公开(公告)号：KR1020070121331A

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：KR1020060056277

申请日：2006-06-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 황석민 ,  오방원 ,  김제원 ,  박형진 ,  고건유 ,  김동우

IPC: H01L33/38

Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to uniformalize the current diffusion by minimizing a bent portion at the edge portion of a substrate, and to enlarge a first region as a light emitting surface by minimizing a second region for forming an n-type electrode. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate, comprises a first region and a second region surrounding the first region. An active layer is formed on the first region of the n-type semiconductor region. A p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. A transparent electrode(150) is formed on the p-type semiconductor layer. A p-type electrode pad(170a) is formed on the transparent electrode. A p-type electrode(170) comprising a first part and a second part is formed on the transparent electrode to be connected to the p-type electrode pad. An n-type electrode pad(160a) is formed on the second region of the n-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode(160), having the first and the second parts, is formed on the second region of the n-type semiconductor layer to be connected to the n-type electrode pad.

Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过使衬底的边缘部分处的弯曲部分最小化来均匀化电流扩散，并且通过最小化用于形成n型电极的第二区域来扩大作为发光表面的第一区域。 n型氮化物半导体层（120）形成在衬底上，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域。 在n型半导体区域的第一区域上形成有源层。 在有源层上形成p型氮化物半导体层。 在p型半导体层上形成透明电极（150）。 在透明电极上形成p型电极焊盘（170a）。 包括第一部分和第二部分的p型电极（170）形成在透明电极上以与p型电极焊盘连接。 n型电极焊盘（160a）形成在n型氮化物半导体层的第二区域上。 具有第一和第二部分的n型电极（160）形成在n型半导体层的与n型电极焊盘连接的第二区域上。

公开(公告)号：KR100769719B1

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：KR1020060116320

申请日：2006-11-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박형진 ,  김제원 ,  황석민 ,  채승완 ,  고건유 ,  김동우

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40

Abstract: A nitride-based light emitting device is provided to improve the effect of current diffusion by forming a transparent electrode and a transparent current diffusion layer on p-type and n-type nitride layers. An n-type nitride layer(120) is formed on a substrate, and has an upper surface defined by a first region and a second region. An active layer is formed on the second region of the n-type nitride layer. A p-type nitride layer is formed on the active layer, and a transparent electrode(150) is formed on the p-type nitride layer. A p-type electrode(160) is formed on the transparent electrode, and a transparent current diffusion layer(180) is formed on the first region of the n-type nitride layer. An n-type electrode(170) is formed on the transparent current diffusion layer.

Abstract translation: 提供一种氮化物系发光器件，通过在p型和n型氮化物层上形成透明电极和透明电流扩散层来提高电流扩散的效果。 在衬底上形成n型氮化物层（120），并且具有由第一区域和第二区域限定的上表面。 在n型氮化物层的第二区域上形成有源层。 在有源层上形成p型氮化物层，在p型氮化物层上形成透明电极（150）。 在透明电极上形成p型电极（160），在n型氮化物层的第一区域上形成透明电流扩散层（180）。 在透明电流扩散层上形成n型电极（170）。

公开(公告)号：KR100716786B1

公开(公告)日：2007-05-14

申请号：KR1020050113245

申请日：2005-11-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김동우 ,  오방원 ,  김태준 ,  이수열

IPC: B60Q3/04

Abstract: 본 발명은 수송수단의 표시장치용 조명장치에 관한 것으로서, 다색의 광조합을 통하여 사용자의 취향에 따라 다양한 색을 구현할 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 수송수단의 표시장치용 조명장치는, 회전축을 구비한 지침; 상기 지침의 하부에 배치되며, 그 중앙부에 상기 회전축을 삽입하기 위한 관통공이 형성된 그래픽 플레이트; 및 상기 그래픽 플레이트의 하부에 배치되어, 상기 그래픽 플레이트에 빛을 발생시키며, 서로 다른 색을 구비한 LED부를 포함한다.
수송수단, 표시장치, 조명장치, LED, 색(color)

