公开(公告)号：CN119920705A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411529082.9

申请日：2024-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  李丽珍 ,  徐康一

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 提供了一种晶片接合方法。晶片接合方法包括将第一晶片和第二晶片彼此重叠。第一晶片包括其上具有第一对准标记的透明或半透明材料。第二晶片具有第二对准标记。该方法包括提供穿过第一晶片的光以检查第一对准标记与第二对准标记的对准。该方法包括将第一晶片接合到第二晶片。此外，该方法包括在第一对准标记保持接合到第二晶片的同时去除透明或半透明材料。

公开(公告)号：CN119361556A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410971293.1

申请日：2024-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H10D84/85 ,  H03K19/00

Abstract: 提供了一种基于单元架构的半导体器件，该单元架构包括：第一半导体单元；以及第二半导体单元，其在第一方向上连接到第一半导体单元，使得第一半导体单元的输出引脚连接到第二半导体单元的输入引脚，其中，第二半导体单元采用其中倒置第一半导体单元的形式。

公开(公告)号：CN119314976A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410926168.9

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  李长根 ,  洪元赫 ,  徐康一

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法。该半导体器件包括：正面结构，包括前道工序(FEOL)结构、中间工序(MOL)结构和后道工序(BEOL)结构中的至少一个；在正面结构上的第一金属线；以及在正面结构上的第二金属线，其中，在相同的方向上，第一金属线具有比第二金属线更大的宽度，第一金属线和第二金属线具有相等的高度。

公开(公告)号：CN119181706A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410807875.6

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  李钟振 ,  杰森·马蒂诺 ,  徐康一 ,  洪元赫

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；沟道结构，将第一源极/漏极区连接到第二源极/漏极区；围绕沟道结构的栅极结构；背面接触结构，在第一源极/漏极区下面，连接到第一源极/漏极区；以及在背面接触结构的横向侧处的第一背面间隔物。

公开(公告)号：CN118841397A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410347594.7

申请日：2024-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  徐康一 ,  朴世廷

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路装置和形成其的方法。该集成电路装置可以包括：下金属布线；上金属布线，在下金属布线上；金属过孔，在下金属布线与上金属布线之间，金属过孔包括分别接触下金属布线和上金属布线的下表面和上表面；以及阻挡层，在金属过孔的侧表面上延伸。阻挡层的上部可以向上延伸超过上金属布线的下表面。

公开(公告)号：CN118738052A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410366109.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  朴金锡 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了集成电路器件及其形成方法，该集成电路器件可以包括电源开关单元，该电源开关单元包括在衬底上的上晶体管和位于衬底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上沟道区、第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区、以及位于上沟道区上的上栅极电极。下晶体管可以包括下沟道区、第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区以及位于下沟道区上的下栅极电极。第一上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以具有相同的导电类型，第一上源极/漏极区和第一下源极/漏极区可以彼此电连接，第二上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以彼此电连接，并且上栅极电极和下栅极电极可以彼此电连接。

公开(公告)号：CN118553783A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410212956.1

申请日：2024-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪元赫 ,  李钟振 ,  金泰善 ,  郑明勋 ,  徐康一

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开提供了半导体器件结构及其形成方法。公开了一种用于在半导体器件中形成瓶颈形背侧接触结构的系统和方法，其中瓶颈形背侧接触结构具有部分地在第一源极/漏极结构内的第一侧、接触背侧电源轨的第二侧以及从第一侧延伸到背侧电源轨的衬垫。衬垫包括由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第一区域、由Ti/TiN衬垫构成的第二区域以及由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第三区域。背侧接触结构包括具有正斜率的第一部分以及与第一部分相邻、不具有斜率的第二部分。

公开(公告)号：CN118553718A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197552.X

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  朴金锡 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：沟道结构；源区/漏区，通过沟道结构连接；以及背侧接触结构，形成在源区/漏区中的至少一个下方，其中，在第一方向剖视图中，背侧接触结构的靠近源区/漏区的上部的宽度小于背侧接触结构的远离源区/漏区的下部的宽度，其中，在第二方向剖视图中，背侧接触结构的上部的宽度和背侧接触结构的下部的宽度沿着竖直向下的方向基本均匀，并且其中，第一方向与第二方向相交。

公开(公告)号：CN118213344A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311713402.1

申请日：2023-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  洪元赫 ,  李钟振 ,  咸富铉 ,  徐康一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 为了实现用于背面配电网络的更高接触质量，提供了到半导体器件的背面接触、具有该背面接触的半导体单元及其制造方法，该背面接触具有正斜率和电介质侧壁衬垫。

公开(公告)号：CN109979989B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201811612378.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  徐康一 ,  朴容喜 ,  白尚训 ,  千健龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。