公开(公告)号：KR100585118B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020030100642

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/3728 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/347 ,  H04N5/3456

Abstract: 다이내믹 레인지를 향상시킨 서브 샘플링 모드를 제공하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법이 개시된다. 상기 고체 촬상 소자는 수직 CCD에서 수직 구동 신호들을 입력받는 수직 구동 전극들을 이용하여, 1행씩 간격을 두고 있는 다수 행들의 영상신호들 각각을 받아 상기 행들의 수에 대한 비례 수만큼 떨어져 있는 영상신호와 합하여 수직 전송한다. 수평 CCD에서는 수평 구동 신호들을 입력받는 수평 구동 전극들을 이용하여, 상기 합해진 영상신호들을 수신하여 다시 상기 다수 행들의 수만큼 차례로 합하고, 그 합해진 행별 영상신호들을 수평 전송하여 출력한다.

公开(公告)号：KR1020050089501A

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020040014955

申请日：2004-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류정호 ,  남정현 ,  노재섭

IPC: H04N5/372 ,  H01L29/78 ,  G11C11/4074

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/1057 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/148 ,  H01L29/66477

Abstract: 본 발명은 안정된 특성을 보이는 바이어스 전압을 출력할 수 있는 바이어스 회로, 이를 구비한 고체 촬상 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 바이어스 회로는, 제1 전위와 제2 전위의 사이에 직렬 접속된 적어도 하나의 트랜지스터와 비휘발성 메모리 소자를 포함하고, 상기 트랜지스터와 비휘발성 메모리 소자의 접점으로부터 바이어스 전압을 얻게 한 것이다. 비휘발성 메모리 소자는 외부 바이어스에 의해 채널 퍼텐셜을 조절하여 고정할 수 있다. 특히, 멀티플 게이트 트랜지스터 타입의 비휘발성 메모리 소자는 플로팅 게이트에 전하를 주입하여 프로그래밍하고 다시 플로팅 게이트의 전하를 터널링 현상을 이용하여 삭제하는 원리에 의한다. 본 발명은 이러한 비휘발성 메모리 소자를 이용하여 문턱 전압을 조절, 고정하고 이를 바이어스를 가하는 회로에 삽입하여 사용한다.

公开(公告)号：KR1020030088323A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1020020026435

申请日：2002-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N5/3575 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

Abstract: PURPOSE: A signal converting circuit capable of automatically adjusting an offset and a method thereof are provided to automatically adjust an offset to be generated in a signal converting process, thereby maintaining a dynamic range of a signal converting circuit. CONSTITUTION: A plurality of photo sensitive elements(41) generate electric signals in response to incident light. A converting circuit(50) receives ramp signals and the electric signals for comparing the signals with each other, and outputs digital signals corresponding to the electric signals according to the result of the comparison. An offset adjusting circuit(73) compares reference signals with the ramp signals for generating enable signals corresponding to the result of the comparison. The converting circuit includes a plurality of comparing circuits(55) comparing the ramp signals with the electric signals, and outputting comparison signals having any one state of first and second states, a counter(63) digitally counting in response to the enable signals, and a plurality of latches(61) latching output signals of the counter and outputting the digital signals.

Abstract translation: 目的：提供能够自动调整偏移的信号转换电路及其方法，以自动调整在信号转换处理中产生的偏移，从而保持信号转换电路的动态范围。 构成：多个光敏元件（41）响应于入射光产生电信号。 A转换电路（50）接收斜坡信号和用于比较信号的电信号，并根据比较结果输出与电信号对应的数字信号。 偏移调整电路（73）将参考信号与斜坡信号进行比较，以产生对应于比较结果的使能信号。 转换电路包括将斜坡信号与电信号进行比较的多个比较电路（55），并输出具有第一和第二状态的任一状态的比较信号，响应于使能信号进行数字计数的计数器（63），以及 多个锁存器（61）锁存计数器的输出信号并输出​​数字信号。

公开(公告)号：KR1019970019389A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031087

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/228

Abstract: 본 발명은 인터라인 CCD형(IT-CCD)영상소자의 필드 전달게이트펄스의 높이를 줄이기 위한 반도체 영상소자의 구동 방법에 관한 것으로서 광전하축적부의 신호전하를 수직-CCD로 전달할 때에 반도체 기판에 펄스를 인가하여 수직 오버플로우 드레인용 장벽을 낮추는 단계; 상기 수직 오버플로우 드레인용 장벽을 낮추는 단계에 따라 광전하축적부의 전위우물 깊이를 얕게함으로써 수직-CCD하부의 전위우물과 광전하축적부의 전위단차를 크게하여 광전하축적부의 완전 공핍을 위한 수직-CCD의 펄스 높이를 줄이는 단계를 포함한다.
따라서 상술한 바와 같이 본 발명에 의한 수직 오버플로우 드레인에 필드 리드-아웃시간 동안 네가티브펄스를 인가함으로써, 수직-CCD쪽으로의 전하 전달을 용이하게 하여 광전하축적부의 완전공핍을 위하여 필요한 필드 리드아웃 펄스의 높이를 줄여서 전체적으로 높은 전압의 인가없이 IT-CCD형 영상소자의 구동이 가능하게 되는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019960026910A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034501

