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公开(公告)号:CN106062241B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201580011616.1
申请日:2015-06-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , C22C9/00 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C27/04 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C38/12 , C23C14/08 , G02B1/113
Abstract: 本发明的溅射靶中,作为金属元素,将Mo及In中的任一种或两种以及Cu及Fe中的任一种或两种作为主成分,且含有5~80原子%的Mo及In中的任一种或两种以及20~95原子%的Cu及Fe中的任一种或两种,所述金属元素的一部分或全部以氧化物形式构成。
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公开(公告)号:CN105008580B
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201480010218.3
申请日:2014-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C22C28/00 , C22F1/00 , C22F1/16
Abstract: 本发明提供一种溅射靶,该溅射靶的机械加工性优异,且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶,其特征在于,相对于溅射靶中的全部金属元素,含有15.0~50.0原子%的Ga、合计0.1~10.0原子%的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号:CN108603283A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780009799.2
申请日:2017-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于,具有如下组成:作为金属成分含有5原子%以上且60原子%以下的Ga及0.01原子%以上且5原子%以下的碱金属,并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80%。
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公开(公告)号:CN105637114B
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201580002219.8
申请日:2015-04-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor: 张守斌
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F3/02 , B22F2301/052 , B22F2301/15 , B22F2302/45 , C04B35/58085 , C04B35/62605 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3279 , C04B2235/402 , C04B2235/405 , C04B2235/421 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C23C4/067 , C23C4/123 , C23C14/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491
Abstract: 本申请发明的溅射靶是含有0.5~10at%的选自Ni及Al中的至少一种金属元素、及0.01~10000重量ppm的B或P,剩余部分由Si及不可避免的杂质构成的烧结体,所述烧结体的体积电阻为10Ω·cm以下,并且,理论密度比为85%~99%,抗折强度为65N/mm2以上。
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公开(公告)号:CN105074047B
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201480018190.8
申请日:2014-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D11/004 , B22D11/006 , B22D13/02 , B22D13/023 , B22D21/025 , C22C9/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu‑Ga合金圆筒型溅射靶,其由含有15~35原子%的Ga的Cu合金所构成,所述Cu合金具有粒状结晶组织。
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公开(公告)号:CN104718308B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201380053585.7
申请日:2013-10-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/24 , B22F2003/247 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种机械加工性优异,并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga:28~35原子%、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成,还具有以Ga:28原子%以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga:26原子%以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。
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公开(公告)号:CN106187154A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610803625.0
申请日:2012-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L31/18
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO-SiO2-Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成,所述氧化物烧结体具有如下成分组成,即相对于总金属成分量含有Al:0.3~4.0wt%、Si:6.0~14.5wt%,剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成,该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序:将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3:0.5~5.0wt%、SiO2:10~22wt%、剩余部分:由ZnO及不可避免的杂质组成,以此来作为混合粉末;及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。
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公开(公告)号:CN106170581A
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201580018738.3
申请日:2015-07-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶是具有如下成分组成的Cu‑Ga合金溅射靶,即含有Ga:0.1~40.0原子%且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其中,空孔率为3.0%以下,空孔的外接圆的平均直径为150μm以下,并且,Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。
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公开(公告)号:CN103261473B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201280003518.X
申请日:2012-04-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 提供一种具有卓越的机械加工性能,并且能形成一种主要含有Cu和Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有包括如下物质的成分组成:Ga:20~40at%,Sb:0.1~3at%,剩余部分为Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法的特征在于,包括以下步骤:通过粉碎至少Cu、Ga以及Sb各元素的单质或含有其中两种以上元素的合金,来生产原料粉末的步骤;和将所述原料粉末在真空、惰性气氛中或还原性气氛中进行热加工的步骤,所述原料粉末中所含的Ga以CuGa合金或GaSb合金的形式存在。
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公开(公告)号:CN105121695A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201480020879.4
申请日:2014-04-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/10 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体,即作为金属元素含有Ga:10~40原子%、Na:0.1~15原子%,且残余部分由Cu及不可避免杂质构成,在该烧结体中,以由硫酸钠、亚硫酸钠、硒酸钠及亚硒酸钠中的至少1种构成的Na化合物含有Na,该烧结体具有分散有Na化合物相的组织,所述Na化合物相的平均粒径为10μm以下。
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