公开(公告)号：KR100634326B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040089683A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.