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公开(公告)号：CN101410557A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780008791.0
申请日：2007-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , H01L21/208 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101370971A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200680052613.3
申请日：2006-12-21
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C22B3/22 , C22B7/003 , C22B7/004 , C22B26/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y02P10/234
Abstract: 本发明提供一种从含有钠金属的助熔剂中，温和且无危险性地在短时间内仅将钠金属以可再利用的形态回收的方法。通过在与钠金属22为非反应性的介质19中，对助熔剂23用钠金属熔点以上的温度进行加热处理，将钠金属22从助熔剂23中分离，并回收。介质19例如为烃。
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公开(公告)号：CN1958886A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610137998.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/00 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。
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公开(公告)号：CN118591662A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380015284.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，能够抑制在该基板上形成的元件的特性偏差。本发明的实施方式的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面的面内的电阻率的最小值为1×107cmΩ以上，该第一面的面内的电阻率的最小值为该第一面的面内的电阻率的最大值的0.01倍以上。
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公开(公告)号：CN116783334A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280008311.5
申请日：2022-02-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B19/02
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其即便在偏离取向具有偏差的情况下，外延生长时的结晶生长的行为变化也较小，不易产生面内的形貌紊乱、或特性偏差。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，c面相对于该第一面的取向而倾斜，该倾斜的方向进入于＜1‑100＞方向与＜11‑20＞方向之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108138361B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680052907.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , C30B29/38 , C30B19/12
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。
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公开(公告)号：CN107208312B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680004629.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。
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公开(公告)号：CN108699728A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780010205.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 在取向多晶第13族元素氮化物自立基板中减小单晶粒子的倾角，另外减小倾角的波动。自立基板包含由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物。自立基板具有上表面和底面。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，以1×1017原子/cm3～1×1020原子/cm3的浓度含有锌。
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公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN105814244B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480066807.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/0095 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L29/2003 , H01L33/32
Abstract: 对于具有氮化镓层的基板，降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤，并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。
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