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公开(公告)号：KR101659816B1
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105
Abstract: 반도체소자에대해개시되어있다. 개시된반도체소자는나노와이어를지닌채널과나노파티클을지닌전하저장층을포함할수 있으며, 전하저장층상에는제 1게이트및 제 2게이트를포함하는트윈게이트구조가형성된것일수 있다. 이경우, 상기반도체소자는메모리소자또는다이오드일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140147383A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070502
申请日：2013-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/008
Abstract: Disclosed are an optical device and a method of controlling a progress direction of light and surface Plasmon using the same. The optical device comprises a light source, a substrate, and a metal layer on the substrate. The metal layer comprises two or more slots, and controls the progress direction of the light and the surface Plasmon by using light which is polarized in a long direction of one slot between the two slots.
Abstract translation: 公开了一种光学装置和控制光的进展方向和使用其的表面等离子体的方法。 光学器件包括光源，衬底和衬底上的金属层。 金属层包括两个或更多个槽，并且通过使用在两个槽之间的一个槽的长度方向上极化的光来控制光和表面等离子体的进行方向。
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公开(公告)号：KR1020140102988A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130016592
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/008 , G02B6/1226 , G02B27/1006 , Y10T29/49826
Abstract: Provided is an optical modulator. The optical modulator comprises a dielectric layer and a metal layer disposed on the dielectric layer. A first light in a first frequency band and a second light in a second frequency band are incident on the metal layer and are emitted from the metal layer in different refraction angles.
Abstract translation: 提供了一种光调制器。 光调制器包括介电层和布置在电介质层上的金属层。 第一频带中的第一光和第二频带中的第二光入射在金属层上，并以不同的折射角从金属层发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110097444A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017291
申请日：2010-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/105 , H01L29/42312 , H01L21/02603 , H01L29/41725
Abstract: 반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.
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公开(公告)号：KR102230651B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020130071943
申请日：2013-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 적층형집적회로의광 인터커넥션이개시된다. 개시된적층형집적회로의광 인터커넥션은, 제1층에위치하며, 지향성광을출력하는제1광학안테나를포함하는광 송신부와, 제1층과는다른제2층에위치하여광 송신부와이격되어있으며광 송신부로부터전송되는광을수신하도록제2광학안테나를포함하는광 수신부를포함하고, 제1 및제2광학안테나중 적어도하나는복수의나노구조물을포함하여광을이용하여층간신호전달이이루어지도록마련될수 있다.
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公开(公告)号：KR102224717B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140075056
申请日：2014-06-19
Abstract: 나노구조체및 이를포함하는광학소자가개시된다. 개시된나노구조체는그래핀과같은탄소나노물질층상에다양한형상을지닌나노패턴을포함할수 있다. 나노패턴은서로다른형상을지닌제 1나노패턴및 제 2나노패턴을포함할수 있다. 나노패턴은구형(sphere), 큐브형(cube), 삼각뿔형을포함하는다각뿔형또는다각기둥형상을지닐수 있다.
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公开(公告)号：KR102201320B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020140071488
申请日：2014-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/265
Abstract: 반도체소자와그 제조방법및 반도체소자를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는제1 및제2 트랜지스터를포함할수 있고, 상기제1 트랜지스터는제1 채널층및 제1 이온겔(ion gel)을포함할수 있고, 상기제2 트랜지스터는제2 채널층및 제2 이온겔을포함할수 있다. 상기제1 및제2 채널층은, 예컨대, 그래핀을포함할수 있다. 상기제1 및제2 이온겔은서로다른이온성액체(ionic liquid)를포함할수 있다. 상기제1 및제2 이온겔은서로다른양이온및/또는서로다른음이온을포함할수 있다. 상기제1 및제2 트랜지스터중 하나는 p형일수 있고, 다른하나는 n형일수 있다. 상기제1 및제2 트랜지스터는인버터를구성할수 있다.
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