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200580016896.1

申请日：2005-05-19

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 杰尔马诺·尼科利尼 ,  皮耶兰杰罗·孔法洛涅里 ,  利卡多·马蒂尼奥内

IPC: H04B1/707

CPC classification number: H04B1/707

Abstract: 描述了用于从数字信号重建模拟信号的电路和宽带传输系统，特别地用于在蜂窝电话系统或通常更多在采用WCDMA标准的移动通信系统的使用。该电路包括：适用于接收所述数字信号并将其转换为模拟形式的信号的数模转换器(DAC)；低通滤波器(LOW-PASS)，其连接在所述转换器的输出处，用于接收模拟形式的所述信号并提供所述重建模拟信号作为输出。有利地，该低通滤波器(LOW-PASS)为时间连续有源滤波器并且电流耦合到该数模转换器(DAC)的输出；而该数模转换器(DAC)为在大于所述要重建的模拟信号的Nyquist频率的采样频率处起作用的电流导引类型的转换器。

公开(公告)号：CN100483740C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN100474563C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580016672.0

申请日：2005-04-18

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 安娜·庞扎 ,  里卡多·德佩特罗 ,  皮特罗·蒙塔尼尼

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体芯片内集成器件的工艺，包含：形成部分悬于半导体衬底(2)上方并通过临时锚点(10、15’)限制于所述衬底(2)的半导体层(5’)；将所述半导体层(5’)划分成横向相互分离的多个部分(13)；以及除去所述临时锚点(10、15’、38)以释放所述部分(13)，其中形成所述半导体层(5’)的所述步骤包含在形成所述半导体层(5’)之前制作多个掩埋腔(4’)，其中制作掩埋腔(4’)的所述步骤包含：在所述衬底(2)内挖开多个相邻的深沟槽(4)；生长外延层(5)以闭合所述深沟槽(4)；以及执行退火步骤，藉此由所述外延层(5)形成所述半导体层(5’)。