公开(公告)号：KR1020030000451A

公开(公告)日：2003-01-06

申请号：KR1020010036229

申请日：2001-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성호 ,  윤광섭 ,  김현우 ,  정동원 ,  이숙 ,  우상균

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

Abstract: PURPOSE: Provided are a photosensitive polymer represented by the formula(2) and a chemically amplified photoresist containing the same. The photosensitive polymer maintains transparency in the short wave length region of less than 193nm, and has resistance against dry etching. CONSTITUTION: The photosensitive polymer contains a monomer represented by the formula(1). The photoresist composition comprises the photosensitive polymer of the formula(2) and 1-15wt.% of a photoacid generator(PAG). In the formula(2), R1 is hydrogen or methyl; R2 is C7-20 aliphatic cyclic carbohydrate; R3 is hydrogen, C1-4 hydrocarbon; R4 is hydrogen, hydroxy, hydroxymethyl, 2-hydroxyethyl- ethoxycarbonyl,t-butoxycarbonyl, methoxycarbonyl or carboxyl acid; X is an integer of 1-3, Y is an integer of 1-4; and l,m,n,p and q are individually integers, where l/(l+m+n+p+q) is 0.0-0.5, n/(l+m+n+p+q) is 0.0-0.3,r/(l+m+n+p+q) is 0.1-0.5, p/(l+m+n+p+q) is 0.1-0.5 and q/(l+m+n+p+q) is 0.0-0.5.

Abstract translation: 目的：提供由式（2）表示的光敏聚合物和含有它的化学放大型光致抗蚀剂。 感光性聚合物在短波长区域保持透明度小于193nm，具有耐干蚀刻性。 构成：光敏性聚合物含有式（1）所示的单体。 光致抗蚀剂组合物包含式（2）的光敏聚合物和1-15重量％的光酸产生剂（PAG）。 在式（2）中，R 1是氢或甲基; R2为C7-20脂肪族环状碳水化合物; R3是氢，C1-4烃; R4是氢，羟基，羟甲基，2-羟基乙氧基羰基，叔丁氧基羰基，甲氧基羰基或羧基酸; X为1-3的整数，Y为1-4的整数; l，m，n，p和q分别为整数，其中l /（1 + m + n + p + q）为0.0-0.5，n /（1 + m + n + p + q）为0.0-0.3 ，r /（1 + m + n + p + q）为0.1-0.5，p /（1 + m + n + p + q）为0.1-0.5，q /（1 + m + n + p + q） 是0.0-0.5。

公开(公告)号：KR1020030000449A

公开(公告)日：2003-01-06

申请号：KR1020010036227

申请日：2001-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기용 ,  우상균 ,  이성호 ,  윤광섭 ,  김현우

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

Abstract: PURPOSE: A photosensitive polymer containing a fluorine-substituted cyclic monomer and a resist composition containing the composition are provided, which is transparent to the light less than 193 nm and shows a good adhesive property to a membrane, a large dry etching resistance and a good contrast characteristic. CONSTITUTION: The photosensitive polymer contains a fluorine-substituted cyclic monomer represented by the formula, wherein at least one between X and Z is a fluorocarbon of C1-C3; and Y is a fluorocarbon of C1-C3, O, S, NH, NCH3, Si(CH3)2, Si(C2H5)2, carbonyl, or ester group. The resist composition comprises the photosensitive polymer; 1-15 wt% of a photoacid generator; and optionally 0.01-2.0 wt% of an organic base. Preferably the photoacid generator is selected from the group consisting of a triarylsulfonium salt, a diarylodonium salt, a sulfonate and their mixtures; and the organic base is selected from the group consisting of triethylamine, triisobutylamine, triisooctylamine, triisodecylamine, diethanolamine and their mixtures.

