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公开(公告)号：KR101741499B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020100120078
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/361 , H04N5/374 , H01L27/146 , H04N5/228 , H04N9/64
Abstract: 페데스탈레벨보상방법이개시된다. 상기페데스탈레벨보상방법은온도에따른다크레벨차이오차를계산하는단계와, 아날로그이득에따른페데스탈레벨오프셋을계산하는단계와, 상기다크레벨차이오차와상기페데스탈레벨오프셋에따라페데스탈레벨을보상하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了基座级别补偿方法。 基座水平补偿方法包括根据温度计算暗电平差异误差，根据模拟增益计算基座电平偏移量，根据暗电平差异误差和基座电平偏移量补偿基座电平， 它包括。
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公开(公告)号：KR101736330B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020100086235
申请日：2010-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안정착
IPC: H04N9/07 , H04N9/04 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: 이미지센서의픽셀이개시된다. 상기이미지센서는가시광선영역의파장들을통과시키기위한컬러필터; 및상기컬러필터위에형성되며적외선영역의파장들을차단시키기위한적외선차단필터를포함한다.
Abstract translation: 图像传感器的像素被启动。 该图像传感器包括：用于使可见光区域中的波长通过的滤色器; 并且在滤色器上形成用于阻挡红外区域的波长的红外截止滤光片。
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公开(公告)号：KR1020160087967A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020150006908
申请日：2015-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14605
Abstract: 이미지센서및 이를제조하는방법을제공한다. 이미지센서는기판에다수의픽셀영역들을정의하는소자분리부및 다수의픽셀영역들각각에형성된광전변환소자를포함한다. 소자분리부는, 소자분리부의상부및 하부를채우는매립절연막, 소자분리부의상부에서매립절연막의측면에배치되는스페이서, 및소자분리부의하부에서매립절연막및 기판사이에배치되는하부추가불순물영역을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法。 图像传感器包括限定衬底上的多个像素区域的器件隔离部分和形成在每个像素区域中的光电转换元件。 器件隔离部分包括填充绝缘层，其填充器件隔离部分的上部和下部;隔离件，其布置在器件隔离部分上部的填充绝缘层的侧表面上;以及 在器件隔离部分的下部中布置在填充绝缘层和衬底之间的附加杂质区较少。 因此，可以提供高集成度的图像传感器。
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公开(公告)号：KR1020160039877A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133147
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N9/045
Abstract: 씨모스이미지센서가개시된다. 본발명의씨모스이미지센서는제1표면, 및제2표면으로부터일정부분제거되어생성된제3 표면을포함하는반도체기판, 각각이상기제1표면과상기제3표면사이에형성되고, 상기제3표면을통해수신되는입사광에응답하여전하들을생성하는광전변환소자를포함하는액티브영역들, 및상기액티브영역들각각을이웃하는액티브영역과분리하기위하여상기제1표면또는제3 표면으로부터수직으로형성된트렌치-타입의소자분리영역을포함하며, 상기제3 표면에서절단된경우, 상기액티브영역의단면은센터측이오목하고모서리측이볼록한모양을가진다.
Abstract translation: 公开了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。 CMOS图像传感器包括：半导体衬底，有源区和沟槽型元件分离区。 半导体衬底包括通过从第二表面去除预定部分而形成的第一表面和第三表面。 每个有源区形成在第一表面和第三表面之间，并且包括响应于通过第三表面接收的入射光产生电荷的光电转换装置。 沟槽型元件分离区域垂直地形成在第一表面或第三表面上，以将每个有效区域与相邻的有效区域分开。 在第三表面被切出的情况下，有源区域的一部分具有凹形的中心和具有凸形的边缘。
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公开(公告)号：KR1020160021473A
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：KR1020140106726
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H04N5/37452
Abstract: 본발명의실시예에따른글로벌셔터이미지센서는제1표면과제2표면을포함하는반도체기판, 상기반도체기판내에형성되는광전변환영역, 상기반도체기판내에서상기광전변환영역의주위에형성된저장다이오드, 상기반도체기판내에서상기광전변환영역의위(above)에형성된드레인영역, 상기반도체기판내에서상기저장다이오드의위(above)에형성된플로팅디퓨전영역, 상기광전변환영역으로부터제1전하들을상기드레인영역으로전송하는오버플로우게이트, 상기광전변환영역으로부터제2전하들을상기저장다이오드로전송하는저장게이트, 및상기저장다이오드로부터상기제2전하들을상기플로팅디퓨전영역으로전송하는전송게이트를포함하고, 상기오버플로우게이트, 상기광전변환영역, 상기저장게이트, 상기저장다이오드, 상기전송게이트, 및상기플로팅디퓨전영역은일렬로형성된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的全局快门图像传感器包括：半导体衬底，其包括第一表面和第二表面; 形成在半导体衬底中的光电转换区; 形成于半导体基板的光电转换区域周围的存储二极管; 漏极区，形成在半导体衬底中的光电转换区域的上方; 形成在半导体衬底中的存储二极管上方的浮动扩散区; 溢出门，其从光电转换区域向漏极区域发送第一电荷; 存储门，其将来自所述光电转换区域的第二电荷传输到所述存储二极管; 以及传输门，其将所述第二电荷从所述存储二极管传输到所述浮动扩散区。 溢流栅，光电转换区，存储栅，存储二极管，传输栅极和浮动扩散区域形成一行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160015998A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140099092
