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公开(公告)号：KR100904894B1
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020080010054
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03B9/07 , G02B21/0016 , G02B26/04 , H01L21/268
Abstract: An objective aperture and a pattern forming apparatus using the same are provided to obtain a clear atom image by reducing the background signal noise of a high resolution atom image and to form a clear pattern using the clear atom image. An objective lens aperture(700) comprises a central area(710) in which no opening is formed in order to reduce the background signal noise of a high resolution atom image, and a peripheral area(720) in which at least one opening(730) which passes diffraction beam, not transmitting beam. The central area is formed with a diameter more than 2La, where L is the distance between a specimen and the objective lens aperture and a is the convergence semiangle of electron beam irradiated to the specimen.
Abstract translation: 提供了一种客观孔径和使用其的图案形成装置，以通过降低高分辨率原子图像的背景信号噪声并使用清晰的原子图像形成清晰图案来获得清晰的原子图像。 物镜孔（700）包括中心区域（710），其中不形成开口以减少高分辨率原子图像的背景信号噪声;以及周边区域（720），其中至少一个开口（730） ）通过衍射光束，不发射光束。 中心区形成直径大于2La，其中L是试样和物镜孔之间的距离，a是照射到样品的电子束的会聚半径。
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公开(公告)号：KR1020070105752A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060038310
申请日：2006-04-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: A phase change random access memory cell and a method for manufacturing the same are provided to maintain a stable state of information stored therein by separating a phase change material such as GeSbTe by using an insulating material such as SiOx. A phase change random access memory cell includes a lower electrode, a phase change layer mixed with a phase change material on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase change layer. The phase change material is separated into a constant size by using the phase change material. The phase change material of the phase change layer is formed of a chalcogenide material of one element which is selected from a group including Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, and O.
Abstract translation: 提供了相变随机存取存储单元及其制造方法，以通过使用绝缘材料如SiOx分离诸如GeSbTe的相变材料来保持其中存储的信息的稳定状态。 相变随机存取存储单元包括下电极，与下电极上的相变材料混合的相变层和形成在相变层上的上电极。 通过使用相变材料将相变材料分离成恒定尺寸。 相变层的相变材料由选自由Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P和O组成的一种元素的硫族化物材料形成。
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公开(公告)号：KR100699948B1
公开(公告)日：2007-03-26
申请号：KR1020050025210
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점-
公开(公告)号：KR1020070031714A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공-
公开(公告)号：KR100577061B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040002845
申请日：2004-01-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 대면적 기판 위에 콜로이드 용액내의 양자점을 다중 딥코팅(dip-coating) 방법을 사용하여 흡착(adsorption)함으로써 양자점의 표면 점유율을 단일층막 수준으로 균일하게 배열하는 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 다중 딥코팅 방법을 사용하여 기판에 균일한 배열을 가지는 양자점 클러스터 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
양자점, 나노입자, 다중 딥코팅, 흡착, 콜로이드 용액, 표면점유율, 다중양자점층 형성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100925223B1
公开(公告)日：2009-11-06
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020080107013A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020070054762
申请日：2007-06-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00
Abstract: A manufacturing method of a nanostructure is provided to remove selectively only an oxide of a conductive layer formed at a lower part of a nanopore and to expose a catalyst layer for grow a bottom electrode or a nanowire using a nanopore array. A manufacturing method of a nanostructure comprises steps of: forming in order a conductive layer(13) and an anodic oxide quality layer on a substrate; anodizing the anodic oxide quality layer and forming a plurality of nanopores; exposing the oxide of the conductive layer formed between a surface of the anodic oxide quality layer and a lower part of the oxide of the conductive layer space by removing the oxide of the anodic oxide quality layer formed at the lower part of nanopore; and exposing the conductive layer at a lower part of the nanopore by removing the oxide of the exposed conductive layer.
Abstract translation: 提供了纳米结构的制造方法，以仅选择仅在纳米孔的下部形成的导电层的氧化物，并且使用纳米孔阵列暴露出用于生长底部电极或纳米线的催化剂层。 纳米结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上依次形成导电层（13）和阳极氧化物质量层; 阳极氧化阳极氧化物质量层并形成多个纳米孔; 通过去除形成在纳米孔下部的阳极氧化物质量层的氧化物，使形成在阳极氧化物质层的表面和导电层空间的氧化物的下部的导电层的氧化物暴露; 并且通过去除暴露的导电层的氧化物，在纳米孔的下部暴露导电层。
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公开(公告)号：KR100727857B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020050025209
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막-
公开(公告)号：KR1020060103357A
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：KR1020050025210
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점-
公开(公告)号：KR100597014B1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020010001422
申请日：2001-01-10
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Inventor： 김기범
IPC: H01L21/263
CPC classification number: H01J37/3175 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F7/2037 , H01J37/3174 , H01L29/04 , H01L29/127 , H01L29/7613
Abstract: 본 발명은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법으로, 결정구조를 갖는 물질을 투과 전자 현미경의 챔버에 위치시키고, 전자선을 조사하고, 결정구조를 갖는 물질을 투과 및 회절된 전자 빔의 간섭을 이용하여 피조사 물질의 표면에 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지를 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성하고, 이렇게 형성된 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지로 패턴을 형성함으로써 제어가능한 방법으로 양자점을 형성할 수 있는 이점이 있다.
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