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公开(公告)号：KR1020050115078A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020040040355
申请日：2004-06-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/44
Abstract: 본 발명은 우수한 전기적 특성과 우수한 휘도를 갖는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은, 질화물 단결정 성장을 위한 투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 다수의 오픈영역을 갖는 메쉬(mesh)구조로 이루어진 메쉬형 유전체층; 상기 메쉬형 유전체층 및 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 오픈영역 상에 형성된 고반사성 오믹콘택층; 및 상기 고반사성 오믹콘택층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p측 본딩전극 및 n측 전극을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 플립칩용 질화물 반도체 발광소자는, 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 가질 뿐만 아니라, 열화현상을 효과적으로 방지함으로써 신뢰성이 크게 향상되며, 보다 높은 휘도특성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020050076140A
公开(公告)日：2005-07-26
申请号：KR1020040003960
申请日：2004-01-19
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L2224/14 , Y10S257/918
Abstract: 본 발명은 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 투광성 기판과, 상기 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층이 노출된 다수의 오픈영역을 갖는 메쉬구조로 이루어진 고반사성 오믹콘택층과, 상기 고반사성 오믹콘택층 상면의 적어도 일부영역에 형성된 금속 배리어층과, 상기 금속 배리어층과 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p측 본딩전극 및 n측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019950008418B1
公开(公告)日：1995-07-28
申请号：KR1019920021347
申请日：1992-11-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L43/00
Abstract: The method comprises the steps of; forming a magnetic film having a pattern of magnetic resistor element on the surface of a substrate; forming electric gilding layer on the surface of the magnetic film, forming a protective film of SiO2 on the region of the substrate excluding electrodes by a screen printing, doping epoxy resin on the protection film of SiO2 layer, and forming solder on the upper of the electric gilding layer of the electrode part.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 在基板的表面上形成具有磁阻元件图案的磁性膜; 在磁性膜的表面上形成电镀层，通过丝网印刷在除了电极的基板的区域上形成SiO 2的保护膜，在SiO 2层的保护膜上掺杂环氧树脂，并在 电镀部分的电镀层。
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公开(公告)号：KR1019940026983A
公开(公告)日：1994-12-10
申请号：KR1019930009642
申请日：1993-05-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01F1/00
Abstract: 본 발명은 자기저항소자로 응용되는 아몰퍼스 자성박막의 제조방법에 관한 것으로, 진공챔버(10)내의 기판홀더(3)에 글라스기판을 부착하고 노즐(1)을 열어 Ar을 3mTorr의 압력으로 채운후 RF 파워를 걸어 스퍼터크리닝을 실시하고, 상기 스퍼터 크리닝후 진공챔버(10)의 진공도를 고진공펌프(2)를 이용하여 3×10
-6 Torr로 만들고, 상기 진공도하에서 기판홀더(3)에 액체질소를 흘려 기판온도를 80°K 이하로 만들어 증발원(8)의 자성재료를 글라스기판에 1000Å 이내로 증착되게 하여 비정질의 자성박막을 형성한다. 이러한 자성박막은 자기저항특성 오차가 제거되고 자기저항 변화율특성이 안정하게 된다.-
公开(公告)号：KR1020080049704A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020080047517
申请日：2008-05-22
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A surface-mounted light emitting diode device is provided to minimize light diffusion and to improve light emitting efficiency by mounting a light emitting surface of an LED(Light Emitting Diode) chip so as to be directed to an inner lateral side of a package. A lead frame is made of a pair of lead terminals(130). A package(120) is configured to accommodate a part of the lead frame in its inner side and to have an irradiating window that is opened to irradiate light. A single LED chip(140) is mounted on the part of the lead frame being accommodated in the package. A light emitting surface of the single LED chip is directed to an inner lateral side of the package. An electrode connecting section is configured to apply a current to the single LED chip and the lead frame. A molding material is filled in an inner of the package to protect the single LED chip. The electrode connecting section is made of a conductive binder or a wire for electrically connecting an electrode pad of the single LED chip to the lead terminals.
