公开(公告)号：KR1020060089512A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050010781

申请日：2005-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  박윤동 ,  선종백 ,  신현진

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L51/0077

Abstract: 본 발명은 기판, 제어 전극, 게이트 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극, 채널 영역을 포함하는 메조리에 있어서, 상기 채널 영역 위에 포르피린 단분자층 또는 포르피린 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 메조포러스리 소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 메모리 소자는 다중-레벨 구현이 가능하며 집적도가 우수한 이점을 갖는다.
비휘발성 메모리, 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 플래시 메모리, 다중-레벨, 채널 영역, 포르피린 단분자, 포르피린 화합물층

公开(公告)号：KR100554327B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020010056798

申请日：2001-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  임진형 ,  정현담 ,  김정형

IPC: C08G77/14

Abstract: 본 발명은 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 환형 실록산 화합물과 반응성기가 4개 있는 실란계 화합물, 또는 여기에 반응성기가 1개 이상인 실란 화합물 및/또는 케이지형 실록산 화합물을 부가하여 유기용매 중에서 촉매와 물의 존재하에 가수분해 및 축합중합시켜 제조한 실록산계 수지, 및 상기 수지를 반도체의 저유전 절연막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 실록산계 수지를 이용하면 고집적도 반도체 제조시 기계적 물성 및 열안정성이 우수하고 저유전율인 절연막을 용이하게 형성할 수 있다.
실록산계 수지, 케이지형 실록산 화합물, 환형 실록산 화합물, 실란 화합물, 반도체, 절연막, 저유전율

公开(公告)号：KR1020050058893A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090908

申请日：2003-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마상국 ,  정현담 ,  신현진 ,  임진형 ,  선종백 ,  이재준 ,  이광희

IPC: C08G77/14

Abstract: 본 발명은 열 또는 빛에 의해 분해가능한 반응기를 가지는 선형 또는 환형의 다반응성 규소 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 중합체에 관한 것이고, 나아가, 상기 중합체 또는 단량체를 이용한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 에테르 알콕시기를 1 이상 포함한 다반응성 규소 화합물 및 상기 화합물을 에테르알콕시기를 포함하지 않은 실록산 또는 실란 단량체와 함께 중합하여 제조한 공중합체에 관한 것이고, 나아가, 상기 공중합체 및/또는 상기 다반응성 규소 화합물을 함유한 코팅액을 도포하고 이를 열경화시켜 절연막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다반응성 규소 화합물은 에테르 알콕시기가 열 또는 빛에 의해 분해되면서 주변의 반응기와 중합반응을 일으키거나, 재중합 가능한 히드록시기를 형성하므로, 반응속도가 상이한 다양한 화합물들과 공중합이 가능하고, 그로부터 제조된 중합체 내에 잔존 알콕시기 함량이 감소하여 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가지며, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010036140A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043010

申请日：1999-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  김정형

IPC: H01L21/283

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device using a methylsilses quioxane(MSSQ) of a low dielectric constant as an interlayer dielectric layer is provided to reduce an RC delay time caused by a contact fail in the interlayer dielectric layer. CONSTITUTION: In the method, a metal line(11) is formed on a substrate(10) and then covered with a capping layer(13) made of a CVD oxide layer. The MSSQ layer(15) is coated thereon, and a CVD silicon oxide layer(17) is then deposited on the MSSQ layer(15). All the layers(13,15,17) lying above the metal line(11) are etched to form a contact hole therein by using a superjacent photoresist layer(19). Thereafter, a densified silicon oxide layer(30) is formed thinly on a surface of the MSSQ layer(15) exposed to the contact hole by irradiation of an ion beam. After that, the photoresist layer(19) is removed by the ion beam.

Abstract translation: 目的：提供一种使用低介电常数的甲基硅烷类倍半硅烷（MSSQ）作为层间电介质层制造半导体器件的方法，以减少由层间电介质层中的接触不良引起的RC延迟时间。 构成：在该方法中，金属线（11）形成在基板（10）上，然后用由CVD氧化物层制成的覆盖层（13）覆盖。 在其上涂覆MSSQ层（15），然后将CVD氧化硅层（17）沉积在MSSQ层（15）上。 蚀刻位于金属线（11）上方的所有层（13,15,17），以通过使用相邻的光致抗蚀剂层（19）在其中形成接触孔。 此后，通过照射离子束，在暴露于接触孔的MSSQ层（15）的表面上，薄化地形成致密的氧化硅层（30）。 之后，通过离子束去除光致抗蚀剂层（19）。