Abstract translation: 目的：提供含有氟取代的环状单体的光敏性聚合物和含有该组合物的抗蚀剂组合物，其对于小于193nm的光是透明的，并且对膜具有良好的粘合性，耐干蚀刻性和良好的 对比度特征。 构成：光敏性聚合物含有下式所示的氟取代环状单体，X和Z中的至少一个为碳数1〜3的碳氟化合物; 并且Y是C1-C3，O，S，NH，NCH3，Si（CH3）2，Si（C2H5）2，羰基或酯基的碳氟化合物。 抗蚀剂组合物包含光敏聚合物; 1-15重量％的光酸发生剂; 和任选的0.01-2.0重量％的有机碱。 优选地，光酸产生剂选自三芳基锍盐，二季铵盐，磺酸盐及其混合物; 有机碱选自三乙胺，三异丁胺，三异辛胺，三十一烷胺，二乙醇胺及其混合物。

公开(公告)号：KR100360412B1

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：KR1020000075485

申请日：2000-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤광섭 ,  정동원 ,  이시형 ,  김현우 ,  이숙 ,  우상균 ,  최상준

IPC: G03F7/027

Abstract: 백본에 락톤이 포함된 감광성 폴리머로 이루어지는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 레지스트 조성물을 구성하는 감광성 폴리머는 다음의 구조들로 표시되는 모노머 유니트들중에서 선택되는 적어도 하나를 포함한다.

식중, R
1 및 R
2 는 각각 수소 원자, 알킬기, 히드록시알킬기, 알킬옥시기, 카르보닐기 또는 에스테르기이고, v, w, x 및 y는 각각 1 ∼ 6의 정수이다.

公开(公告)号：KR100327338B1

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：KR1019990039337

申请日：1999-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  이숙 ,  우상균

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07J1/00 ,  Y02P20/55 ,  Y10S430/115

Abstract: 본발명은 193nm 이하의단파장의노광원하에서도투명성을유지하며, 기판에대한부착력이우수하며, 현상액에대한습윤성이뛰어날뿐만아니라건식식각에대한내성이큰 감광성화합물(Photosensitive Compound) 및이를포함하는화학증폭형포토레지스트조성물(Chemically Amplified Photoresist Composition)에대한것이다. 본발명에따른감광성화합물은산에의해탈보호되는(deprotected) 보호그룹(protective group)에의해보호된카르복실기를구비하며, 3번위치의히드록시기가친수성지방족화합물또는친수성지방족고리화합물로치환되어있는감광성리소콜산에스테르유도체이다.

公开(公告)号：KR1020010080815A

公开(公告)日：2001-08-25

申请号：KR1020000001995

申请日：2000-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기영 ,  이시형 ,  김현우 ,  우상균

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

Abstract: PURPOSE: A photo-sensitive polymer is provided to accomplish favorable UV ray absorption ability against ArF eximer laser and good dry etching-resistance, wettability and adhesion effect by comprising specific polymer and photo-diffusing agent. CONSTITUTION: The photo-sensitive polymer having the following formula (wherein R1 represents the following radicals wherein R3 is hydrogen or C1-C4 alkyl group; R4 is linear chain or branched chain having C1-C10, or cyclic alkyl group having C1-C3; and R2 is alkyl group having C7-C10 and 2-3 rings; R5 is hydrogen or methyl group; 1/(1+m+n+o)=0.1 to 0.5, m/(1+m+n+o)=0.2 to 0.5, n/(1+m+n+o)=0 to 0.5 and o/(1+m+n+o)=0 to 0.5) has a weight mean molecular weight of 2,000 to 100,000. The polymer contains vinyl phosphate monomer having t-butoxy carbonyl or alkoxyalkyl group as a protecting group and (meta)crylate monomer substituted by alicyclic hydrocarbons having C7-C10.