Abstract translation: 用于交通工具的显示装置的照明装置技术领域本发明涉及一种用于交通工具的显示装置的照明装置，并且可以通过多种颜色的灯的组合来根据用户的喜好实现各种颜色。

公开(公告)号：KR1020070031351A

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020070009640

申请日：2007-01-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김동우 ,  최희석 ,  최석범 ,  공문헌

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 전극; 상기 n형 전극 하면에 n형 질화갈륨층, 활성층, p형 질화갈륨층이 순차적으로 형성된 질화갈륨계 LED 구조물; 상기 질화갈륨계 LED 구조물 하면의 일부분에 형성되어 상기 활성층에서 생성된 광자를 반사하는 광자반사막; 상기 광자반사막이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 하면에 형성된 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막; 상기 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막 하면에 형성된 도전성 접합층; 및 상기 도전성 접합층 하면에 형성된 도전성 기판을 포함하는 것을 주요한 특징으로 함으로써, 활성층에서의 광생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
LED, 수직구조 발광다이오드, 쇼트키 접촉막, 절연막, 금속막

Abstract translation: 垂直结构氮化镓LED器件及其制造方法本发明涉及垂直结构氮化镓LED器件及其制造方法。 一种氮化镓基LED结构，其中n型氮化镓层，有源层和p型氮化镓层依次形成在n型电极的底表面上; 光子反射膜，形成在GaN基LED结构的下表面上以反射在有源层中产生的光子; 形成在其上形成有光子反射膜的氮化镓（GaN）LED结构的底表面上的p型电极或p型电极以及反射膜; 导电键合层，形成在所述p型电极或所述p型电极和所述反射膜的底表面上; 并且，导电性接合层的下表面形成有导电性基板，因此具有能够提高活性层的发光效率和外部量子效率的优点。

公开(公告)号：KR100638732B1

公开(公告)日：2006-10-30

申请号：KR1020050031613

申请日：2005-04-15

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김동우 ,  김용천 ,  민복기

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/20

Abstract: 본 발명은 5각형 이상의 다각형 또는 원형의 횡단면 형상을 갖는 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차적으로 배치된 발광구조물을 형성하는 단계; 원하는 최종 발광소자의 횡단면 형상을 가지며, 서로 소정간격 이격 배치되어 상기 발광구조물의 상면 일부가 노출되도록 상기 발광구조물의 상면에 복수개의 금속층을 형성하는 단계; 상기 복수개의 금속층 사이에 노출된 영역 하부의 발광구조물을 제거하여 최종 발광소자에 해당하는 크기로 상기 발광구조물을 분리하는 단계; 상기 사파이어 기판 하면으로 레이저빔을 조사하여 상기 발광구조물로부터 상기 사파이어 기판을 분리하는 단계 - 여기서, 발광구조물이 최종 발광소자 크기로 완전히 분리됨-; 및 상기 n형 질화물 반도체층의 상기 사파이어 기판이 제거된 면에 본딩패드를 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
수직구조, 질화물 반도체 발광소자, 다각형, 원형, 측면 광추출, 레이저 리프트 오프

公开(公告)号：KR100631981B1

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020050029044

申请日：2005-04-07

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이재훈 ,  김용천 ,  백형기 ,  공문헌 ,  김동우

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: A vertical group III-nitride light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency and operation voltage characteristics by arranging an undoped GaN layer under an n-side electrode. A p-type clad layer(105), an active layer(107), an n-doped AlxGayIn(1-x-y)N(0

Abstract translation: 提供了一种垂直III族氮化物发光器件及其制造方法，以通过在n侧电极之下布置未掺杂的GaN层来提高光提取效率和操作电压特性。 p型覆盖层（105），有源层（107），n掺杂Al x Ga y In 1-x N（0≤x≤1,0≤y≤1,0<= x + （109），未掺杂的GaN层（111）和n侧电极（123）依次层叠在导电性基板（101）上。 在未掺杂的GaN层的上表面上形成凹凸图案（121）。 在未掺杂的GaN层的上表面内形成有n侧电极的区域上不形成凹凸图案。 在导电性基板与p型覆盖层之间形成反射层（103）。