公开(公告)号：KR1020000061062A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990009840

申请日：1999-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: An apparatus for supplying gas into a CMP chamber is provided to prevent the metal source from being dissolved by coating a thin film on a surface of a metal disc. CONSTITUTION: A gas supplying apparatus comprises an evaporating device. The evaporating device includes an injection tube(322) for injecting a metal source through a hole(323) formed therein. The evaporating device also includes a disc(324) for preventing the evaporated source gas from thermally being dissolved. The disc(324) allows the metal source to be distributed in a large area. The disc(324) is coated with a thin film which is made of nonconductor material. The metal source is stored in a source storing device. The metal source is pumped by a pumping device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于向CMP室供应气体的装置，以通过在金属盘的表面上涂覆薄膜来防止金属源溶解。 构成：气体供给装置包括蒸发装置。 蒸发装置包括用于通过形成在其中的孔（323）注入金属源的注入管（322）。 蒸发装置还包括用于防止蒸发的源气体被热溶解的盘（324）。 盘（324）允许金属源在大面积上分布。 盘（324）涂覆有由非导体材料制成的薄膜。 金属源存储在源存储装置中。 金属源由泵送装置泵送。

公开(公告)号：KR1020080091959A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：KR1020070035116

申请日：2007-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전재춘 ,  정현담

IPC: H04W76/02 ,  H04B7/26

CPC classification number: H04W4/16 ,  H04N7/141 ,  H04W4/20

Abstract: A method for performing the video telephony in a mobile terminal is provided to prevent the delay of the call connection by controlling an error generated when performing the video telephony. A transmitting terminal(100) performs the connection with a server for providing the call waiting image service set by a receiving terminal(500) through a core network(200). When the transmitting terminal receives the call connection message from the receiving terminal at the connection process, the connection with the server is ended. After the end of the connection with the server, the transmitting terminal performs the video telephony relating to the receiving terminal. At the end process of the connection with the server, when the transmitting terminal receives the call connection message from the receiving terminal, the connection message to be transmitted to the server is transmitted to the receiving terminal.

Abstract translation: 提供了一种用于在移动终端中执行视频电话的方法，以通过控制在执行视频电话时产生的错误来防止呼叫连接的延迟。 发送终端（100）与服务器进行连接，用于通过核心网络（200）提供由接收终端（500）设置的呼叫等待图像服务。 当发送终端在连接处理中接收到来自接收终端的呼叫连接消息时，与服务器的连接结束。 在与服务器的连接结束之后，发送终端执行与接收终端相关的视频电话。 在与服务器的连接的结束处理中，当发送终端从接收终端接收到呼叫连接消息时，要发送到服务器的连接消息被发送到接收终端。

公开(公告)号：KR1020080030454A

公开(公告)日：2008-04-04

申请号：KR1020070048233

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  정현담 ,  이상윤

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/18

Abstract: A composition for a dielectric thin film is provided to allow application of a low-temperature process, to realize a high dielectric constant, and to impart a low driving voltage and high charge transportability to electronic devices. A composition for a dielectric thin film comprises: a metal halide represented by the formula of MaXb (wherein M is a metal element selected from Group 1-14 metals, X is a halogen atom, a is an integer of 1-3, and b is an integer of 1-10), as a metal oxide precursor; at least one of metal alkoxide and ether compound; and an organic solvent. The composition preferably comprises 0.1-50 wt% of a metal halide, 0.1-50 wt% of at least one of metal alkoxide and ether compound, and the balance amount of an organic solvent.

Abstract translation: 提供了一种用于电介质薄膜的组合物，以允许施加低温工艺，实现高介电常数，并赋予电子器件低驱动电压和高电荷传输性。 一种电介质薄膜用组合物，其特征在于，含有下式所示的金属卤化物，式中，M为选自1-14族金属的金属，X为卤素原子，a为1-3的整数，b为 是1-10的整数，作为金属氧化物前体; 金属醇盐和醚化合物中的至少一种; 和有机溶剂。 组合物优选包含0.1-50重量％的金属卤化物，0.1-50重量％的金属醇盐和醚化合物中的至少一种，余量为有机溶剂。

