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公开(公告)号：KR101745074B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150036811
申请日：2015-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 기판에대하여복수종류의반응가스를순번으로공급하고, 치환용의가스를공급하여성막처리를실행하는성막장치는기판이탑재되도록구성된탑재부와, 탑재부에대향하는평탄한면과, 복수의가스공급구를포함하는샤워헤드를포함한다. 환상돌기부는탑재부의상면과환상돌기부사이에간극을형성하도록샤워헤드에마련된다. 복수의가스공급부는샤워헤드의상방측에형성된천정부에마련된다. 각각의가스공급부는둘레방향을따라서형성된가스토출구를구비한다. 확산공간은, 평면에서보았을때 확산공간의외연이탑재부에탑재된기판의외연보다내측에위치되도록배치되어있다.
Abstract translation: 一种成膜装置，用于向基板依次供给多种反应气体，通过供给置换气体而进行成膜处理，其特征在于，具备：安装基板的安装部;与安装部相对的平坦面; 还有一个淋浴头。 环形突起设置在淋浴头上，以便在安装部分的上表面和环形突起之间形成间隙。 多个气体供应单元设置在形成于喷头的上侧的顶部上。 每个气体供应部分具有沿圆周方向形成的气体排出口。 扩散空间布置成当从平面看时扩散空间的外边缘位于安装在支架上的基板的外边缘的内侧。
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公开(公告)号：KR101177192B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020097027644
申请日：2008-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다카기도시오
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/02186 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141
Abstract: 배치대의 배치면을 가열하면서, 진공 분위기하에서, 상기 배치대에 대향하는 처리 가스 공급부로부터 처리 가스를 기판에 공급함으로써 성막 처리를 행하는 성막 장치에 있어서, 상기 배치대를 기판이 성막 처리되는 처리 위치로 승강시키기 위한 승강 기구와, 상기 처리 위치에 있을 때의 상기 배치대를 간극을 개재하여 둘러싸고, 그 배치대와 함께, 상기 진공 용기 내를, 그 배치대보다도 상측인 상부 공간과 그 배치대보다도 하측인 하부 공간으로 구획하는 포위 부분과, 상기 상부 공간에 연통(連通)되며, 상기 상부 공간 내의 처리 분위기를 진공 배기하는 진공 배기로와, 상기 상부 공간으로부터 상기 진공 배기로에 이르기까지의 가스가 접촉하는 부위를, 반응물이 부착되는 온도보다도 높은 온도로 가열하는 가열 수단과, 상기 가열 수단과, 상기 하부 공간을 둘러싸는 상기 진공 용기의 하측 부분 사이에 설치된 단열부를 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
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公开(公告)号：KR101131681B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020097020162
申请日：2008-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다카기도시오
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45521 , C23C16/45574 , C23C16/4586 , H01L21/3141 , H01L21/31641
Abstract: 성막 장치는 처리용기(31)와, 처리용기(31)내에 배치되고 기판(W)를 탑재하기 위한 탑재대(71)를 구비하고 있다. 성막장치는 또 다수의 가스 공급 구멍(61a, 62a, 63a)을 갖고, 해당 기판(W)의 중앙부에 대향하는 중앙영역(53)과 해당 기판(W)의 주연부에 대향하는 주연 영역(54)으로 구획된 가스 샤워 헤드(51)와, 중앙 영역(53)에 제 1 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급 수단과, 중앙 영역(53)에 제 2 처리 가스를 공급하는 제 2 처리 가스 공급 수단과, 기판(W)상에서 제 1 처리 가스와 제 2 처리 가스를 반응시키기 위한 에너지를 공급하는 에너지 공급수단과, 제 1 처리 가스의 공급과 제 2 처리 가스의 공급을 전환할 때에, 가스 샤워 헤드(51)의 중앙 영역(53) 및 주연 영역(54)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급수단을 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020090130006A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020097020162
申请日：2008-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다카기도시오
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45521 , C23C16/45574 , C23C16/4586 , H01L21/3141 , H01L21/31641
Abstract: Provided is a filming apparatus comprising a treating container (31) and a placing bed (71) arranged in the treating container (31) for placing a substrate (W) thereon. The filming apparatus further comprises a gas shower head (51) having a number of gas feeding pores (61a, 62a and 63a) and partitioned into a center region (53) confronting the center portion of the substrate (W) and a peripheral edge region (54) confronting the peripheral edge portion of the substrate (W), first treating gas feeding means for feeding a first treating gas to the center region (53), second treating gas feeding means for feeding a second treating gas to the center region (53), energy feeding means for feeding an energy to cause the first treating gas and the second treating gas to react on the substrate (W), and purge gas feeding means for feeding a purge gas, when the feed of the first treating gas and the feed of the second treating gas are switched, to the center region (53) and the peripheral edge region (54) of the gas shower head (51).
