公开(公告)号：KR100666693B1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：KR1020040096120

申请日：2004-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  하병주 ,  김덕환 ,  홍석우 ,  윤석출 ,  남광우 ,  심동하 ,  박해석 ,  박윤권

IPC: H03H9/70

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155

Abstract: 모놀리식 듀플렉서가 개시된다. 본 모놀리식 듀플렉서는, 기판, 기판 상부 표면 상의 소정의 제1영역에 제작된 송신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정의 제2영역에 제작된 수신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정 영역에 결합되어 송신단필터 및 수신단필터를 밀봉상태로 패키징 하는 패키징 기판, 및, 패키징 기판의 일표면 상에 제작되어 송신단필터 및 수신단필터와 각각 연결되며, 송신단필터 및 수신단필터 상호 간의 신호유입을 차단하는 위상천이부를 포함한다. 이에 따라, 초소형, 고성능 듀플렉서를 구현할 수 있게 된다.
듀플렉서, 필터, 위상천이부, 패키징 기판, 트리밍 인덕터

公开(公告)号：KR100620516B1

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：KR1020050064798

申请日：2005-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종석 ,  송인상 ,  이상훈 ,  권상욱 ,  김덕환 ,  박윤권 ,  정희문 ,  홍영택 ,  김재흥 ,  윤석출 ,  남광우

IPC: H01L29/00

Abstract: 개시된 MEMS 스위치는 그 상면에 신호 라인이 형성된 하부기판; 하부 기판의 상면에 소정의 간격을 두고 설치되며, 그 하면에 멤브레인층이 형성되고, 그 내부에 캐비티가 형성된 상부기판; 캐비티의 내부로 하여 멤브레인 층의 상면에 설치된 바이메탈층; 멤브레인층의 하면에 설치된 발열층; 발열층의 하면에 형성되며, 신호라인과 접촉 또는 이탈되는 컨택 부재;를 포함한다.

Abstract translation: 所公开的MEMS开关包括：其上形成有信号线的下基板; 上基板，其在下基板的上表面上设置有预定空间;膜层，其形成在其下表面上，以及形成在其中的空腔; 设置在膜层的上表面上作为腔体内部的双金属层; 设置在膜层的下表面上的发热层; 接触构件形成在加热层的下表面上并接触或离开信号线。

公开(公告)号：KR1020060074075A

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020040112699

申请日：2004-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박윤권 ,  윤석출 ,  남광우 ,  송인상 ,  김종석

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00269

Abstract: 본 발명에 의한 MEMS 소자 패키지는, MEMS 활성소자가 상면에 형성되어 있는 소자용 기판; MEMS 활성소자가 위치하는 공간 및 MEMS 활성소자의 전기적 경로를 제공하는 것으로, MEMS 활성소자의 양측에 배치되며, 제 1 패드 및 제 2 패드가 일정간격을 두고 대향된 구조의 내부전극패드; 내부전극패드의 외곽에 배치되는 실링패드; 실링패드를 통하여 소자용 기판과 결합되며, 내부전극패드의 간격이 위치하는 부분에 비아홀이 형성된 덮개용 기판; 일단이 내부전극패드와 접촉하도록 비아홀의 내측면에 형성된 연결부재; 및 연결부재의 타단과 접촉하도록 덮개용 기판의 상면에 형성된 외부전극패드;를 포함한다.
MEMS, 소자, 패키지, 웨이퍼, 기판, 비아홀, Au, 전극, 실링

Abstract translation: 根据本发明的MEMS器件封装包括：具有形成在其上表面上的MEMS有源元件的元件衬底; 以提供给区域和有源MEMS装置位置的MEMS有源器件的电通路，设置在所述MEMS有源器件，所述第一焊盘和第二焊盘的电极焊盘的两侧在结构相对预定的间隔; 设置在内部电极焊盘的外周上的密封垫; 1。一种盖体用基板，其经由密封垫与装置用基板结合，在内部电极垫的间隔所形成的部分形成有过孔， 连接构件，所述连接构件形成在所述通孔的内表面上，使得其一端接触所述内电极焊盘; 以及形成在盖基板的上表面上以与连接构件的另一端接触的外部电极焊盘。

公开(公告)号：KR1020050109871A

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：KR1020040034970

申请日：2004-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하병주 ,  김덕환 ,  박윤권 ,  남광우 ,  송인상 ,  박해석 ,  홍석우 ,  김종석

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/564 ,  H03H3/02 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/173 ,  H03H9/568 ,  H03H9/605 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42

Abstract: A filter using an air gap type film bulk acoustic resonator is provided. The present filter includes a substrate on which a first port, a second port, and a ground port are formed to be connected to an external terminal; at least one first film bulk acoustic resonator serially connecting the first port to the second port on the substrate; at least one second film bulk acoustic resonator parallel connected to an interconnection node formed between the first port and the second port; and at least one inductor serially connecting the second film bulk acoustic resonator to the ground port. The inductor included in the filter is fabricated with the first and second film bulk acoustic resonators as one body. Accordingly, a small-sized filter may be fabricated through a simplified process.

公开(公告)号：KR1020050073312A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：KR1020040001667

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하병주 ,  송인상 ,  박윤권 ,  남광우 ,  윤석출 ,  심동하

IPC: H01P1/205

CPC classification number: H01P1/213 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/173 ,  H03H9/564

Abstract: 필터 및 위상변조부가 일체로 제작된 듀플렉서가 개시된다. 본 듀플렉서는, 기판, 기판 상에 집적되어 제1 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 송신단 필터, 기판 상에 집적되어 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 수신단 필터 및 기판 소정영역에 형성된 에어갭 상부에 배치되는 적어도 하나의 인덕터를 포함하고, 송신단 및 수신단 필터 중 어느 하나와 일체로 제작되며, 송신단 및 수신단 필터가 각각 통과시키는 신호를 상호 격리시키는 위상변조부를 포함한다. 이 경우, 위상변조부는 송신단 및 수신단 필터 중 어느 하나와 일체로 제작되므로, 간단한 공정으로 소형의 듀플렉서를 제조할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050062708A

公开(公告)日：2005-06-27

申请号：KR1020030094375

申请日：2003-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  하병주 ,  박윤권 ,  남광우 ,  심동하

IPC: H03H9/56

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/564 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42

Abstract: A duplexer having a filter (300) implemented using thin Film Bulk Acoustic Resonators and an isolation part (200) which are integrally formed including a substrate (110), a transmitter filter (300) integrated on the substrate (110) to pass signals only in a frequency band for transmission, a receiver filter integrated on the substrate to pass signals only in a frequency band for reception, and an isolation part integrally formed with either one of the transmitter filter and the receiver filter to isolate the signals passed through the transmitter filter and the receiver filter from each other. The isolation part (200) includes a capacitor and an inductor. The capacitor is build using the FBAR membrane (130) as a dielectric layer. Since the isolation part is integrally formed with either one of the transmitter filter and the receiver filter, the duplexer can be manufactured in a small size by simplified processes.