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公开(公告)号：CN107140598A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710182877.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B7/0006 , B81B7/0032 , B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C2203/019 , B81C2203/03
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统及其制备方法，解决了现有技术中微机电器件单元和集成电路之间引线较长，从而引入较多干扰信号的问题。其中，该方法包括：在微机电器件芯片上制备环绕气体敏感单元的第一封装环和位于第一封装环内侧的气体敏感单元周围的第一电气连接点；在集成电路芯片上与第一封装环对应的位置和与第一电气连接点对应的位置分别制备第二封装环和作为电路层输入端的第二电气连接点；将微机电器件芯片和集成电路芯片对置；其中，第一电气连接点、第二电气连接点形成电气对接，第一封装环和第二封装环形成密封对接；在微机电器件芯片上开设由微机电器件芯片、集成电路芯片、第一封装环和第二封装环所形成的空间的导气通孔。
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公开(公告)号：CN118817125B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411295549.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种力传感器的封装结构及其制造方法，涉及力传感器技术领域，用于解决现有力传感器的力传递灵敏度低的问题。本申请提供的力传感器的封装结构包括衬底，其第一表面设有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的槽底设有凸台；器件结构支撑于第一表面并包括可动质量块和用于固定可动质量块的锚点，可动质量块的一部分悬空于第一凹槽的开口端，另一部分固定支撑于第一表面，可动质量块构成第一极板，锚点固设于凸台上；ASIC芯片与所述器件结构背对所述衬底的一侧相键合，且其朝向器件结构的一侧表面设有第二极板，第二极板与第一极板相对且间隔设置以构成可变电容；其中，第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底设有第三凹槽。
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公开(公告)号：CN113401862B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110791961.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法，解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中，惯性传感器的制备方法包括：提供第一基板，第一基板包括第一导电层；提供第二基板，第二基板包括第一衬底，第一衬底的材料为单晶材料；将第一导电层和第一衬底结合在一起，形成结合界面；形成可动元件，可动元件包括至少部分第一衬底。
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公开(公告)号：CN112499576B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011295919.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。
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公开(公告)号：CN117246972B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311536483.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H10N30/00
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，第一介质层位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧；第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层；空腔在第一衬底上的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底上的正投影；第二衬底，第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧键合。本申请通过在第一衬底上形成第一介质层，并通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，并利用第一介质层与第二衬底键合连接，具有封装尺寸小、制作工序简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113023664B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110227413.3
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电光电探测芯片以及制备方法。该微机电光电探测芯片包括：衬底；空气腔体，空气腔体位于衬底的第一表面，其中，空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，网状结构薄膜覆盖腔体，且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，腔体用于连通不同的释放孔；悬浮结构，悬浮结构位于衬底的第一表面，悬浮结构覆盖空气腔体，其中，在远离空气腔体的方向上，悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本发明实施例提供的技术方案，降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。
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公开(公告)号：CN116138515A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310303227.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于电子烟感测传感器的封装结构、三线咪结构及电子烟，其中，所述封装结构包括具有环形开口部的壳体、基板、以及感测组件，旨在通过在用于电子烟感测传感器的封装结构上设置有第一透气结构，利用第一透气结构的第一透气孔和第一挡墙与基板朝向腔体的一侧表面共同形成进气通道，从而既能够对来自电子烟烟腔中的混合有烟油的气体在单位时间内的进气量进行调节，又能够起到防止气体中烟油直接侵入电子烟感测传感器的封装结构的空腔内，因此，能够很好的隔绝来自电子烟烟腔中的气体中的烟油，防止烟油对用于电子烟感测传感器的封装结构内的感测组件造成污染，进而能够防止烟油进入感测组件内部所导致的误触发、短路等问题。
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公开(公告)号：CN115615587B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211637925.8
申请日：2022-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器，包括：基底，所述基底包括容纳在所述基底的主体内部的第一空腔以及位于所述基底的所述第一空腔和所述第一表面之间的第一力敏感膜，旨在通过在所述第一空腔内设置有第一凸起部，并且在所述基底的厚度方向上，所述第一凸起部的高度小于所述第一空腔的深度，每个所述压敏电阻的投影位于所述第一空腔的投影范围内，且每个所述压敏电阻的投影与所述第一凸起部的投影不交叠。采用本发明提供的技术方案能够实现两种不同量程段的压力测试，以及封装产品尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN114427930A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210103055.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器及其制备方法，所述压力包括衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体，本发明的压力传感器能够有效提高压力传感器的灵敏度一致性和线性度，提高了压力传感器的性能。
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公开(公告)号：CN114383769A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011131216.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电子设备，其包括：主体，具有气流孔；压差传感器封装结构，具有第一通孔，所述第一通孔与所述气流孔连通，形成气流通道；至少一泄气孔，与所述气流通道导通，并将所述气流通道与外部连通，以减小所述气流通道的压力。本发明的优点在于，利用与气流通道连通的泄气孔，减小所述气流通道的压力，只有当气流通道中的气流压力达到一较高值时，通过所述第一通孔作用于压差传感器封装结构的气流压力才能够使压差传感器封装结构检测的压力差才达到所述电子设备的启动阈值，此时电子设备才会启动，从而避免电子设备受到外界干扰气流的影响而误启动。
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