Abstract translation: 本发明提供一种成像装置，其特征在于，包括设置在处理容器（31）中的处理容器（31）和放置床（71），用于在其上放置基板（W）。 该成膜装置还包括具有多个气体供给孔（61a，62a和63a）并被分隔成与衬底（W）的中心部分相对的中心区域（53）的气体喷头（51）和周边边缘区域 （54）面对基板（W）的周边部分，第一处理气体供给装置，用于将第一处理气体供给到中心区域（53）;第二处理气体供给装置，用于将第二处理气体供给到中心区域 53），当第一处理气体的供给和第一处理气体的供给时，供给能量以使第一处理气体和第二处理气体在基板（W）上反应的能量供给单元，以及用于供给吹扫气体的净化气体供给单元， 第二处理气体的供给被切换到燃气灶头（51）的中心区域（53）和周缘区域（54）。
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公开(公告)号：KR1020160076459A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020150181406
申请日：2015-12-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45589
Abstract: 진공분위기에서서로반응하는복수종류의반응가스를치환용의가스의공급을거쳐서순차로공급하여성막처리를실행하는성막장치에있어서, 반응가스와치환용의가스와의치환성이높고, 면내균일성이높은성막처리를실행할수 있는기술을제공한다. 웨이퍼(W)의탑재대(2)의상방에마련된샤워헤드(5)의가스분출구멍(511)을웨이퍼(W)보다넓은영역에배치하는동시에, 이샤워헤드(5) 위의확산공간(50)에, 횡방향으로가스를분산시키도록그 둘레방향을따라서가스토출구(52)가형성된복수의제 1 및제 2 가스분산부(4A, 4B)를배치하고있다. 그리고, 기판의중심부를중심으로하는내측의제 1 원을따라서 4개의제 1 가스분산부(4A)를마련하고, 또한, 제 1 원의외측의제 2 원을따라서 8개의제 2 가스분산부(4B)를이용하고있다.
Abstract translation: 成膜装置技术领域本发明涉及一种成膜装置，其通过在真空条件下连续供给多种反应气体进行成膜处理，所述反应气体通过供给气体进行替换。 本发明提供的技术在反应气体和置换气体之间具有较高的替换能力，能够以均匀的平面进行成膜处理。 本发明设置多个第一和第二气体分配单元（4A，4B），其具有沿圆周方向形成的气体放电单元（52），以便沿着纵向方向将气体分布到淋浴器上的扩散空间（50） 在布置在晶片（W）的大于晶片（W）的区域的工作台（2）的上侧上的喷淋头（5）的气体吹出孔（511）的前端（5）。 本发明在基板的中央部分的内侧的第一圆周配置四个第一气体分配单元（4A），并且在第一圆的外侧沿着第二圆形使用八个第二气体分配单元（4B） 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150108780A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020150036811
申请日：2015-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/02263 , H01L21/324
Abstract: 기판에 대하여 복수 종류의 반응 가스를 순번으로 공급하고, 치환용의 가스를 공급하여 성막 처리를 실행하는 성막 장치는 기판이 탑재되도록 구성된 탑재부와, 탑재부에 대향하는 평탄한 면과, 복수의 가스 공급구를 포함하는 샤워 헤드를 포함한다. 환상 돌기부는 탑재부의 상면과 환상 돌기부 사이에 간극을 형성하도록 샤워 헤드에 마련된다. 복수의 가스 공급부는 샤워 헤드의 상방측에 형성된 천정부에 마련된다. 각각의 가스 공급부는 둘레 방향을 따라서 형성된 가스 토출구를 구비한다. 확산 공간은, 평면에서 보았을 때 확산 공간의 외연이 탑재부에 탑재된 기판의 외연보다 내측에 위치되도록 배치되어 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种成膜装置，其能够相对于基板依次提供多种类型的反应气体，并且通过供给用于替代的气体形成膜，并且包括：形成为允许基板为 安装; 以及具有面向安装部的平面的喷淋头和多个气体供给孔。 在花洒头中制备环形突出部分，以在环形突出部分和安装部分的上表面之间形成间隙。 在形成于淋浴喷头的上侧的顶部配备有多个气体供给部。 每个气体供应部件包括沿圆周方向形成的气体排出孔。 扩散空间布置成允许扩散空间的外边缘比从平面观察时安装在安装部分上的基板的外边缘更靠内侧定位。
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公开(公告)号：KR1020100051597A
公开(公告)日：2010-05-17
申请号：KR1020097027644
申请日：2008-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다카기도시오
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/02186 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141
Abstract: Provided is a film forming apparatus which performs film forming process by supplying, in a vacuum atmosphere, a substrate with a processing gas from a processing gas supplying section, which faces a placing table, while heating the placing surface of the placing table. The film forming apparatus is provided with a lifting mechanism for lifting the placing table to a processing position where film forming process is to be performed to the substrate; a surrounding section, which surrounds the placing table by having a gap in between