公开(公告)号：KR1020050050032A

公开(公告)日：2005-05-27

申请号：KR1020040095797

申请日：2004-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  신현진

IPC: C08G77/04

Abstract: 본 발명은 분자 다면체형 실세스퀴옥산을 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분자 다면체형 실세스퀴옥산을 실록산계 수지의 단량체로 사용하거나 또는 분자 다면체형 실세스퀴옥산 자체를 기공형성 물질로 사용하여 절연막 형성용 조성물을 제조한 후 이를 이용하여 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법을 이용하면 저유전 특성 및 기계적 물성이 우수한 반도체 층간 절연막을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050005759A

公开(公告)日：2005-01-14

申请号：KR1020040042522

申请日：2004-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  정현담 ,  선종백 ,  마상국 ,  임진형 ,  이재준

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/14

CPC classification number: C07F7/21 ,  C08G77/14

Abstract: PURPOSE: A multi-functional cyclic siloxane compound, a siloxane polymer prepared from the same compound and a process for preparing dielectric film using the same polymer are provided, which siloxane compound has improved reactivity, and which polymer has improved mechanical properties, thermostability and crack resistance, low hydroscopicity rate, low insulation coefficient, low carbon content, and high SiO2 content, so that the polymer is useful as an insulation membrane of a semiconductive device. CONSTITUTION: The multi-functional cyclic siloxane compound represented by formula (1a) is provided, wherein R1 is hydrogen, C1-C3 alkyl or C6-C15 aryl; R2 is C1-C10 alkyl or SiX1X2X3 in which X1, X2 and X3 are independently hydrogen, C1-C3 alkyl, C1-C10 alkoxy or halogen atom; and p is an integer of 3 to 8. The siloxane polymer is prepared by hydrolysis and condensation polymerization of one or more than two the multi-functional cyclic siloxane compound represented by formula (1) in organic solvent in the presence of acid or base catalyst and water, wherein the acid catalyst is hydrochloric acid, nitric acid, benzene sulfonic acid, oxalic acid, formic acid or a mixture thereof; and the base catalyst is potassium hydroxide, sodium hydroxide, triethylamine, sodium bicarbonate, pyridine or a mixture thereof.

Abstract translation: 目的：提供多功能环状硅氧烷化合物，由相同化合物制备的硅氧烷聚合物和使用相同聚合物制备电介质膜的方法，该硅氧烷化合物具有改善的反应性，并且该聚合物具有改善的机械性能，热稳定性和裂纹 电阻，低吸水率，低绝缘系数，低碳含量和高SiO 2含量，使得聚合物可用作半导体器件的绝缘膜。 构成：提供由式（1a）表示的多官能环状硅氧烷化合物，其中R 1是氢，C 1 -C 3烷基或C 6 -C 15芳基; R2是C1-C10烷基或SiX1X2X3，其中X1，X2和X3独立地是氢，C1-C3烷基，C1-C10烷氧基或卤素原子; 并且p为3至8的整数。硅酸酯聚合物通过一种或多于两种在式（1）表示的多官能环状硅氧烷化合物在有机溶剂中在酸或碱催化剂存在下水解和缩聚制备 和水，其中所述酸催化剂是盐酸，硝酸，苯磺酸，草酸，甲酸或其混合物; 碱催化剂为氢氧化钾，氢氧化钠，三乙胺，碳酸氢钠，吡啶或其混合物。

公开(公告)号：KR1020040108446A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020030039030

申请日：2003-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임진형 ,  정현담 ,  김정배 ,  선종백

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A pore generated composition for a porous semiconductor insulating layer is provided to obtain a low dielectric material having fine-porosities with a size of 50 angstrom or less by constituting properly predetermined materials. CONSTITUTION: A pore generated composition for a porous semiconductor insulating layer contains a silyl porogen, a matrix precursor, and a solvent. The matrix precursor is thermally stable. The matrix precursor is organic or inorganic. The solvent is capable of dissolving the silyl porogen and the matrix precursor.

Abstract translation: 目的：提供用于多孔半导体绝缘层的孔产生组合物，以通过构成适当的预定材料来获得具有50埃或更小尺寸的细孔的低电介质材料。 构成：用于多孔半导体绝缘层的孔产生组合物含有甲硅烷基致孔剂，基质前体和溶剂。 基质前体是热稳定的。 基质前体是有机或无机的。 溶剂能够溶解甲硅烷基致孔剂和基质前体。