맵 해석 장치 및 맵 해석 방법
    41.
    发明授权
    맵 해석 장치 및 맵 해석 방법 有权
    用于地图解码的方法和装置

    公开(公告)号:KR101620444B1

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020090082083

    申请日:2009-09-01

    Abstract: 본발명은맵 해석장치및 맵해석방법에관한것이다. 본발명에따른맵 해석장치는수신된맵 데이터를저장하며, 상기맵 데이터중 한니블을이루는네 개의비트를현재비트로서출력하는메모리부, 상기한 니블을이루는네 개의비트중 하위세 개비트를지연시켜지연비트로서출력하는지연부, 상기메모리부로부터상기현재비트를전송받고, 상기지연부로부터상기지연비트를전송받아, 상기현재비트와상기지연비트를조합하여네 개비트로이루어진복수의니블데이터를생성하는조합부, 상기복수의니블데이터중 하나를선택하여니블정렬맵 데이터로서출력하는다중화부, 그리고상기니블정렬맵 데이터를니블단위로해석하여맵에포함된정보를추출하는맵 해석부를포함한다.

    펨토셀 기지국 장치 및 자기 설정 방법
    44.
    发明公开
    펨토셀 기지국 장치 및 자기 설정 방법 有权
    FEMTO电池基站装置及其自配置方法

    公开(公告)号:KR1020110002783A

    公开(公告)日:2011-01-10

    申请号:KR1020100042096

    申请日:2010-05-04

    CPC classification number: H04W16/32 H04L27/26

    Abstract: PURPOSE: A femto cell base-station apparatus and a self-configuring method thereof are provided to detect a neighbor macro cell and a femto cell environment without the control of an external control device or a macro cell base station. CONSTITUTION: A preamble extraction unit(420) extracts a first macro cell preamble from the signals of a femto cell and an adjacent macro cell, and a power allocation unit(430) sets the transmission power through the first macro cell preamble. A preamble selection unit(440) selects a second femto cell preamble from the first macro preamble. A header generating unit(550) generates a header of a femto cell control signal, and a resource allocation unit(560) allocates the resources for the transmission of the data from the femto cell.

    Abstract translation: 目的:提供一种毫微微小区基站装置及其自配置方法,用于在外部控制装置或宏小区基站的控制下检测相邻宏小区和毫微微小区环境。 构成:前导码提取单元(420)从毫微微小区和相邻宏小区的信号中提取第一宏小区前导码,功率分配单元(430)通过第一宏小区前导码设定发送功率。 前导码选择单元(440)从第一宏前导码中选择第二毫微微小区前导码。 标题生成单元(550)生成毫微微小区控制信号的标题,资源分配单元(560)从毫微微小区分配用于发送数据的资源。

    박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
    45.
    发明授权
    박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
    一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:KR100848098B1

    公开(公告)日:2008-07-24

    申请号:KR1020020035356

    申请日:2002-06-24

    Abstract: 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계, 상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계, 게이트선을 형성하는 단계, 데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서 레이저 스캐닝은 상기 데이터선을 따라 진행하며 상기 소정의 빔폭은 상기 데이터선간의 거리의 정수배에 해당하는 방법을 사용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조한다.
    박막트랜지스터기판, 다결정규소, 레이저, 결정립

    플래시 메모리 장치 및 그 제조방법
    46.
    发明授权
    플래시 메모리 장치 및 그 제조방법 有权
    闪存存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100816755B1

    公开(公告)日:2008-03-25

    申请号:KR1020060101949

    申请日:2006-10-19

    Abstract: A flash memory device is provided to avoid a soft program caused by a hot carrier phenomenon by making a junction region of a string select transistor and a ground select transistor have a DDD(double doped drain) structure while maintaining shallow junction regions of memory cell transistors. A semiconductor substrate(100) has an isolation region confining an active region, a string select line and a ground select line crosses the active region. A plurality of wordlines are arranged between the string select line and the ground select line. First impurity regions(113) with a first depth are formed between the plurality of wordlines. Second impurity regions(115,116) with a second depth deeper than the first depth are formed between the string select line and its adjacent wordline and between the ground select line and its adjacent wordline. The second impurity regions can additionally be formed between adjacent string select lines.