when the placing table is at the processing position, and partitions the vacuum container inside into an upper space above the placing table and a lower space below the placing table, with the placing table; a vacuum exhaust path, which communicates with the upper space and evacuates the processing atmosphere in the upper space; a heating means for heating a portion where a gas is brought into contact with, from the upper space to the vacuum exhaust path, to a temperature higher than a temperature at which a reactant adheres; and a heat insulating section arranged between the heating means and a lower side portion of the vacuum container surrounding the lower space.
Abstract translation: 本发明提供一种成膜装置，其在真空气氛中，在加热载置台的放置面的同时，将来自处理气体供给部的处理气体与面对放置台的处理气体进行成膜。 成膜装置设置有用于将放置台提升到对基板进行成膜处理的处理位置的提升机构; 周围部分，其在放置台处于加工位置时通过在其间具有间隙而包围放置台，并且将真空容器内部分隔成放置台上方的上部空间和放置台下方的下部空间， 放置桌子 真空排气路径，与上部空间连通并排出上部空间的处理气氛; 用于加热气体从上部空间到真空排气通道接触的部分到比反应物附着的温度高的温度的加热装置; 以及绝热部，其布置在所述加热装置和围绕所述下部空间的所述真空容器的下侧部分之间。
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公开(公告)号：KR100927912B1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020077020452
申请日：2006-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20 , H01L21/304 , H01L21/316
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: A method of processing a substrate by a substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a processing container including a first space where a first processing gas or a second processing gas is supplied onto the substrate and a second space formed around the first space; a first exhaust unit configured to evacuate the first space; and a second exhaust unit configured to evacuate the second space. The method includes a first step of supplying the first processing gas into the first space; a second step of discharging the first processing gas from the first space; a third step of supplying the second processing gas into the first space; and a fourth step of discharging the second processing gas from the first space; wherein the pressure in the second space is adjusted by a pressure-adjusting gas supplied into the second space.
Abstract translation: 公开了一种通过基板处理设备处理基板的方法。 该基板处理装置包括：处理容器，其具有向基板供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和形成于第一空间的周围的第二空间; 第一排气单元，所述第一排气单元构造成排空所述第一空间; 以及构造成排空第二空间的第二排气单元。 该方法包括将第一处理气体供应到第一空间中的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤; 其中第二空间中的压力通过供应到第二空间中的压力调节气体来调节。
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公开(公告)号：KR100634326B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020047013443
申请日：2003-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/3244 , H01L21/67115
Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020040089683A
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：KR1020047013443
申请日：2003-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/3244 , H01L21/67115
Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.
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