公开(公告)号：KR1019980029374A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960048629

申请日：1996-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  박춘근 ,  고영범

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 화학식 3의 고분자 및 광산발생제를 포함하는 화학증폭형 레지스트를 제공한다.
[화학식 3]

여기에서, R1은 수소 또는 메틸기이고, R2는 C7∼C16의 지방족 고리기이고, R3는 t-부틸기 또는 테트라히이드로퓨라닐기이고, 이고,

公开(公告)号：KR1019980003860A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023969

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26

公开(公告)号：KR1019970076068A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960015578

申请日：1996-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  박춘근

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 하프톤 위상반전층을 구성하는 물질이 스핀온그래스(SOG)인 하프톤 위상반전 마스크에 관하여 개시한다.
본 발명은 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상에 광이 투과하는 개구부를 갖고, 그 주위로 염료가 첨가된 스핀온그래서(SOG)로 구성된 하프톤 위상반전층을 구비하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전마스크를 제공한다. 상기 하프톤 위상반전층은 그 투과율이 0∼99%이다. 본 발명의 하프톤 위상반전 마스크는 하프톤 위상반전층을 염료가 첨가된 SOG막으로 구성하여 제조공정이 간단하고, 그 균일도도 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970059834A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019960001029

申请日：1996-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  박춘근

IPC: G03F7/032

公开(公告)号：KR100118399B1

公开(公告)日：1997-07-18

申请号：KR1019930018016

申请日：1993-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근 ,  여기성 ,  박정철

IPC: H01L21/312

公开(公告)号：KR1019970017945A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031099

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근

IPC: H01L21/027

Abstract: 분위기 가스를 활용하여 하지막 레지스트의 투과도를 제어할 수 있는 다층 레지스트 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명은 하층 레지스트 및 상층 레지스트로 구성된 2층 레지스트계, 또는 하층 레지스트, 층간 산화막, 및 상층 레지스트로 이루어진 3층 레지스트계와 같은 다층 레지스트(Multi-layer Resist)시스템에 있어서, 상기 하층 레지스트의 투과도를 조절할 수 있도록 하층 레지스트를 N
2 가스 분위기에서 베이크 처리함을 특징으로 한다. 또한, 상기 하층 레지스트의 투과도 조절을 위한 베이크 처리를 약 240∼340℃의 온도 범위와, 공기(air) 분위기에서 실시하여, 포토 공정의 해상도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100102124B1

公开(公告)日：1996-07-16

申请号：KR1019920016548

申请日：1992-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근 ,  이중현 ,  한우성

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/26

公开(公告)号：KR200096748Y1

公开(公告)日：1996-05-17

申请号：KR2019920025117

申请日：1992-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  한우성 ,  박춘근

IPC: H01L21/223

公开(公告)号：KR100084717B1

公开(公告)日：1995-05-11

申请号：KR1019920002399

申请日：1992-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근 ,  남정림

IPC: G03F7/26