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公开(公告)号：CN1825521B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610004888.1
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN101273661A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035880.X
申请日：2006-10-19
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B06B1/02 , H04R19/005 , H04R23/002 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供一种压力波发生装置，其具有优良的输出长时间稳定性。该压力波发生装置包括：基板；加热元件层；和热绝缘层，该热绝缘层设置在该基板和该加热元件层之间。在加热元件层通电时产生的温度变化使周围介质(空气)中产生压力波。热绝缘层包括：多孔层；和阻挡层，该阻挡层设置在多孔层和加热元件层之间，用于防止诸如空气中的氧气或水分之类的反应性物质以及杂质扩散到多孔层内。通过形成该阻挡层，能够防止随着时间的流逝由多孔层中的变化引起的压力波发生装置的输出降低。
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公开(公告)号：CN1989418A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580025260.3
申请日：2005-07-27
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在探测到物体的位置及物体放置方位的声波探测器中，通过向空气施加热冲击而产生没有机械振动的声波的声波发生设备用作波发射设备，用来将声波的压力变化转换成电信号的变化的电容传声器用作波接收设备。因此，与利用压电设备作为波发射设备和波接收设备的传统的声波探测器相比，由包含在波发射设备发射的声波中的混响分量引起的死区和由包含在由波接收设备输出的波接收信号中的混响分量引起的死区缩短，声波探测器的角分辨率提高。
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公开(公告)号：CN1282210C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10，设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中，从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子，在强电场漂移层6内向正面漂移，经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6，通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化，再用稀硝酸等氧化形成。
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公开(公告)号：CN1732551A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107724.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J31/123
Abstract: 场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括低电极(12)、由形成在低电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1208800C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件(10a)。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN1462463A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加给直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN1417827A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN1293442A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00131773.3
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层,在第一层上形成Au构成的第二层,并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性,与简单物质Cr相比,在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低,且电子很少散射,电子发射效率更高。
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公开(公告)号：CN301335894S
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200930384388.X
申请日：2009-12-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品名称为检测传感器。2.本外观设计产品用于检测，可将人体等产生的红外线等检测出来并发出信号。3.本外观设计的设计要点，为俯视图所示的本外观设计产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。5.如省略内部结构的A-A放大剖视图和省略内部结构的B-B放大剖视图所示，双斜线表示的部分为透光性材质。俯视图中所显示出的网格状图样，是通过如分解立体参考图所示的外罩里面的凹凸状态透出而呈现的。
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