Abstract translation: 目的：提供光敏聚合物以通过包含特定的聚合物和光扩散剂来实现对ArF准分子激光器的有利的紫外线吸收能力以及良好的耐干蚀刻性，润湿性和粘合效果。 构成：具有下式的光敏性聚合物（其中R 1表示以下基团，其中R 3为氢或C 1 -C 4烷基; R 4为具有C 1 -C 10的直链或支链或具有C 1 -C 3的环状烷基; R2为具有C7-C10和2-3环的烷基; R5为氢或甲基; 1 /（1 + m + n + o）= 0.1至0.5，m /（1 + m + n + o）= 0.2〜0.5，n /（1 + m + n + o）= 0〜0.5，o /（1 + m + n + o）= 0〜0.5）的重均分子量为2,000〜100,000。 聚合物含有具有叔丁氧基羰基或烷氧基烷基作为保护基的乙烯基磷酸酯单体和被具有C7-C10的脂环族烃取代的（甲基）丙烯酸酯单体。

公开(公告)号：KR1020010009505A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990027891

申请日：1999-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김지수 ,  김용범 ,  정상섭 ,  김현우

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a self-aligned contact and method for making the same are provided to form a perfect contact under the condition of a great aspect ratio by using an amorphous carbon layer as a stopper layer, and does not influence on a structure formed around the contact. CONSTITUTION: A semiconductor device having a self-aligned contact includes a substrate(40), a gate deposition material(S), a spacer(50), and interfacial insulation layer(54), a material layer(52), and a conductive pattern(60a). The gate deposition material is formed on the gate deposition material. The spacer is formed on a lateral surface of the gate deposition material. The interfacial insulation layer is formed on the resultant structure including both the gate deposition material and the spacer, and includes a contact hole exposing a substrate between the spacers. The material insulation layer is formed between the interfacial insulation layer and its lower layer material, and has an etching selection ratio, which is greater than the interfacial insulation layer and the spacer. The conductive layer pattern fills the contact hole. Thereby, the semiconductor device having a self-aligned contact forms a perfect contact under the condition of a great aspect ratio by using an amorphous carbon layer as a stopper layer, and does not influence on a structure formed around the contact.

Abstract translation: 目的：提供具有自对准接触的半导体器件及其制造方法，通过使用无定形碳层作为阻挡层，在大纵横比的条件下形成完美的接触，并且不影响结构 形成在联系人周围。 构成：具有自对准接触的半导体器件包括衬底（40），栅极沉积材料（S），间隔物（50）和界面绝缘层（54），材料层（52）和导电 图案（60A）。 栅极沉积材料形成在栅极沉积材料上。 间隔件形成在栅极沉积材料的侧表面上。 界面绝缘层形成在包括栅极沉积材料和隔离物两者的结构的结构上，并且包括在衬垫之间暴露衬底的接触孔。 材料绝缘层形成在界面绝缘层及其下层材料之间，并且具有大于界面绝缘层和间隔物的蚀刻选择比。 导电层图案填充接触孔。 因此，具有自对准接触的半导体器件通过使用无定形碳层作为阻挡层在大纵横比的条件下形成完美的接触，并且不会对形成在触点周围的结构产生影响。

公开(公告)号：KR1020000025529A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980042644

申请日：1998-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  주병선 ,  안태혁 ,  황유상

IPC: H01L21/316

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing method reduces a standardization of oxide film mask, performs a dry etching about a whiter metal-platinum electrode layer, and ensures the shortest distance between nodes in super-high integration DRAM. CONSTITUTION: A method for manufacturing a semiconductor forms a conductive layer on a semiconductor substrate, forms adhesive layer on the conductive layer, forms a hard mask on the adhesive layer(14), deposits a photoresist (16) on the hard mask(15), forms a predetermined fine pattern to the photoresist, and etches the hard mask according to the fine pattern formed on the photoresist. The method reduces a dimension of the hard mask by isotropic-etching the hard mask finely patterned, etches the adhesive layer by using the hard mask, etches the white metal-platinum thin film(13) by using the reduced adhesive layer and the reduced hard mask as an etching mask, and removes the etching mask. Thereby, the method reduces a standardization of oxide film mask, performs a dry etching about a whiter metal-platinum electrode layer, ensures the shortest distance between nodes in super-high integration DRAM, and has a good insulation characteristic, and a low leakage current.

