公开(公告)号：CN106062241B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201580011616.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  张守斌 ,  盐野一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C27/04 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/12 ,  C23C14/08 ,  G02B1/113

Abstract: 本发明的溅射靶中，作为金属元素，将Mo及In中的任一种或两种以及Cu及Fe中的任一种或两种作为主成分，且含有5～80原子％的Mo及In中的任一种或两种以及20～95原子％的Cu及Fe中的任一种或两种，所述金属元素的一部分或全部以氧化物形式构成。

公开(公告)号：CN105008580B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480010218.3

申请日：2014-02-25

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  梅本启太

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，该溅射靶的机械加工性优异，且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有15.0～50.0原子％的Ga、合计0.1～10.0原子％的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN108603283A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780009799.2

申请日：2017-02-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌 ,  盐野一郎 ,  井尾谦介

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/24 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，具有如下组成：作为金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的碱金属，并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80％。

公开(公告)号：CN105637114B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580002219.8

申请日：2015-04-16

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/02 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/45 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C4/067 ,  C23C4/123 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

Abstract: 本申请发明的溅射靶是含有0.5～10at％的选自Ni及Al中的至少一种金属元素、及0.01～10000重量ppm的B或P，剩余部分由Si及不可避免的杂质构成的烧结体，所述烧结体的体积电阻为10Ω·cm以下，并且，理论密度比为85％～99％，抗折强度为65N/mm2以上。

公开(公告)号：CN105074047B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201480018190.8

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  张守斌 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  B22D13/02 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D11/004 ,  B22D11/006 ,  B22D13/02 ,  B22D13/023 ,  B22D21/025 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu‑Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。

公开(公告)号：CN104718308B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380053585.7

申请日：2013-10-16

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/247 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。

公开(公告)号：CN106187154A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610803625.0

申请日：2012-02-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO-SiO2-Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt％、Si：6.0～14.5wt％，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt％、SiO2：10～22wt％、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。

公开(公告)号：CN106170581A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201580018738.3

申请日：2015-07-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶是具有如下成分组成的Cu‑Ga合金溅射靶，即含有Ga：0.1～40.0原子％且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，空孔率为3.0％以下，空孔的外接圆的平均直径为150μm以下，并且，Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。

公开(公告)号：CN103261473B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280003518.X

申请日：2012-04-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  太阳能先锋株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3407 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 提供一种具有卓越的机械加工性能，并且能形成一种主要含有Cu和Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有包括如下物质的成分组成：Ga:20～40at%，Sb:0.1～3at%，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法的特征在于，包括以下步骤：通过粉碎至少Cu、Ga以及Sb各元素的单质或含有其中两种以上元素的合金，来生产原料粉末的步骤；和将所述原料粉末在真空、惰性气氛中或还原性气氛中进行热加工的步骤，所述原料粉末中所含的Ga以CuGa合金或GaSb合金的形式存在。

公开(公告)号：CN105121695A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480020879.4

申请日：2014-04-10

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  梅本启太 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体，即作为金属元素含有Ga:10～40原子％、Na：0.1～15原子％，且残余部分由Cu及不可避免杂质构成，在该烧结体中，以由硫酸钠、亚硫酸钠、硒酸钠及亚硒酸钠中的至少1种构成的Na化合物含有Na，该烧结体具有分散有Na化合物相的组织，所述Na化合物相的平均粒径为10μm以下。