申请日：2014-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 반도체장치와이를위한제조방법이제공된다. 상기반도체장치는입사되는광에의해전하를출력하는수광소자, 및상기수광소자의출력에게이팅되어상기입사되는광에비례하는소오스-드레인전류를발생시키는구동트랜지스터를포함하되, 상기구동트랜지스터는, 제1 게이트전극과, 상기제1 게이트전극의하부에배치되는제1 채널영역과, 상기제1 채널영역의양단에배치되고제1 도전형을갖는제1 소오스-드레인영역과, 상기제1 채널영역의일측에배치되고, 상기수광소자와상기제1 채널영역을분리시키며, 상기제1 도전형과다른제2 도전형을갖는제1 채널정지영역을포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括通过入射光输出电荷的光接收装置和由光接收装置的输出门控的驱动晶体管，以产生与入射光成比例的源极 - 漏极电流。 驱动晶体管包括第一栅电极，布置在第一栅电极的下部的第一沟道区，布置在第一沟道区的两端并具有第一导电类型的第一源极 - 漏极区，以及 第一通道停止区域，其布置在第一沟道区域的一侧上，将光接收装置与第一沟道区分离，并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。
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公开(公告)号：KR1020160007217A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140087567
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 이미지센서의픽셀은반도체기판내에형성된광전변환영역, 반도체기판내에광전변환영역으로부터이격되어형성된플로팅확산영역, 반도체기판의제1 면으로부터내부로연장된리세스의내부에형성되고, 광전변환영역과플로팅확산영역사이에전송채널을형성하는수직전송게이트, 및상기리세스를둘러싸도록불순물이도핑되어형성되고, 리세스의측면에인접한영역에서제1 불순물농도를가지고, 리세스의저면에인접한영역에서제1 불순물농도보다높은제2 불순물농도를가지는불순물영역을포함한다. 리세스의저면에인접한수직전송게이트의채널영역이리세스의측면에인접한수직전송게이트의채널영역보다높은불순물농도로도핑되어수직전송게이트의전송특성이향상되고, 전송지연이방지될수 있다.
Abstract translation: 图像传感器的像素包括：形成在半导体衬底中的光电转换区域; 通过与半导体衬底中的光电转换区域分离而形成的浮动扩散区域; 形成在从所述半导体衬底的第一表面延伸到内部的凹部中的垂直传输门，并且在所述光电转换区域和所述浮动扩散区域之间形成传输通道; 以及杂质区域，其通过将杂质掺杂以围绕所述凹部而形成，在所述凹部的相邻区域中具有第一杂质浓度，并且在与所述凹部相邻的相邻区域中具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度 的凹陷。 与凹部的底部相邻的垂直传输门的沟道区域掺杂有高于垂直传输栅极的沟槽面积的杂质浓度，邻近凹部的侧面，因此，传输特性 提高了垂直传输门，防止了传输延迟。
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48.发明授权플로팅 확산영역을 부스팅하는 부스팅 커패시터를 구비하는 단위 픽셀, 상기 픽셀을 구비하는 픽셀어레이 및 상기 픽셀어레이를 구비하는 광 감지소자 有权包括升压电容器升高浮动扩散区域的单位像素和包括像素阵列的像素和光检测装置的像素阵列
公开(公告)号：KR101584098B1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020090075732
申请日：2009-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/3597 , H04N5/363 , H04N5/37452
Abstract: 본발명은플로팅확산영역의초기화를극대화시킬수 있는단위픽셀, 상기단위픽셀을구비하는픽셀어레이및 상기픽셀어레이를구비하는광 감지소자를개시한다. 본발명에따른픽셀은, 포토다이오드, 상기포토다이오드로부터생성된전하를플로팅확산영역에전달하는전달트랜지스터및 상기플로팅확산영역을초기화시키는리셋트랜지스터를구비하며, 일단자가상기플로팅확산영역에연결되고다른일 단자로부터부스팅전압이인가되는부스팅커패시터를더 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020150099119A
公开(公告)日：2015-08-31
申请号：KR1020140020672
申请日：2014-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02016
Abstract: 제1 활성 영역 및 제2 활성 영역을 구분 및 정의하는 제1 소자 분리막을 가진 기판, 상기 기판의 내부에 배치되고 상기 제1 소자 분리막과 수직으로 중첩하는 포토다이오드, 상기 포토다이오드와 수직으로 중첩하도록 상기 제1 활성 영역 내에 배치되고, 상기 기판의 표면으로부터 상기 내부로 연장하는 전송 게이트 전극, 및 상기 제1 활성 영역 내에 형성된 플로팅 확산 영역을 포함하는 씨모스 이미지 센서가 설명된다.
Abstract translation: 描述了CMOS图像传感器，其包括：衬底，其具有用于分类和限定第一有源区域和第二有源区域的第一器件隔离层; 光电二极管，形成在衬底中并与第一器件隔离层垂直重叠; 布置在所述第一有源区中以使所述光电二极管垂直重叠并从所述基板的表面延伸到所述内部的传输栅电极; 以及形成在第一有源区中的浮动扩散区。
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公开(公告)号：KR101534823B1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020080119274
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서및 이를포함하는이미지센싱시스템이제공된다. 이미지센서는, 반도체기판, 반도체기판에정의된픽셀영역에형성되며, 다수의광전변환부들을포함하는픽셀어레이부, 반도체기판에정의된회로영역에형성된다수의구동회로들및 반도체기판의픽셀영역과회로영역사이에형성되며, 회로영역에서발생되는열이반도체기판을통해픽셀영역으로전달되는것을차단하기위한적어도하나의열 차단부를포함한다. 이러한, 열차단부는 BIS(Back-side Illumination Sensor; BIS) 구조의이미지센서또는 SOI(Silicon On Insulator; SOI) 반도체기판을사용하는이미지센서에서적용할수 있다.
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