Abstract translation: 提供了一种表面安装的发光二极管装置，用于通过将LED（发光二极管）芯片的发光表面安装以指向封装的内侧，使光扩散最小化并提高发光效率。 引线框架由一对引线端子（130）制成。 包装（120）构造成容纳引线框架的内侧的一部分并且具有被打开以照射光的照射窗口。 单个LED芯片（140）安装在引导框架的容纳在封装中的部分上。 单个LED芯片的发光表面被引导到封装的内侧。 电极连接部被配置为向单个LED芯片和引线框架施加电流。 成型材料填充在封装的内部以保护单个LED芯片。 电极连接部由导电粘合剂或用于将单个LED芯片的电极焊盘电连接到引线端子的导线构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100780175B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있고 또한 칩 분리를 안정적으로 수행할 수 있게 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은, 복수의 소자 영역을 갖는 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 복수의 소자 영역들 간의 경계부에서 상기 n형 반도체층을 식각하여 상기 발광 구조물에 소자 분리용 트렌치를 형성하는 단계와; 상기 소자 분리용 트렌치에서 상기 기판을 절단하여 칩 분리하는 단계를 포함한다. 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계에서, 상기 트렌치 측면에 형성되어 상기 n형 반도체층에 거칠기를 제공하는 요철을 형성한다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 광 추출 효율-
公开(公告)号：KR100721145B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060002963
申请日：2006-01-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자에 관한 것으로서, 유효 발광면적을 최대화함으로써, 소자의 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 발광 다이오드 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층의 소정 영역 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 전극; 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성된 n형 전극을 포함하고, 상기 기판은, 그 외주변 중 인접하는 두 변이 서로 직교하지 않는 평행사변형 형상을 갖고, 상기 p형 전극 및 n형 전극은 상기 기판의 서로 대향하는 코너부에 각각 위치하는 것을 특징으로 한다.
LED, 발광면적, 휘도, p형 전극, n형 전극Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管器件，并且具有通过使有效发光面积最大化来提高元件的亮度的效果。
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公开(公告)号：KR1020070041151A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050096993
申请日：2005-10-14
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 외부 발광 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는, 일측 끝단에 경사진 메사 월이 형성된 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 형성되며, 그 일측 끝단에 상기 메사 월과 연장되는 메사 월이 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성되며, 그 일측 끝단에 상기 메사 월과 연장되는 메사 월이 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극; 및 상기 활성층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함한다.
발광 효율, 경사, 메사 월(mesa wall)-
公开(公告)号：KR100665116B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050007587
申请日：2005-01-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 역방향 ESD 전압에 대한 높은 내성을 갖는 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 질화갈륨계 발광 소자는, 기판과; 상기 기판 상의 제1 영역에 형성되어 제1 p측 전극과 제1 n측 전극을 구비하는 메인 GaN계 LED와; 상기 기판 상의 제2 영역에 형성되어 제2 p측 전극과 제2 n측 전극을 구비하는 ESD 보호용 GaN계 LED와; 상기 제1 p측 전극과 상기 제2 n측 전극을 연결하는 배선층을 포함한다. 상기 제1 영역과 제2 영역은 소자 분리 영역에 의해 서로 분리되어 있다. 상기 제1 p측 전극은 상기 제2 n측 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 n측 전극은 상기 제2 p측 전극과 전기적으로 연결된다.
질화갈륨, 발광 소자, ESD-
公开(公告)号：KR1020060116645A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050039172
申请日：2005-05-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: An LED device is provided to improve a photo-efficiency by securing a predetermined light enough using an outer reflective member coated on an outer surface of a resin material. An LED device comprises a lead frame(51), a package, an LED chip, a molding member, an outer reflective member, and a first protection layer. The package(20) is used for covering a portion of the lead frame. The package is made of a predetermined resin material. The LED chip(60) is mounted on the lead frame in the package. The molding member(80) is filled in the package to protect the LED chip. The outer reflective member(30) is coated on an outer surface of the package. The first protection layer(91) is interposed between the package and the outer reflective member.
Abstract translation: 提供一种LED装置，以通过使用涂覆在树脂材料的外表面上的外部反射构件足以确保足够的光来提高光效。 LED装置包括引线框架（51），封装件，LED芯片，模制构件，外部反射构件和第一保护层。 包装（20）用于覆盖引线框架的一部分。 包装由预定的树脂材料制成。 LED芯片（60）安装在封装中的引线框架上。 成型构件（80）填充在封装中以保护LED芯片。 外部反射构件（30）涂覆在包装的外表面上。 第一保护层（91）插入在封装和外部反射构件之间。
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