申请日：1994-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/146

Abstract: 고체촬영장치 단위화소의 구조가 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 형성되고 수광부를 통해 입사된 빛을 신호전하로 변환시켜 축적하는 광다이오드, 상기 기판에 형성되고 상기 광다이오드에 축적된 신호전하를 전송영역을 통해 전달 받아 출력부로 전송하는 전하결합소자(CCD) 채널, 상기 전하결합소자 채널 상부에 형성되고 상기 결합소자 채널과는 절연층으로 분리된 전하결합소자 게이트, 상기 전하결합소자 게이트 상부 및 상기 전송영역 상부까지 확장되어 형성되어 광다이오드의 상부 전부를 수광부로 노출시키는 광차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬영장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 수광면적을 증가시킬 수 있으며, CCD 게이트를 구동시키기 위한 구동신호 하나를 감소시킬 수 있고, 암전류의 발생을 억제하여 잡음을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019930009132A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019910017403

申请日：1991-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/146

Abstract: 이 발명은 CCD형 고체 촬영소자에 관한 것으로 감광부인 광다이오드를 2열로 배열하고 수직전하 전송수단과 광다이오드의 구조 및 배열을 다르게 함으로서 구동펄스의 주파수나 용량면에서 거의 변함없이 수평방향의 해상도를 증가시켜 고해상도를 얻을 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR100056944B1

公开(公告)日：1992-12-02

申请号：KR1019900003651

申请日：1990-03-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/378 ,  H01L27/146

公开(公告)号：KR100737918B1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：KR1020010004242

申请日：2001-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현 ,  김훈정 ,  구기범

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 레벨(wafer level)의 번-인 테스트(burn-in test)를 효과적으로 수행하기 위한 파형 모니터링 유닛(waveform monitoring unit)을 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템과 테스트 방법에 관한 것이다. 테스트 패턴을 발생시키는 패턴 발생기와 웨이퍼의 피시험 반도체 소자(DUT; Device Under Test)에 테스트 패턴에 따른 신호를 공급하는 핀 드라이버를 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템에 있어서, DUT로 입력되는 신호를 입력으로 하여 테스트 신호의 파형을 검출하는 파형 모니터링 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템을 제공하고, ⒜ 표준으로 등록된 파형에 따른 테스트 패턴에 따라 DUT로 테스트 신호를 공급하고 그 공급되는 테스트 신호를 모니터링 하는 모니터링 단계, ⒝ 모니터링 데이터를 이용하여 실제 DUT에 공급되는 파형으로 복원하여 그 출력 파형을 표준 등록 파형과 비교하는 단계 ⒞ 테스트 이상 유무를 판별하고 그에 따른 동작 단계를 포함하는 테스트 방법을 제공하여, 검출된 테스트 신호의 이상 유무를 판별하고 그에 따른 경고나 대응 조치가 빠르게 이루어질 수 있도록 하여 공정의 신뢰성과 제품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
번-인 테스트, 웨이퍼 레벨, 모니터링, 파형, DUT

公开(公告)号：KR100656586B1

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020050001682

申请日：2005-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현 ,  강기상 ,  김훈정 ,  황인석 ,  구기범

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2877

Abstract: 본 발명은 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템에 관한 것으로, 번인 공정이 진행될 때 번인 챔버 내의 프로브 카드에 열축적이 이루어지는 것을 억제하기 위해서, 번인 챔버와, 상기 번인 챔버 내에 설치되며, 하부면에 프로브 카드가 설치되고, 상기 프로브 카드 주위로 공기의 흐름을 발생시켜 상기 프로브 카드에 열축적이 발생되는 것을 억제하는 공기 분사기가 설치된 프로브 헤드와, 상기 번인 챔버 내에 설치되며, 상부면에 탑재되는 웨이퍼를 고정하고, 상기 웨이퍼가 상기 프로브 카드에 프로빙될 수 있도록 상기 웨이퍼를 승강시키는 웨이퍼 스테이지를 갖는 프로브 스테이션과; 상기 프로브 스테이션과 범용 인터페이스 버스(GPIB)로 연결되어 상기 프로브 헤드에 테스트 신호를 입출력하며, 상기 공기 분사기의 작동을 제어하는 테스터;를 포함하며, 상기 테스터는 상기 번인 챔버에서 번인 공정이 진행되는 동안 상기 공기 분사기를 작동시켜 상기 프로브 카드 주위에서 공기의 흐름을 강제적으로 발생시켜 상기 프로브 카드에 열축적이 발생되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템을 제공한다.
웨이퍼, 번인, 열축적, 냉각, 방열

公开(公告)号：KR100640605B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020040103635

申请日：2004-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노재섭 ,  이덕형 ,  남정현 ,  류정호 ,  김이태 ,  공해경

IPC: H04N5/341 ,  H01L27/148

Abstract: 신호 전하를 전압으로 변환시키는 신호 컨버터는, 신호 전하를 받는 제1 스테이지의 제1 드라이버 트랜지스터를 포함한다. 후속 드라이버 트랜지스터는 제1 드라이버 트랜지스터의 출력에 연결되고, 그 후속 드라이버의 게이트 절연막은 줄어든 두께를 갖는다. 후속 드라이버 트랜지스터는 제2 스테이지를 구성하거나 또는 제3 스테이지를 구성한다. 후속 드라이버 트랜지스터의 게이트 절연막 두께의 감소는 전하 전달 효율의 감소 없이 전압 이득(AV
total )을 증가시켜서 신호 컨버터의 전체 감도(sensitivity)를 증가시킨다.