    Abstract translation: 提供闪存器件以避免由热载流子现象引起的软程序,使得串选择晶体管和接地选择晶体管的结区具有DDD(双掺杂漏极)结构,同时保持存储单元晶体管的浅结区 。 半导体衬底(100)具有限制有源区域,串选择线和接地选择线的隔离区域与有源区域交叉。 多个字线被布置在弦选择线和地选线之间。 在多个字线之间形成具有第一深度的第一杂质区域(113)。 在串选择线及其相邻字线之间以及地线选择线与其相邻字线之间形成第二深度比第一深度深的第二杂质区(115,116)。 另外可以在相邻的串选择线之间形成第二杂质区。

    다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법
    47.
    发明授权
    다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 有权
    用于结晶多晶硅的掩模和使用该掩模形成薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号:KR100796758B1

    公开(公告)日:2008-01-22

    申请号:KR1020010070661

    申请日:2001-11-14

    Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소용 마스크에는 가로 방향으로 형성되어 있는 슬릿(slit) 패턴이 각각 세로 방향으로 동일한 폭으로 다수 배열되어 있는 제1 내지 제4 슬릿 영역을 가진다. 여기서. 제1 내지 제4 슬릿 영역에 배열되어 있는 슬릿 패턴의 폭은 가로 방향으로 진행할수록 순차적으로 제1 슬릿 영역의 슬릿 패턴 폭(d)의 배수로 증가하는 폭으로 형성되어 있다. 또한, 가로 방향으로 배열되어 있는 슬릿 패턴의 중심선은 동일선상에 위치하며 각각의 영역에 배치되어 있는 각각의 슬릿 패턴은 8*d의 간격으로 배열되어 있다. 여기서는 슬릿 패턴의 폭이 순차적으로 증가하도록 제1 내지 제4 슬릿 영역을 배치하였지만, 반대로 배치할 수도 있으며, 가로 방향으로 배열된 제1 내지 제4 슬릿 영역을 세로 방향으로 배치할 수도 있다.

    MAC계층 구성장치 및 그 하향 및 상향링크 수행방법
    48.
    发明授权
    MAC계층 구성장치 및 그 하향 및 상향링크 수행방법 有权
    MAC组织设备及其上行链路和下行链路方法

    公开(公告)号:KR100684320B1

    公开(公告)日:2007-02-16

    申请号:KR1020040104462

    申请日:2004-12-10

    Abstract: 본 발명은, 다수의 가입자가 가입자에 따른 요구에 맞도록 고속 데이터 전송이 가능한 무선인터넷시스템의 MAC계층 구성장치를 제공한다.
    본 발명의 하나의 특징에 따른 MAC계층 구성장치는 무선 인터넷 시스템에서 상위 계층과 물리계층 사이의 MAC 계층을 구성하는 장치이다. MAC계층 구성장치는 빠른응답기능, 블록반복기능블록, 시간조정기능블록 및 관리기능블록을 포함한다. 빠른응답기능블록은 상위 계층과 인터페이스되고, 상위 계층으로부터 전달된 제어 메시지에 기초하여 프레임 데이터를 물리계층에서 필요한 정보로 변환시켜 준다. 반복기능블록은 프레임 데이터에 대한 오류 정정 코드의 삽입 및 확인을 수행하며, 송수신된 프레임 데이터에 대해 암호화 및 복호화를 수행한다. 시간조정기능블록은 물리계층과 인터페이스되고, 물리계층과 동기를 맞추어 물리계층이 요구하는 시점에 프레임 데이터와 제어 메시지를 전송한다. 관리기능블록은 상위 계층과 인터페이스되며, 빠른응답기능블록, 반복기능블록 및 시간조정기능블록의 상태를 관찰하고 이상 상태에 대한 정보를 취합하여 상위 계층에 전달한다.
    MAC, 무선인터넷, 상향링크, 하향링크

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