Abstract translation: 目的：半导体制造方法降低氧化膜掩模的标准化，对白金电极层进行干法蚀刻，并确保超高集成度DRAM中节点之间的最短距离。 构成：制造半导体的方法在半导体衬底上形成导电层，在导电层上形成粘合剂层，在粘合剂层（14）上形成硬掩模，将光致抗蚀剂（16）沉积在硬掩模（15）上， 对光致抗蚀剂形成预定的精细图案，并根据形成在光致抗蚀剂上的精细图案蚀刻硬掩模。 该方法通过各向同性 - 蚀刻精细图案化的硬掩模来减小硬掩模的尺寸，通过使用硬掩模蚀刻粘合剂层，通过使用还原的粘合剂层和减少的硬化层蚀刻白色金属 - 铂薄膜（13） 掩模作为蚀刻掩模，并且去除蚀刻掩模。 因此，该方法减少了氧化膜掩模的标准化，对白金电极层进行干法蚀刻，确保超高集成度DRAM中的节点之间的最短距离，具有良好的绝缘特性和低漏电流 。

公开(公告)号：KR100247916B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019960060509

申请日：1996-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우

IPC: H01L21/302

Abstract: 비휘발성 식각부산물의 처리방법이 개시되어 있다. 소정 물질의 식각에 의해 생성되는 비휘발성 식각부산물이 식각 챔버 내의 고체 표면에 안정적으로 흡착되도록 하기 위하여, 상기 식각 챔버 내의 고체 표면에 상기 비휘발성 식각부산물의 원자와 상기 식각 챔버 내의 고체 표면의 원자 모두와의 결합력이 큰 물질막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 식각부산물의 처리방법을 제공한다. 상기 물질막에 의하여 비휘발성 식각부산물과 챔버 내의 고체 표면과의 부착력이 개선되어 상기 식각부산물이 식각 챔버의 내벽이나 다른 부품들로 부터 이탈되지 않으므로 식각 챔버가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990086483A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980019477

申请日：1998-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주병선 ,  김현우 ,  강창진 ,  문주태 ,  남병윤

IPC: H01L27/108

Abstract: Ar, O
2 및 할로겐 가스의 혼합 가스를 이용하여 백금족 금속막을 식각하는 방법 및 이를 이용한 커패시터의 하부 전극 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 상기 혼합 가스로서 O
2 , Cl
2 및 Ar으로 이루어지는 혼합 가스 또는 O
2 , HBr 및 Ar으로 이루어지는 혼합 가스를 사용한다. 또한 본 발명에서는 반도체 기판상에 백금족 금속을 함유하는 도전층을 형성하고, 상기 도전층 위에 상기 도전층을 일부 노출시키는 하드 마스크를 형성하고, 상기 하드 마스크를 식각 마스크로 하여 상기 노출된 도전층을 Ar 및 O
2 를 포함하는 3원계 식각 가스를 사용하여 건식 식각하여 상기 하드 마스크의 하부에 도전층 패턴을 형성하고, 상기 하드 마스크를 제거함으로써 커패시터의 하부 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019990080768A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980014237

申请日：1998-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  주병선 ,  강창진 ,  문주태

IPC: H01L21/3065

Abstract: 커패시터 전극(electrode)용 백금막의 식각경사도를 개선할 수 있는 반도체 장치의 백금막 식각방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 자장(magnetic field)을 이용한 반응성 이온 식각장치(MERIE)에서, 두 개 이상의 RF 전력(power)을 챔버(chamber)로 합성시켜 공급함으로써, 백금막을 식각하는 전자, 이온 및 레디컬(radical)과 같은 에천트(etchant)를 고에너지 상태로 만들어 접착층 패턴의 소실(erosion)을 최소화시킴으로써 백금막을 식각경사도를 개선할 수 있는 백금막 식각방법을 제공한다.