公开(公告)号：KR1020090076597A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002636

申请日：2008-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

公开(公告)号：KR100713943B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020050086454

申请日：2005-09-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  이태연 ,  안동호 ,  이동복

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공

Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。

公开(公告)号：KR100919692B1

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020060038310

申请日：2006-04-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이태연 ,  김기범 ,  이동복 ,  안동호

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 상변화 물질 부분이 절연물질에 의해 서로 분리되는 성질을 이용하여 상변화 메모리 소자의 동작에 있어서 전류의 경로를 줄여 높은 전류밀도를 획득하여 상변화에 필요한 전기에너지의 소모가 작은 상변화 메모리셀 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 상변화메모리셀의 상변화층은 상변화물질(예를 들어, GeSbTe)과 절연물질(예를 들어, SiOx)이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된다.
상변화메모리, 상변화층, 절연물질, GeSbTe, SiOx

公开(公告)号：KR1020090068817A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136585

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

公开(公告)号：KR1020070105752A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：KR1020060038310

申请日：2006-04-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이태연 ,  김기범 ,  이동복 ,  안동호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: A phase change random access memory cell and a method for manufacturing the same are provided to maintain a stable state of information stored therein by separating a phase change material such as GeSbTe by using an insulating material such as SiOx. A phase change random access memory cell includes a lower electrode, a phase change layer mixed with a phase change material on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase change layer. The phase change material is separated into a constant size by using the phase change material. The phase change material of the phase change layer is formed of a chalcogenide material of one element which is selected from a group including Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, and O.

Abstract translation: 提供了相变随机存取存储单元及其制造方法，以通过使用绝缘材料如SiOx分离诸如GeSbTe的相变材料来保持其中存储的信息的稳定状态。 相变随机存取存储单元包括下电极，与下电极上的相变材料混合的相变层和形成在相变层上的上电极。 通过使用相变材料将相变材料分离成恒定尺寸。 相变层的相变材料由选自由Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P和O组成的一种元素的硫族化物材料形成。

公开(公告)号：KR1020070031714A

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020050086454

申请日：2005-09-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  이태연 ,  안동호 ,  이동복

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공