公开(公告)号：KR1020060049130A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050099672

申请日：2005-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 마츠자와고우메이 ,  사토히로시 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 기판 상에 형성된 Cu 확산 방지막 상에 Cu막을 형성하는 성막 방법에 있어서, Cu 확산 방지막과 Cu막을 밀착시키기 위해 제공되는 밀착막을 Cu 확산 방지막 상에 형성하고, 초임계 상태의 매체에 전구체를 용해시킨 처리 매체를 기판으로 공급하여 밀착막 상에 Cu막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020040089683A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.