PROCEDE D'ENCAPSULATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES SUR TRANCHE

    公开(公告)号:FR2953063A1

    公开(公告)日:2011-05-27

    申请号:FR0958223

    申请日:2009-11-20

    Abstract: L'invention concerne un procédé d'encapsulation de composants électroniques, comprenant les étapes suivantes : former, dans une première face d'une tranche semiconductrice, des composants électroniques (12, 14) et des tranchées remplies de conducteur (16) ; former un empilement d'interconnexion (18) ; former des premiers plots d'accrochage (24) et reporter au moins une puce (28) sur lesdits premiers plots d'accrochage ; déposer une couche de résine épaisse (30) ; amincir la tranche jusqu'à laisser apparaître le fond des tranchées (16) ; former des seconds plots d'accrochage (36) sur la face inférieure de la tranche, en regard des tranchées, et former des billes de soudure (38) sur les seconds plots ; former une seconde couche de résine (40), la seconde couche de résine ne recouvrant pas les billes ; amincir la première couche de résine (30) ; coller une première bande adhésive (4 6) sur la première couche de résine ; et découper la structure en puces.

    DIODE DE PROTECTION BIDIRECTIONNELLE BASSE TENSION

    公开(公告)号:FR2953062A1

    公开(公告)日:2011-05-27

    申请号:FR0958323

    申请日:2009-11-24

    Abstract: L'invention concerne une diode de protection bi-directionnelle verticale comprenant, sur un substrat (1) fortement dopé d'un premier type de conductivité, des première (3), deuxième (4) et troisième (5) régions des premier, deuxième et premier types de conductivité, ces régions ayant toutes un niveau de dopage supérieur à 2 à 5x1019 atomes par cm3 et étant délimitées latéralement par une tranchée isolée (7), chacune des ces régions ayant une épaisseur inférieure à 4 µm.

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